• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제7권2호
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• pp.49-53
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• 2008

The yellow base polymer light emitting diodes(PLEDs) with double emission and hole blocking layers were prepared to improve the light efficiency. ITO(indium tin oxide) and PEDOT : PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene) : poly(styrene sulfolnate)] were used as cathode and hole transport materials. The PFO[poly(9,9-dioctylfluorene)] and MEH-PPV[poly(2-methoxy-5(2-ethylhe xoxy)-1,4-phenylenevinyle)] were used as the light emitting host and guest materials, respectively. TPBI[Tpbi1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene] was used as hole blocking layer. To investigate the optimization of device structure, we prepared four kinds of PLED devices with different structures such as single emission layer(PFO : MEH-PPV), two double emission layer(PFO/PFO : MEH-PPV, PFO : MEH-PPV/PFO) and double emission layer with hole blocking layer(PFO/PFO : MEH-PPV/TPBI). The electrical and optical properties of prepared devices were compared. The prepared PLED showed yellow emission color with CIE color coordinates of x = 0.48, y = 0.48 at the applied voltage of 14V. The maximum luminance and current density were found to be about 3920 cd/$m^2$ and 130 mA/$cm^2$ at 14V, respectively for the PLED device with the structure of ITO/PEDOT : PSS/PFO/PFO : MEH-PPV/TPBI/LiF/Al.

• 폴리머
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• 제37권6호
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• pp.736-743
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• 2013

공액구조 고분자의 밴드갭을 줄이기 위하여 청색의 디페닐렌비닐렌을 치환기를 갖는 카바졸 단량체와 용해도 향상을 위해 옥틸기를 도입한 카바졸 공단량체를 합성하여 신규 공중합체를 제조하였다. Suzuki 커플링 중합으로 공중합체를 제조하고, 공중합체의 열적, 분광학적, 전기광학적 특성을 조사하여 고분자 유기발광 다이오드(PLED)의 발광층에의 사용가능성을 조사하였다. 용액상태에서 공중합체의 UV 최대 흡수 파장은 333~340 nm, PL 최대방출 파장은 409~464 nm를 보였으며, 상대양자효율은 최대 25.8%의 값을 보였다. 열중량분석 결과 $350^{\circ}C$까지 열안정성을 보이고, 필름형성이 용이하였으며, 공중합체를 발광층으로 사용한 PLED 소자에서 4.0 V에서 청색광을 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권2호
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• pp.23-28
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• 2008

최적 소자구조에 의한 고분자 발광다이오드의 외부 양자효율 향상을 위해 스핀코팅 방법으로 ITO/EDOT:PSS/(PFO)/PFO:MEH-PPV/LiF/Al 구조의 발광소자를 제작하고 전기, 광학적 특성을 조사하였다. ITO(indium tin oxide) 투명전극을 양극으로 사용하고 정공수송층으로 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]를 사용하였으며, 발광물질로는 PFO[poly(9,9-dioctyl-fluorene)]와 MEH-PPV [poly(2-methoxy-5(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinyle)]를 각각 호스트와 도펀트로 사용하였다. PFO:MEH-PPV 발광층의 두께를 약 $400{\AA}$으로 형성하였고, MEH-PPV의 농도는 9wt%로 고정하여 도핑하였다. PFO 발광층의 두께를 $200{\sim}300{\AA}$의 범위로 변화시켜 전계발광 특성을 비교 해 본 결과, 두께가 약 $250{\AA}$ 부근에서 가장 우수한 광학적 특성이 관찰되었으며, 13V의 인가전압에서 각각 약 $400mA/cm^2$의 전류밀도와 $1500cd/m^2$의 휘도가 관찰되었다 또한 PFO 발광층을 2중으로 구성한 소자(PFO/PFO:MEH-PPV)가 단일 발광층을 갖는 소자 (PFO:MEH-PPV)에 비해 발광휘도 및 전류 효율에서 약 3배의 향상된 특성을 보여주었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권9호
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• pp.3087-3090
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• 2012

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제37회 하계학술대회 초록집
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• pp.388-388
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• 2009

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.106-108
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• 2004

We have investigated the photolithographic patterning method of light emitting polymer film for polymer light emitting diodes (PLED). Blue light emitting polymers based on polyfluorene, which can be cured photochemically to yield an insoluble form, have been synthesized using Ni(0) mediated Yamamoto polymerization. The relationship between patterning property and several variables such as the intensity of the exposed UV light, the concentrations of additives, has been studied by using optical microscope analysis, UV/visible spectroscopy, and photoluminescence. We have successfully fabricated PLEDs composed of the patterned emissive layer and their electroluminescence property has been also investigated. In this presentation, the detailed photolithographic patterning method and its application for polymer light emitting display will be discussed.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.794-797
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• 2009

We manufactured a novel gas permeation thin film passivation by using inorganic Mg-Zn-F target which has better optical characteristics and high electronegativity. We fabricated targets in various composition ratio and formed about 200nm which is limited thickness of the flexible display. Applied to PLED device, the target which composed of $MgF_2$ and Zn at the ratio of 4:6, WVTR was reached the measurement limit of the equipment, $10^{-3}g/m^2{\cdot}day$ and the life time was increased 25 times better than PLED device which is non-passivation.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2008년도 춘계학술발표논문집
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• pp.184-185
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• 2008

본 연구에서는 ITO/PEDOT:PSS//PFO:MEH-PPV/LiF/Al 구조를 갖는 고분자 유기발광다이오드를 제작하여 발광 도펀트인 MEH-PPV의 농도에 따른 황색 PLED 소자의 전기 광학적 특성에 대하여 조사하였다. MEH-PPV의 농도를 각각 6, 7, 8, 9, 10 wt% 로 변화시켜 소자를 평가한 결과 9 wt%의 농도에서 가장 우수한 전기 및 광학적 특성을 보였으며, 16 V의 인가전압에서 약 630 cd/$m^2$의 휘도 특성과 256 mA/$cm^2$의 전류밀도 특성이 관찰되었다. 또한 10 wt%의 소자에서는 오히려 낮은 광학적 특성이 관찰되어 9 wt%에서 도펀트의 농도가 포화됨이 관찰되었고, 제작된 소자의 색좌표 (CIE coordiante)는 모든 소자에서 (x, y = 0,49, 0.49)로 거의 동일하게 나타났다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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• pp.142-146
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• 2005

패턴화된 ITO (indium tin oxide)/Glass 기판 위에 정공수송층인 PEDOT:PSS [poly(3,4-othylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]와 발광층인 MEH-PPV [poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4phenylenvinylene)]를 사용하여 ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/AI 구조를 갖는 고분자 유기 발광다이오드 (polymer light emitting diode: PLED)를 제작하였다. PLED 제작시 MEH-PPV 의 농도를 ($0.1\;wt\%\;{\~}\;0.9\;wt\%$) 변수로 하여 박막의 표면 거칠기와 박막 층의 마찰재수(friction coefficient) 측정을 통하여 농도에 따른 특성 변화를 조사하였다. MEH-PP 의 농도를 $0.1\;wt\%$ 에서 $0.9\;wt\%$ 로 증가함에 따라 발광 층의 RMS (root mean square)같은 1.72 nm 에서 1.00 nm 로 감소하여 거칠기가 개선되는 경향을 보여 주었다. 그러나 박막간의 마찰계수는 0.048 에서 0.035 로 감소하여 박막간의 접합상태가 나빠지는 현상을 나타내었다. 소자의 전기, 광학적 특성의 경우 MEH-PPV 농도가 $0.5\;{\~}\;0.9\;wt\%$ 범위에서 약 0.35 mA (at 9V)의 전류밀도를 나타내었으며, 최대 휘도는 $0.5\;wt\%$ 농도에서 $409\;cd/m^2$의 값을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.65-65
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• 2015

In this talk, I will introduce two topics. The first topic is the polymer light emitting diodes (PLEDs) using graphene oxide quantum dots as emissive center. More specifically, the energy transfer mechanism as well as the origin of white electroluminescence in the PLED were investigated. The second topic is the facile synthesis of eco-friendly III-V colloidal quantum dots and their application to light emitting diodes. Polymer (organic) light emitting diodes (PLEDs) using quantum dots (QDs) as emissive materials have received much attention as promising components for next-generation displays. Despite their outstanding properties, toxic and hazardous nature of QDs is a serious impediment to their use in future eco-friendly opto-electronic device applications. Owing to the desires to develop new types of nanomaterial without health and environmental effects but with strong opto-electrical properties similar to QDs, graphene quantum dots (GQDs) have attracted great interest as promising luminophores. However, the origin of electroluminescence (EL) from GQDs incorporated PLEDs is unclear. Herein, we synthesized graphene oxide quantum dots (GOQDs) using a modified hydrothermal deoxidization method and characterized the PLED performance using GOQDs blended poly(N-vinyl carbazole) (PVK) as emissive layer. Simple device structure was used to reveal the origin of EL by excluding the contribution of and contamination from other layers. The energy transfer and interaction between the PVK host and GOQDs guest were investigated using steady-state PL, time-correlated single photon counting (TCSPC) and density functional theory (DFT) calculations. Experiments revealed that white EL emission from the PLED originated from the hybridized GOQD-PVK complex emission with the contributions from the individual GOQDs and PVK emissions. (Sci Rep., 5, 11032, 2015). New III-V colloidal quantum dots (CQDs) were synthesized using the hot-injection method and the QD-light emitting diodes (QLEDs) using these CQDs as emissive layer were demonstrated for the first time. The band gaps of the III-V CQDs were varied by varying the metal fraction and by particle size control. The X-ray absorption fine structure (XAFS) results show that the crystal states of the III-V CQDs consist of multi-phase states; multi-peak photoluminescence (PL) resulted from these multi-phase states. Inverted structured QLED shows green EL emission and a maximum luminance of ~45 cd/m2. This result shows that III-V CQDs can be a good substitute for conventional cadmium-containing CQDs in various opto-electronic applications, e.g., eco-friendly displays. (Un-published results).