상변화 메모리 소자의 고집적화를 위한 새로운 패터닝 공정을 위하여 블락 공중합체의 자가 조립 특성을 적용한 고분자 패턴을 TiN기판 위에 적용화기 위한 연구를 진행하였다. 블락 공중합체의 자기 조립에 의한 패턴의 모양은 각 기판과 블락 공중합체간의 상호작용에 따라 sphere, cylinder, lamellar 형태의 모양을 띄게 된다. 표면처리가 안된 TiN기판 위의 PS-b-PMMA 블락 공중합체의 패턴의 형태는 cylinder와 lamellar 구조가 섞여 있는 구조로써 PS-r-PMMA 랜덤 공중합체로 기판 표면을 처리해 줄 경우 좀 더 균일한 cylinder 패턴 구조를 얻을 수 있었다. PS-r-PMMA로 기판 표면 처리 전 후의 상호 작용의 변화를 알아보기 위하여 물방울 접촉각 테스트를 하였으며 랜덤 공중합체와 블락 공중합체의 표면 처리 열처리 조건에 따른 패턴 행태의 변화를 관찰하기 위하여 모두 24,48,72시간으로 변화시켜 열처리 하였다. 최종 열처리 후 블락 공중합체의 패턴 형태의 주사 전자 현미경 관찰을 위하여 acetic acid에 60분 동안 침지시켜 PMMA를 제거 후 괄찰하였다.
Polystyrene(PS)과 poly(methyl methacrylate)(PMMA)에 대하여 동일한 계면 특성을 갖는 3-(p-methoxyphenyl)propyltrichlorosilane(MPTS)의 자기조립 단분자막(self-assembled monolayer, SAM) 을 실리콘 웨이퍼 표면에 형성시켜 표면 특성을 개질하였다. 개질된 실리콘 웨이퍼에 PMMA 또는 PS가 원통형 나노구조를 형성하는 PS-b-PMMA 블록공중합체 박막을 코팅하여 원통형 나노구조가 실리콘 웨이퍼 표면에 대하여 수직 배향된 박막을 제조하였다. 수직 원통형 나노구조를 갖는 박막에 자외선 조사와 세척을 통하여 PMMA 블록을 선택적으로 제거하여 수직 나노기공 필름과 수직 나노막대 배열을 제조하였다. 제조된 나노기공 필름은 나노리소그래피 마스크로 사용이 가능하다.
Plastic optical fibers(POFs) composed of poly(methylmethacrylate) (PMMA), polystyrene (PS), or polycarbonate(PC) as a core materials, and of fluorinated polymer or PMMA as a cladding were fabricated and their properties were investigated in this study. The attenuation loss of PMAA core POF was about 1,700 dB/Km at 660 nm, the loss of PS core POF was 1,800 dB/Km at 560 nm, and the loss of PC core POF was 2,200 dB/Km at 780 nm. These attenuation losses of POFs prepared ill this study were higher than those of commerically available POFs. Compared to PMMA and PS core POFs, PC core POF has excellent characteristics, including high thermal stability, high flexibility, and high impact strength.
블락 고분자 박막과 기판 사이의 계면에 1 nm 두께의 얇은 단일 성분 고분자 나노 계면을 도입함으로써 블락 고분자 나노 구조의 배향을 조절하는 연구가 수행되었다. Polystyrene-block-poly (methyl methacrylate) (PS-b-PMMA) 블락 고분자 박막의 나노 구조를 조절하기 위하여 블락 고분자의 각각의 고분자들의 평균 조성을 가지며 한쪽 끝에 히드록시 기를 가지는 단일 성분 고분자인 폴리(4-아세톡시스티렌) (OH-PAS)과 폴리(4-메톡시스티렌) (OH-PMS)를 나이트록사이드를 이용한 라디칼 중합법(nitroxide-mediated radical polymerization, NMP)을 사용하여 성공적으로 합성하였다. 실리콘 웨이퍼 표면과 저압 탈수 반응을 통하여 OH-PAS와 OH-PMS 두 개의 고분자를 성공적으로 표면에 공유결합 하였으며 생성된 두 고분자가 결합된 1 nm 두께의 계면 위에 PS-b-PMMA 블락 고분자 박막을 도포하여 그 나노 구조의 배향을 분석하였다. OH-PMS를 사용하여 제작된 계면의 경우 블락 고분자에 대하여 약 30%의 수직 배향을 보여주었고 OH-PAS를 사용하여 제작된 계면의 경우 수직 배향을 전혀 보여주지 않았고 오직 수평 배향만을 보여주었다. 결과적으로 계면의 화학적 조성을 정밀하게 조절하는 것이 블락 고분자 박막의 나노 구조 배향을 조절하는 데 가장 중요한 요소라고 고려된다.
자유라디칼 telomerization 반응을 이용하여 스티렌-메타크릴산메틸 block 혼성중합체 (PS-b-PMMA)를 합성하였다. AIBN을 개시제로 사용하여 CCI$_4$로 스티렌을 telomerization시킨 다음 생성된 중합체의 $CCI_3$ 말단기를 macrotelogen으로 사용하여 AIBN 개시에 의해 메타크릴산 메틸을 다시 telomerization하여 스티렌-메타크릴산메틸 block 혼성중합체를 얻었다. Macrotelogen의 농도, 단위체의 농도, macrotelogen의 분자량, 반응온도 및 용매의 농도가 block 혼성중합체생성에 미치는 영향을 조사하였다. 반응조건을 조절하여, PMMA가 약 10무게%까지 포함된 block 혼성중합체를 얻었다.
비대칭 블록 공중합체와 단일고분자로 구성된 블렌드의 미세 도메인 구조와 결정화 거동을 소각 X-선 산란, 광학 현미경 및 DSC를 사용하여 조사하였다. 본 연구에서는 폴리(메틸 메타크릴레이트) 블록의 무게 분률이 0.53인 폴리(메틸 메타크릴레이트)-폴리스티렌 이종 블록 공중합체 (PMMA-b-PS)를 저분자량 폴리(비닐리덴 플루오라이드) (PVDF)와 혼합하였다. PVDF 함량 증가에 따라 블렌드 미세구조가 라멜라에서 실린더 구조로 전이하였으며, PVDF의 결정화는 결정화 이전에 형성된 미세구조의 배열을 교란시켜 질서도가 낮은 형태를 야기시켰다. 또한, PVDF 결정화 거동은 PMMA 블록과의 혼화성 및 미세 도메인에 의해 부가되는 공간적 제한에 큰 영향을 받았다.
Block Copolymer lithography는 deep nano-scale device 제작을 위한 기존의 top-down방식의 photo-lithography를 대체할만한 기술로 많은 연구가 진행되고 있다. polystyrene(PS)/poly-methyl methacrylate (PMMA)로 구성된 BCP의 nano-scale PS mask는 일반적인 플라즈마 공정에 쉽게 damage를 입는다. 중성빔 식각을 이용하여 식각 공정 중 발생하는 BCP의 degradation을 감소시키고, 비등방성 식각 profile을 얻을 수 있으며 sidewall roughness(SWR)와 sidewall angle(SWA)가 향상되는 것을 알 수 있었다.
Polystyrene-block-polymethyl methacrylate (PS-b-PMMA) can pattern nanoscale structures over large areas. However these patterns have a short-range order. These short-range order limits their utility in some applications. Consequently, we have to overcome this limitation of block-copolymer. In this study we added a electrical field to the standard block-copolymer patterning method for long-range ordered arrays of nanostructures. This method is conformed by annealing a block copolymer with applied voltages. It is very simple method that do not have any additional hour. In this reason it can be applied easily for other nanostructure fabrications. This method opens up a new route to the controlled phase separation of block copolymers with precise place of the nanostructures.
CoCrPt alloy films are attracting wide attention for applications to high-density magnetic recording media and hard magnetic layer in spin valve structure due to their high coercivity and strong magnetocrystalline anisotropy. Diblock copolymer templates are one of the most promising candidates for nanoscale patterning otherwise inaccessible by lithographic procedures [1]. In this study, we have investigated magnetic properties of Co$\sub$68/Cr$\sub$18/Pt$\sub$14/ nanodot arrays made by self-assembling polystyrene-block-methyl methacrylate ((PS-b-PMMA), (Mn = 82.5 Kg/mol, with a 1.12 polydispersity)) diblock copolymer. (omitted)
We studied the molecular shapes and structural characteristics of a 33-armed, star polystyrene (PS-33A) and two $3^{rd}$-generation, dendrimer-like, star-branched poly(methyl methacrylate)s with different architectures (pMMA-G3a and PMMA-3Gb) and 32 end-branches under good solvent and theta ($\Theta$) solvent conditions by using synchrotron small angle X-ray scattering (SAXS). The SAXS analyses were used to determine the structural details of the star PS and dendrimer-like, star-branched PMMA polymers. PS-33A had a fuzzy-spherical shape, whereas PMMA-G3a and PMMA-G3b had fuzzy-ellipsoidal shapes of similar size, despite their different chemical architectures. The star PS polymer's arms were more extended than those of linear polystyrene. Furthermore, the branches of the dendrimer-like, star-branched polymers were more extended than those of the star PS polymer, despite having almost the same number of branches as PS-33A. The differences between the internal chain structures of these materials was attributed to their different chemical architectures.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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