Purpose: To compare radiographic images of Digora/sup (R)/ system and Ektaspeed Plus film obtained from normal adults. Materials and methods: Storage phosphor plate(SPP) was placed in a film holder behind Ektaspeed Plus film package without lead foil. The effect of film on SPP was studied in a separate in vitro experiment. Forty-seven sets of images were prepared for the evaluaton. The regions of interest(ROI) for evaluation were designated at seven sites including normal anatomical structures. The image quality for each ROI was evaluated on enhanced and unenhanced storage phosphor(SP) images and Ektaspeed Plus film. Results: Two film-SPP configurations showed significantly different gray levels at each step of the aluminum step wedge(p<0.05). The contrasts were comparable. Enhanced SP images were significantly superior to unenhaned images and film in all anatomical sturctures(p<0.01). The differences between unenhanced SP images and film were significant(p<0.05) except root canal and cortical bone on alveolar crest. For anatomical items. there were statistically significant difference among five observers(p<0.05). Conclusions: The image quality of enhanced SP images were superior to Ektaspeed Plus film. and Digora system is potentially applicable to clinical diagnosis.
The green emitting phosphor, $ZnGa_2O_4:Mn$ thin film with spinel structure were deposited by rf magnetron sputtering. Thin film phosphors were heat-treated in nitrogen, vacuum and air atmosphere, respectively. The effects of the substrates, heat-treatment conditions and the sputtering parameters were investigated. The growing behavior and luminescent properties of thin films depend on the crystallinity of the substrates. The Ga/Zn atomic ratios and luminescent characteristics were dependent on the annealing conditions.
Ha, Chang-Hoon;Kim, Jae-Sung;Jeong, Dong-Cheol;Whang, Ki-Woong
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.232-235
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2002
An alternate application of MgO film for the improvement of discharge characteristics and life time in an ac plasma display panel (PDP) is suggested. In this research, we deposited MgO on the phosphor to get the same address characteristics irrespective of each phosphor. To avoid the luminance and efficiency degradation by MgO deposition on the phosphor, we optimized the MgO thickness through experiments. The results showed that PDP with MgO coated phosphor has a uniform formative delay in address discharge and improved degradation characteristics.
본 연구는 고해상도 디지털 X선 영상 검출기 적용을 위해 미세 $Gd_2O_2S$:Tb 형광체 분말을 저온 액상법을 이용하여 합성하였다. 제조된 형광체 분말을 이용하여 입자침전법을 이용하여 형광체 필름을 제작하여 발광특성을 조사하였다. 측정결과, Tb 첨가농도에 따른 상대적인 발광량 측정결과 5 wt%의 첨가농도에서 가장 높은 발광효율을 보였으며, 첨가농도가 증가할수록 소광현상에 의한 발광강도가 급격히 감소하는 경향을 보였다. 또한 270 ${\mu}m$ 두께의 $Gd_2O_2S$:Tb에서 2945 pC/$cm^2$/mR의 발광 강도를 가졌으며, 발광 강도가 거의 포화되는 것을 관찰할 수 있었다. 끝으로 제조된 형광체의 영상획득 성능을 평가하기 위해 상용화된 CMOS 센서를 이용하여 X선 영상을 획득하여 MTF, NPS를 측정하여 DQE 평가를 수행하였다. 측정결과, DQE(0)의 값은 37%로 다소 낮은 값을 보였다. 향후 필름 제조 공정상의 문제점을 해결한다면, DQE를 개선할 수 있을 것으며, 고해상도 의료 방사선 영상 시스템 적용에 유용하게 적용 가능할 것으로 판단된다.
The $ZnGa_2O_4$ phosphor thick films were fabricated using a screen printing method on Si(100) substrates at various sintering temperatures. The XRD patterns show that the $ZnGa_2O_4$ thick films have a (311) main peak and a spinel structure with increasing sintering temperatures. The particle sizes of $ZnGa_2O_4$ phosphor were about 100 nm and the thickness of $ZnGa_2O_4$ thick film was $10{\mu}m$. The CL and PL properties of $ZnGa_2O_4$ showed main peak of 420nm and maximum intensity at the sintering temperature of $900^{\circ}C$. These results indicate that $ZnGa_2O_4$ phosphor thick films hold promise for displays such as plasma display panel and field emission display.
본 연구는 Gd2O2S:Tb 형광체 화합물을 사용하여 비파괴검사 중 방사선투과검사에 적용할 수 있는 형광체 증감지를 개발하였다. 또한 이러한 형광체 증감지를 FE-SEM, RMS 및 RDS 분석을 통해 형광체 증감지의 영상 균일도를 분석하였다. 또한, 응력-변형 특성 곡선 측정을 통해 Gd2O2S:Tb 형광체 스크린의 인장강도, 신장률 및 탄성계수를 평가하였다. 실험 결과, RSD 값이 평가 기준인 10% 이내로 우수한 영상균일도를 가지는 것으로 평가되었다. 또한, 물리적 특성 평가 결과, 인장 강도는 1.1760 N/㎟이며, 파단시 인장강도는 1.1515 N/㎟로 나타났다. 이러한 결과로부터 본 연구에서 제작된 상온 겔-프린팅 제조법을 이용하여 제작된 Gd2O2S:Tb 형광체 스크린은 방사선 투과검사용 디지털 방사선 검출기에 적용이 가능할 것으로 사료된다.
The phosphor and ITO(Indium Tin Oxide) films for video phone tube (VPT) were simply prepared by the screen printing and thermal transfer methods. The increasing order of thermal firing of acrylic binder for phosphor and ITO was M6003 < M6664 < A/A 1919 < M500l < M670 1 and all mass of binders were perfectly decomposed at lower temperature than $400^{\circ}C.$ After thermal firing of phosphor paste, the residual of binder on the surface of phosphor could not be found by SEM. Aerosil as thickner provides the thixotropy property for phosphor paste but decrease the brightness of phosphor screen as residual after thermal firing. Since the thixotropy of M5001 binder without aerosil was shown and the storage modulus of phosphor paste by increasing the angular frequency was not nearly changed and the decrease of the storage modulus of phosphor paste by increasing the strain was remarkably shown. It was possible to prepare the phosphor paste which was predominant in the plate separation and the reproduction of pattern after the screen printing. Since the addition of dispersing agent to improve the printing process decreases the electrical conductivity and light transmission of ITa film, it could be found to be necessary the development of binder for phosphor paste that decreases the amount of dispersing agent possibly and does not use the aerosil as additive.
$CaMoO_4:Tb^{3+}$ green phosphor powders and thin films were successfully prepared by using the solid-state reaction method and the radio-frequency magnetron sputtering technique, respectively. The crystalline structure of all phosphor powders with different $Tb^{3+}$ ion concentrations was found to be a tetragonal system with the maximum diffraction intensity at $28.58^{\circ}$, while that of the phosphor thin films, irrespective of the type of substrate, was amorphous. As for the phosphor powders, the grain particles showed the chain-like patterns with inhomogeneous size distribution, the excitation spectra were composed of a broad band peaked at 307 nm and two small narrow bands centered at 381 and 492 nm, and the highest green emission spectrum was observed at 0.01 mol of $Tb^{3+}$ ions. As for the phosphor thin films, the average transmittance exceeding 85% was measured in the 400~1,100 nm range and the optical band gap showed a significant dependence on the type of substrate.
PXLM(Phosphor based x-ray light modulator) has a combined structure by phosphor, photoconductor, and liquid crystal and it can realize x-ray image of high resolution in clinical diagnosis area. In this study, we fabricated a photoconductor and investigated electrical and optical properties to confirm application possibility of radiator detector of PXLM structure. As photoconductor, amorphous selenium(a-Se), which is used most in DR(Digital radiography) of direct conversion method, was used and for formation of thin film, it was formed as $20{\mu}m-thick$ by using thermal vacuum evaporation system. For a produced a-Se film, through XRD(X-ray diffraction) and SEM(Scanning electron microscope), we investigated that amorphous structure was uniformly established and through optical measurement, for visible light of 40 $0\sim630nm$, it had absorption efficiency of 95 % and more. After fabricated a-Se film on the top of ITP substrate, hybrid structure was manufactured through forming $Gd_2O_3:Eu$ phosphor of $270{\mu}m-thick$ on the bottom of the substrate. As the result to confirm electrical property of the manufactured hybrid structure, in the case of appling $10V/{\mu}m$, leakage current of $2.5nA/cm^2$ and x-ray sensitivity of $7.31nC/cm^2/mR$ were investigated. Finally, we manufactured PXLM structure combined with hybrid structure and liquid crystal cell of TN(Twisted nematic) mode and then, investigated T-V(Transmission vs. voltage) curve of external light source for induced x-ray energy. PXLM structure showed a similar optical response with T-V curve that common TN mode liquid crystal cell showed according to electric field increase and in appling $50\sim100V$, it showed linear transmission efficiency of $12\sim18%$. This result suggested an application possibility of PXLM structure as radiation detector.
Mn doped {{{{ {Zn {Ga }_{2 }O }_{4 } }} thin film phosphors were prepared on Si(100) wafers and ITO coated glass substrates by rf magnetron sputtering technique and the effects of the substrates dopant and the sputtering paramet-ers were analyzed, Changes of the oreintation were observed after annealine tratment. The grain size of {{{{ {Zn {Ga }_{2 }O }_{4 } }} : Mn thin film deposited on Si wafer was smaller than that on ITO/glass substrate which resulted in higher PL intensity. The PL spectra of Mn doped {{{{ {Zn {Ga }_{2 }O }_{4 } }} thin films showed sharp green luminescence spec-trum. According to CL spectrum it could be concluded that Mn ions acted as an actuator for green emission by substituting Zn atom sites.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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