• Journal of the Korean Graphic Arts Communication Society
• /
• v.9 no.1
• /
• pp.1-11
• /
• 1991

In this reseach, double-layered photoconductor consist of the carrier generation layer(CGL) of $\varepsilon$ type copper phthalocyanine thin film by an aqueous coating method and the carrier transport layer(CGL) of polyvinyl carbazol(PVK) by spin coating. We inverstigated effect of the surfactant solution and cathod electrolysis to the crystal type of $\varepsilon$-CuPc in CGL with TEM, SEM and X- ray diffraction spectroscopy and studied the mechanism of an aqueous coating for the preparation of CGL. The effect of the washing of CGL about the electrophotographic characteristics of the $\varepsilon$-CuPc/PVK doublelayered photoconductors is studied also.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• v.6 no.5
• /
• pp.233-237
• /
• 2005

In the device structure of ITO/hole injection layer/N, N'-biphenyl-N, N'-bis-(1-naphenyl)-[1,1'-biphenyl]4,4'-diamine(NPB)/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum$(Alq_3)/Al$, we investigated an effect of hole-injection materials (PTFE, PVK) on the electrical characteristics and efficiency of organic light-emitting diodes. A thermal evaporation was performed to make a thickness of NPB layer with a evaporation rate of $0.5\~1.0\;\AA/s$ in a base pressure of $5\times10^{-6}$ Torr. We measured current-voltage characteristics and efficiency with a thickness variation of hole-injection layer. The PTFE and PVK hole-injection layer improve a performance of the device in several aspects, such as good mechanical junction, reducing the operating voltage and energy band adjustment. Compared with the devices without a hole-injection layer, we have obtained that an optimal thickness of NPB was 20 nm in the device structure of $ITO/NPB/Alq_3/Al$. And using the PTFE or PVK hole-injection layer, the external quantum efficiencies of the devices were improved by $24.5\%\;and\;51.3\%$, respectively.

• Journal of Information Display
• /
• v.3 no.1
• /
• pp.6-10
• /
• 2002

We have synthesized a new green Ir(III) complex fac-tris-(3-methyl-2-phenyl pyridine)iridium(III) $Ir(mpp)_3$ and fabricated phosphorescent polymer light-emitting device using it as a triplet emissive dopant in PVK. $Ir(mpp)_3$ showed absorption centered at 388 nm corresponding to the $^1MLCT$ transition as .evidenced by its extinction coefficient of the order of $10^3{\cdot}$ From the PL and EL spectra of the $Ir(mpp)_3$ doped PVK film, the emission maximum was observed at 523 nm, due to the radiative decay from the $^3MLCT$ state to the ground state, confirming a complete energy transfer from PVK to $Ir(mpp)_3$. The methyl substitution has probably caused a red shift in the absorption and emission spectrum compared to $Ir(mpp)_3$. The device consisting of a 2 % doped PVK furnished 4.5 % external quantum efficiency at 72 $cd/m^2$ (current density of 0.45 $mA/cm^2$ and drive voltage of 13.9 V) and a peak luminance of 25,000 $cd/m^2$ at 23.4 V (494 $mA/cm^2$). This work demonstrates the impact of the presence of a methyl substituent at the 3-position of the pyridyl ring of 2-phenylpyridine on the photophysical and electroluminescence properties.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.08a
• /
• pp.218-218
• /
• 2010

유기물과 무기물이 결합한 유기물/무기물 나노복합체는 차세대 전자 소자 제작에 있어 저전력 및 높은 생산성으로 인해 유용한 소재로 각광받고 있다. 유기물/무기물 나노복합체에 사용되는 물질 중에서 코어-쉘 구조의 나노 입자를 사용한 나노복합체는 나노 입자의 쉘에 의한 메모리 특성의 변화로 인해 차세대 메모리 소자에 응용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 코어-쉘 나노 입자가 분산되어 삽입된 고분자 박막 구조를 사용한 비휘발성 메모리의 쉘에 의한 메모리 특성 변화에 대한 연구는 비교적 미미하다. 본 연구에서는 CdTe-CdSe 나노 입자가 Poly(9-vinylcarbazol) (PVK) 박막에 분산된 구조를 기억층으로 사용하는 비휘발성 메모리 소자의 제작과 CdSe 쉘 층에 의한 메모리 특성의 변화에 대한 관찰을 수행하였다. 코어-쉘 나노입자에서 쉘의 역할을 알기 위하여 CdTe-CdSe 나노 입자와 CdTe 나노 입자를 각각 PVK에 톨루엔을 사용하여 녹여 나노 입자가 분산된 용액들을 제작하였다. 두 용액을 p-Si 기판 위에 스핀 코팅으로 도포한 후에 열을 가해 나노복합체를 형성하고 Al을 게이트 전극으로 증착한다. 제작된 두 가지 Al/CdTe-CdSe나노 입자＋PVK/p-Si 소자와 Al/CdTe나노 입자＋PVK/p-Si 소자는 정전용량-전압 (C-V) 측정 결과 히스테리시스 특성이 관찰되었다. CdTe-CdSe 나노 입자를 포함한 소자의 C-V 곡선의 flatband voltage shift는 0.5 V이고, CdTe 나노입자를 포함한 소자의 C-V 곡선의 flatband voltage shift는 1.1 V이다. CdTe-CdSe 나노 입자가 포함된 소자와 CdTe 나노 입자가 포함된 소자의 flatband voltage shift의 차이가 나타나는 원인에 대하여 에너지 밴드 대역도를 사용하여 설명하였다. 본 연구결과는 코어-쉘 나노 입자를 사용하는 비휘발성 메모리 소자에서 쉘에 의한 메모리 특성 변화에 대한 정보를 제공할 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.368-368
• /
• 2012

무기물 나노입자를 포함하는 유기물/무기물 나노복합체는 플렉시블 전자 소자에 적용이 가능하기 때문에 차세대 비휘발성 메모리 소자에 대한 응용연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 $CuInS_2$ (CIS)/ZnS 코어-쉘 나노 입자를 포함한 poly(N-vinylcarbazole) (PVK) 고분자 박막을 기억 매체로 사용하는 유기 쌍안정성 소자(organic bistable devices, OBD) 메모리 소자를 제작하고 전기적 성질에 대하여 관찰하고 전하 수송 메카니즘에 대하여 규명하였다. 화학적 방법으로 형성한 CIS/ZnS 코어-쉘 나노 입자와 PVK를 toluene 용매에 녹인 후 초음파 교반기를 사용하여 나노 복합 소재를 형성하였다. 하부 전극으로 indium-tin-oxide (ITO)가 증착되어 있는 유리 기판 위에 나노 복합 소재를 스핀코팅 방법으로 도포한 후 열을 가해 잔류 용매를 제거하였다. CIS/ZnS 코어-쉘 나노 입자가 분산되어 있는 PVK 나노 복합 소재로 구성된 박막위에 상부 전극으로 Al을 열증착하여 메모리 소자를 제작하였다. 전류-전압 (I-V) 측정 결과에서 저전압에서는 전도도가 낮은 OFF 상태를 유지하다 어느 특정 양의 전압에서 전도도가 갑자기 증가하여 높은 전도도의 ON 상태로 전이되는 쌍안정성이 관찰되었다. 전류의 ON/OFF 비율은 약 $10^3$이며 역방향 바이어스를 가해주었을 때 특정 음의 전압에서 전도도가 ON 상태에서 OFF 상태로 전환되는 전형적인 OBD 메모리 소자의 I-V 특성을 나타났다. 메모리 전하 수송 메커니즘 분석 결과 쓰기 과정은 thermionic emission (TE), space-charge-limited-current (SCLS) 모델과 지우기 과정은 Fowler-Nordheim (FN) 터널링 모델로 설명이 되었다. 제작된 소자에 대해 기억 시간 측정 결과는 ON과 OFF 상태의 전류가 장시간에도 변화가 거의 없는 소자의 안정성을 보여주었다. 이 실험 결과는 CIS/ZnS 코어-쉘 나노 입자가 분산되어 있는 PVK 나노 복합 소재를 사용하여 안정성을 가진 OBD 메모리 소자를 제작할 수 있음을 보여주고 있다.

• Journal of Sensor Science and Technology
• /
• v.7 no.2
• /
• pp.97-102
• /
• 1998

Organic thin film EL devices using PPV(poly (p-phenylenevinylene)) as emitter were fabricated on various conditions and structures, their electro-optical properties were estimated. Fabricated EL devices had structures of single layer(ITO(indium tin oxide)/PPV/Mg), double layer(ITO/PVK(poly(N-vinylcarbazole))/PPV/Mg and ITO/PPV/Polymer matrix + PBD/Mg) and three layer (ITO/PVK/PPV/PS(polystyrene)+PBD(butyl-2-(4-bipheny])-5-(4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazole))/Mg), their electro-optical characteristics were compared with each other. In structure of double layer (ITO/PPV /Polymer matrix + PBD/Mg), the used polymer-matrices were PMMA(poly(methyl methacrylate), PC(polycarbonate), PS and MCH(side chain liquid crystalline homopolymer). When PS as a hole transport layer was used, the luminance characteristics on concentration of PBD was obtained. In results, current-voltage-luminance curves of fabricated devices had characteristics of tunneling effect and the device showed a stable light emitting.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2006.10a
• /
• pp.154-157
• /
• 2006

ITO(indium tin oxide)/glass 기판 위에 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate)]와 PVK[poly(N-vinyl carbazole)] 고분자 물질을 정공 주입 및 수송층으로, 발광층으로 PFO-poss[Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with POSS]를 사용하여 스핀코팅법과 열 증착법으로 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al 구조의 고분자 발광 다이오드를 제작하였다. PFO-poss 유기발광 층의 열처리 조건 (온도, 시간)이 PLED 소자의 전기적, 광학적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 1 wt%의 농도를 갖는 PFO-poss 유기물 발광 층을 200C 온도로 3시간 열처리 할 경우 11 V 인가전압에서 $1497\;cd/m^2$의 최대 휘도를 나타내었다. 동일온도에서 열처리 시간을 1시간에서 3시간으로 증가시킬 경우 휘도의 증가와 함께 발광 개시온도가 감소하는 경향을 보여주었다. 또한 열처리 온도와 시간을 증가시킬 경우 제2발광피크인 excimer 피크가 크게 나타났으며 청색에서 황색 발광 쪽으로 천이되는 경향을 나타내었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 2003.07a
• /
• pp.984-987
• /
• 2003

The electrophosphorescent emission properties were investigated in polymer light-emitting diodes (PLEDs) based on a poly(9-vinylcarbazole) (PVK) doped with a green phosphorescent dye of fac-tris(2-phenylpyridine) iridium (III) [$Ir(ppy)_3$]. A green light peaked at 516 nm was emitted from devices with a configuration of ITO/PEDOT:PSS/PVK:$Ir(ppy)_{3}$/BCP/$Alq_{3}$/LiF/Al. The optimal doping concentration of $Ir(ppy)_{3}$ in PVK was found at 2% by weight, under which maximum current efficiency of 24.3 cd/A and peak external quantum efficiency of 6.8% were achieved at the high luminance of 4240 $cd/m^{2}$. The external quantum efficiency of 5% and current efficiency of 18 cd/A can be sustained even at the very high luminance of 35000 $cd/m^{2}$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.440-440
• /
• 2011

We report on the non-volatile memory characteristics of a bistable organic memory (BOM) device with Au nanoparticles (NPs) embedded in a conducting poly N-vinylcarbazole (PVK) colloids hybrid layer deposited on flexible polyethylene terephthalate (PET) substrates. Transmission electron microscopy (TEM) images show the Au nanoparticles distributed isotropically around the surface of a PVK colloid. The average induced charge on Au nanoparticles, estimated using the C-V hysteresis curve, was large, as much as 5 holes/NP at a sweeping voltage of ${\pm}3$ V. The maximum ON/OFF ratio of the current bistability in the BOM devices was as large as $1{\times}105$. The cycling endurance tests of the ON/OFF switching exhibited a high endurance of above $1.5{\times}105$ cycles and a high ON/OFF ratio of ~105 could be achieved consistently even after quite a long retention time of more than $1{\times}106$ s.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2004.07a
• /
• pp.60-62
• /
• 2004

CdTe nanoparticles were synthesized in aqueous solution by colloidal method. The absorption and photoluminescence(PL) spectrum of the synthesized CdTe nanoparticles revealed the strong exitonic peak in the visible region. Electroluminescence of CdTe nanoparticles were observed in the structure of Al/CdTe/PVK/ITO and Al/CdTe/PEDOT/ITO that were fabricated by spin coating of polyvinylcarvazole(PVK), poly(3,4-ethylenedioxythiophene(PEDOT) and CdTe nanoparticles. The turn-on voltages of Al/CdTe/PVK/ITO and Al/CdTe/PEDOT/ITO for electroluminescence were 5V and 6V, respectively. We identified that the reduction of turn-on voltage resulted from the increase of hole injection into the hole transport layer due to lower ionization energy of PEDOT.