• 제목/요약/키워드: PNP

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앨범제작을 위한 포토매니저 설계 (A Design of Photo Manager for Album Production)

  • 정병완;한군희;최신형
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2007년도 추계학술발표논문집
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    • pp.284-286
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    • 2007
  • 졸업앨범은 한 사진관에서 한 학교를 대상으로 진행하는 프로젝트로 그 수량이나 비용으로 인해 커다란 수확을 사진관이나 인쇄소에 제공하지만, 그만큼 위험요소가 많은 프로젝트이다. 본 논문에서는 컴퓨터를 이용하여 편집한 앨범자료를 인쇄하기 위한 자동조판시스템을 설계하고 구현한다. 본 시스템의 이용분야는 졸업앨범 제작 및 결혼기념용 앨범 및 졸업 작업집 등과 같은 사진을 많이 배치하는 책자를 제작하는 곳에 적당하다.

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광고도안 제작자동화를 위한 컴퓨터조판시스템 (Computerized typesetting system for Advertisement Design Production Automation)

  • 정병완;한군희;최신형
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2007년도 추계학술발표논문집
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    • pp.245-247
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    • 2007
  • 컴퓨터자동조판시스템은 현재 신문사, 교차로 등에 이용되고 있으며 대부분이 고가의 비용을 요함으로 자동조판을 이용하기 보다는 편집디자이너가 편집용 소프트웨어를 이용하여 일일이 작업을 하고 있는 실정이다. 본 논문에서는 가장 대표적인 광고도안인 명함을 인터넷을 이용하여 신청에서 PDF파일을 생성하는 일련의 작업을 자동화하기 위한 컴퓨터조판시스템의 모델을 제시한다.

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바이폴라 트랜스레지스턴스 증폭기 설계 (A Design of Bipolar Transresistance Amplifiers)

  • 차형우;임동빈;송창훈
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권11호
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    • pp.828-835
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    • 2001
  • 고정도 전류-모드 신호 처리를 위한 새로운 바이폴라 트랜스레지스턴스 증폭기(TRA)와 이것의 오프셋 보상된 TRA를 제안하였다. 두 TRA는 전류 입력을 위한 두 개의 전류 폴로워, 전류차를 얻기 위한 전류 가산기, 전류를 전압으로 변환시키기 위한 저항, 그리고 전압 출력을 위한 전압 폴로워로 구성되었다. 오프셋 보상된 TRA는 TRA의 오프셋 전압을 감소시키기 위한 다이오드 결선된 npn과 pnp 트랜지스터를 채용하였다. 시뮬레이션 결과, TRA근 입-출력 단자에서 0.5 Ω의 임피던스와 40 mV의 오프셋 전압을 갖고 있다는 것이 확인되었다. 오프셋 보상된 TRA는 1.1 mV의 오프셋 전압과 0.25 Ω의 임피던스를 갖고 있다. 두 개의 TRA를 단위-이득의 트랜스레지스턴스를 갖는 전류-전압 변환기로 이용할 때 3-dB 차단 주파수는 40 MHz이다. 제안한 두 TRA의 전력 소비는 11.25 mW이다.

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4-비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환기를 내장한 2.5V 0.25㎛ CMOS 온도 센서 (A 2.5V 0.25㎛ CMOS Temperature Sensor with 4-bit SA ADC)

  • 김문규;장영찬
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제17권2호
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    • pp.378-384
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    • 2013
  • 본 논문에서는 칩 내부의 온도를 측정하기 위한 CMOS 온도 센서가 제안된다. 제안하는 온도 센서는 칩 내부의 온도에 비례하는 전압을 생성하는 proportional-to-absolute-temperature (PTAT) 회로와 디지털 인터페이스를 위한 4-비트 아날로그-디지털 변환기로 구성된다. 소면적을 가지는 PTAT 회로는 CMOS 공정에서 vertical PNP 구조를 이용하여 설계된다. 온도변화에 둔감한 저전력 4-비트 아날로그-디지털 변환기를 구현하기 위해 아날로그 회로를 최소로 사용하는 축차근사형 아날로그-디지털 변환기가 이용되며, 이를 위해 커패시터-기반 디지털-아날로그 변환기와 시간-도메인 비교기를 이용한다. 제안된 온도 센서는 2.5V $0.25{\mu}m$ 1-poly 6-metal CMOS 공정에서 제작되었고, $50{\sim}150^{\circ}C$ 온도 범위에서 동작한다. 구현된 온도 센서의 면적과 전력 소모는 각각 $130{\times}390{\mu}m^2$$868{\mu}W$이다.

IGBT 기반 인덕턴스 및 문턱전압 변화에 따른 초퍼 회로의 연구 (A Study on Chopper Circuit for Variation of Inductance and Threshold Voltage based on IGBT)

  • 노영환
    • 한국철도학회논문집
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    • 제13권5호
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    • pp.504-508
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    • 2010
  • 고전압 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT)의 개발로 기존의 GTO(Gate Turnoff Thyristor)가 적용되는 분야에서 더 효율적인 새로운 소자로 인정받고 있다. IGBT는 금속 산화막 반도체 트랜지스터(MOSFET)와 바이폴라 전력 트랜지스터의 장점을 결합한 소자이다. IGBT의 전기적 특성의 변화는 주로 입력단자에 MOSFET와 출력단자에 PNP 트랜지스터의 특성에 달려있다. IGBT의 가장 중요한 설계변수중의 하나인 문턱전압의 변화는 방사선이 존재하는 환경에 게이트 산화막(oxide)에서 전하포획(charge trapping)에 의해 발생되고 에너지 손실을 야기시킨다. 또한, 에너지 손실은 초퍼회로의 인덕턴스 값이 변화될 때 발생됨을 연구한다. 본 논문에서 IGBT의 전기적 특성을 SPICE로 시뮬레이션하고, IGBT 기반 인덕턴스와 문턱전압의 변화에 따른 전기적 특성을 분석하고자 한다.

낮은 전류-입력 임퍼던스를 갖는 A급 바이폴라 전류 콘베이어(CCII)와 그것의 오프셋 보상된 CCII 설계 (A Design of Class A Bipolar Current Conveyor(CCII) with Low Current-Input Impedance and Its Offset Compensated CCII)

  • 차형우
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권10호
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    • pp.754-764
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    • 2001
  • 고정도 전류-모드 신호 처리를 위한 낮은 전류-입력 임피던스를 갖는 A급 바이폴라 제 2세대 전류 콘베이어(CCII)와 그것의 오프셋 보상된 CCII를 제안하였다. 제안한 CCII는 전류 입력을 위한 정류된 전류-셀, 전압 입력을 위한 이미터 폴로워, 그리고 전류 출력을 위한 전류 미러로 구성된다. 이 구성에서, 전류 입력단자의 임피던스를 줄이기 위해 두 입력 단은 전류 미러에 의해 결합되었다. 실험 결과, CCII의 전류 입력단자의 임피던스는 8.4 Ω 이하였고, 전류 입력 단자의 오프셋 전압은 40 mV로 나타났다. 이 오프셋을 줄이기 위하여 오프셋 보상된 CCII는 제안한 CCII의 회로 구성에 다이오드-결선된 npn과 pnp 트랜지스터를 첨가시켰다. 실험 결과, 오프셋 보상된 CCII의 전류 입력 단자의 임피던스는 2.1Ω이하였고, 전압 오프셋은 0.05mV로 나타났다. 제안한 두 CCII을 전압 폴로워로 사용할 때 3-dB 차단 주파수는 30 MHz이었다. 전력 소비는 6 mW이다.

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Degradation of 3-Methyl-4-nitrophenol, a Main Product of the Insecticide Fenitrothion, by Burkholderia sp. SH-1 Isolated from Earthworm (Eisenia fetida) Intestine

  • Kim, Seon-Hwa;Park, Myung-Ryeol;Han, Song-Ih;Whang, Kyung-Sook;Shim, Jae-Han;Kim, In-Seon
    • Journal of Applied Biological Chemistry
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    • 제50권4호
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    • pp.281-287
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    • 2007
  • Microorganisms were isolated from earthworm intestine and examined for their ability to degrade 3-methyl-4-nitrophenol (MNP), a main degradation product of the insecticide fenitrothion. An isolate that showed the best degradation of MNP was selected for further study. The 16S rRNA analysis showed that the isolate belongs to the genus of Burkholderia, close to phenanthrene-degrading Burkholderia sp. S4.9, and is named Burkholderia sp. SH-1. When time-course degradation of MNP by SH-1 was examined by high performance liquid chromatographic analysis, almost complete degradation of MNP was observed within 26 h. Colony forming unit value assays indicated that the isolate SH-1 was capable of utilizing MNP as a sole carbon source. SH-1 could also degrade p-nitrophenol (PNP) but could not degrade ortho-substituted nitroaromatics such as 2,4-, 2,6- and 2,5-dinitrophenol. Catechol was detected as the main degration product of MNP and PNP. SH-1 was also found in the soil from which earthworms were obtained. These results suggest that the dispersal of Burkholderia sp. SH-1 into different environment with the aid of earthworms is likely to play a role in bioremediation of the soil contaminated with MNP.

토양효소활성을 이용한 미생물제제 처리 고추경작지의 토양미생물군집 분석 (Soil Microbial Community Analysis using Soil Enzyme Activities in Red Pepper Field Treated Microbial Agents)

  • 김요환;임종희;안창환;정병권;김상달
    • Journal of Applied Biological Chemistry
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    • 제55권1호
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    • pp.47-53
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    • 2012
  • 친환경 농법이 대두되면서 식물 병원균에 대한 길항능과 식물생장 촉진능을 동시에 가지는 plant growth promoting rhizobacterium (PGRP)을 이용해 식물병을 방제하는 미생물 농법이 선호되고 있다. 본 연구에서는 토양비옥도 지표효소로 알려진 5종의 토양효소활성 측정을 이용해 plant growth promoting rhizobacterium 균주인 Bacillus subtilis AH18, Bacillus licheniformis K11, Pseudomonas fluorescens 2112를 조합한 복합미생물제제와 시판중인 미생물농약, 화학농약을 처리한 고추경작지에서 토양미생물상을 분석하고 고추의 생장 및 수확량을 측정하여 메타지노믹스를 이용한 토양미생물 다양성 연구의 기초자료로 사용하고자 하였다. 토양효소활성의 측정에서 복합미생물제제 처리구가 dehydrogenase 3.5584 ${\mu}g$ TPF $g^{-1}h^{-1}$, urease 15.8689 ${\mu}g$ $NH_4{^-}N$ $g^{-1}h^{-1}$, phosphatase 0.5692 ${\mu}g$ PNP $g^{-1}h^{-1}$, ${\beta}$-glucosidase 2.4785 ${\mu}g$ PNP $g^{-1}h^{-1}$, cellulase 86.1597 ${\mu}g$ glucose $g^{-1}h^{-1}$의 수치를 나타내 타처리구보다 높은 활성을 보여 토양미생물상의 다양성이 증대됨을 확인하였다. 또한, 고추의 생장촉진도측정에서 복합미생물제제가 타처리구에 비해 주경장에서 최대 6.1%, 경경에서 최대 8.1%의 생장촉진능을 보여 복합미생물제제의 생장촉진능을 확인하였다. 생고추의 수확량 측정에서는 복합미생물제제가 무처리구를 기준으로 했을 때 14%의 수확량 증대효과를 나타내었고, 화학농약 처리구보다도 7.3%의 증대효과를 나타내어 복합미생물제제에 의한 수확량 증대효과도 확인하였다. 따라서 본 연구에 사용된 복합 미생물컨소시움제제가 고추경작지 토양의 미생물상 다양성 증가와 고추의 생장촉진 및 수확량 향상 모두에 기여함을 알 수 있었다.

Regioselective synthesis of .alpha.-L-fucosyl-containing benzyl disaccharides by use of .alpha.-L-fucosidases of aspergillus niger

  • Chung, Yong-Za;Kwak, Hong-Keun;Sung, Yung-Ki
    • Archives of Pharmacal Research
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    • 제19권4호
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    • pp.307-311
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    • 1996
  • The activity of fucosidase shows different value depending on disease, eg) fucosidosis and I cell disease are characterized by the absence or deficiences of .alpha.-fucosidase, and sera of ovarian cancer patients exhibited a statistically significant deficiency of .alpha.-L-fucosidase activity (Zielke et al., 1972; Kress et al., 1980; Barlow et al., 1981). For the purpose of diagnosis of these disease easily, the manual of test can be developed by preparing kits of hydrophobic-binding substrate of fucosidase that bind C18-column.

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새로운 구조의 ESD 보호소자를 내장한 고속-저전압 LVDS Driver 설계 (Design of high speed-low voltage LVDS driver circuit with the novel ESD protection device)

  • 이재현;김귀동;권종기;구용서
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.731-734
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    • 2005
  • In this study, the design of advanced LVDS(Low Voltage Differential Signaling) I/O interface circuit with new structural low triggering ESD (Electro-Static Discharge) protection circuit was investigated. Due to the differential transmission technique and low power consumption at the same time. Maximum transmission data ratio of designed LVDS transmitter was simulated to 5Gbps. And Zener Triggered SCR devices to protect the ESD phenomenon were designed. This structure reduces the trigger voltage by making the zener junction between the lateral PNP and base of lateral NPN in SCR structure. The triggering voltage was simulated to 5.8V. Finally, we performed the layout high speed I/O interface circuit with the low triggered ESD protection device in one-chip.

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