Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2015.11a
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- Pages.332-332
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- 2015
Block Copolymer (PS-b-PMMA) Etching Using Cl2/Ar Gas Mixture in Neutral Beam System
Cl2/Ar gas mixture 중성빔을 이용한 블록공중합체 식각 연구
Abstract
Block Copolymer lithography는 deep nano-scale device 제작을 위한 기존의 top-down방식의 photo-lithography를 대체할만한 기술로 많은 연구가 진행되고 있다. polystyrene(PS)/poly-methyl methacrylate (PMMA)로 구성된 BCP의 nano-scale PS mask는 일반적인 플라즈마 공정에 쉽게 damage를 입는다. 중성빔 식각을 이용하여 식각 공정 중 발생하는 BCP의 degradation을 감소시키고, 비등방성 식각 profile을 얻을 수 있으며 sidewall roughness(SWR)와 sidewall angle(SWA)가 향상되는 것을 알 수 있었다.
Keywords