Block Copolymer (PS-b-PMMA) Etching Using Cl2/Ar Gas Mixture in Neutral Beam System

Cl2/Ar gas mixture 중성빔을 이용한 블록공중합체 식각 연구

  • 윤덕현 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 김경남 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 성다인 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 박진우 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 김화성 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 염근영 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2015.11.26

Abstract

Block Copolymer lithography는 deep nano-scale device 제작을 위한 기존의 top-down방식의 photo-lithography를 대체할만한 기술로 많은 연구가 진행되고 있다. polystyrene(PS)/poly-methyl methacrylate (PMMA)로 구성된 BCP의 nano-scale PS mask는 일반적인 플라즈마 공정에 쉽게 damage를 입는다. 중성빔 식각을 이용하여 식각 공정 중 발생하는 BCP의 degradation을 감소시키고, 비등방성 식각 profile을 얻을 수 있으며 sidewall roughness(SWR)와 sidewall angle(SWA)가 향상되는 것을 알 수 있었다.

Keywords