• Journal of Life Science
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• v.12 no.6
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• pp.752-758
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• 2002

This study was investigated on properties and thermostability of gelatin-degrading proteinases in the fruit of Actinidia chinensis (kiwifruit) for the industrial application. Three gelatin-degrading proteinases (PI, PII and PIII) were detected from the pulp of fruits. The molecular weights of these proteinases, PI, PII and PIII, were approximately 220 kD, 51 kD, and 26 kD respectively, on the basis of gelatin-containing SDS-PACE. The optimum pH of these proteinases ranged from 2.0 to 5.0 with a maximal activity at pH 4.0. These proteinases had a high sensitivity to E-64 and iodoacetate which are cysteine protease inhibitors, and required DTT, cysteine, and $\beta$-mercaptoethanol for their activities which are stimulators for cysteine proteases. These results indicate that these proteinases are cysteine proteinases and the proteinase PIII is actinidin (EC 3.4.22.14), based on the molecular weight and/or susceptibility against proteinase inhibitors. These proteinases were strongly activated by $Ca^{2+}$, $Mg^{2+}$ and $Mn^{2+}$, whereas strongly inhibited by Zn$^{2＋}$ and Hg$^{2＋}$. However, these proteinases have slightly different susceptibility against other cations ($Ca^{2+}$, $Cu^{2+}$, $Al^{3+}$, $Ca^{3+}$. The temperature stability of proteinase PIII was more stable than proteinases PI and PII. Moreover, proteinase PIII remained stable below $50^{\circ}C$ for 48hr, showing the residual activity above 75% of the enzyme activity.

• Proceedings of the Plant Resources Society of Korea Conference
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• 2003.04a
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• pp.142-142
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• 2003

본 연구에서는 kiwifruit 과육 속에 들어 있는 단백질분해효소의 gelatin분해활성을 조사하고 그 산업적 방안을 검토하였다. Kiwifruit 과육에서 3개의 단백질분해효소의 활성 밴드(PI, PII, PIII)가 관찰되었다. 단백질분해효소 PI은 220 kD, PII는 51 kD, PIII는 26 kD에 해당하는 것으로 추정할 수 있었다. 이들 단백질분해효소 PI, PII, PIII는 모두 pH 2.0~5.0 범위에서 높은 활성을 보였으며 pH 4.0에서 가장 높게 나타났다. 이들 단백질분해효소 PI, PII, PIII는 모두 cysteine proteinase 저해제인 E-64와 iodoacetate에 의해서 저해되었으며, cysteine proteinase를 촉진하는 DTT, cysteine 및 $\beta$-mercaptoethanol에 의해서 활성이 증가하였다. 그 중 단백질분해효소 PIII는 분자량과 효소의 특성으로 보아 actinidin (EC 3.4.22.14)과 동일한 것으로 판단되었다. 단백질분해효소 PI, PII, PIII는 모두 $Ca^{2+}$, $Mg^{2+}$과 $Mn^{2+}$에 의해 촉진되었으며, $Zn^{2+}$과 Hg$^{2+}$에 의해 완전히 저해되는 것으로 나타났다. 하지만, Co$^{2+}$, Cu$^{2+}$, $Al^{3+}$ , Fe$^{3+}$ 등 금속이온의 영향은 다소 다르게 나타났다. Kiwifruit 과육의 단백질분해효소 PI, PII, PIII 중에서 PI과 PII는 온도가 증가함에 따라 활성이 점차 낮아졌으나 PIII는 비교적 안정한 것으로 조사되었다. 특히, PIII는 5$0^{\circ}C$ 이내의 범위에서 48시간 경과시에도 75% 이상의 활성을 보여 이 범위의 온도에서는 상당 시간 동안 안정한 것으로 나타났다. 단백질분해효소의 산업적 가치를 고려해 볼 때 우선적으로 넓은 기질특이성과 열안정성이 높아야 한다. Kiwifruit에서 추출한 단백질분해효소는 4$0^{\circ}C$ 전후에서 최대의 활성을 보이고, 고온에서도 상당 시간 비교적 안정한 특성을 보여 식품제조, 식육연화 등 식품산업 분야에서의 활용가능성이 높을 것으로 보이며, 나아가 단백질이 갖는 식품학적 기능성을 높이는 데에도 사용할 수 있을 것으로 판단된다.

• Archives of Pharmacal Research
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• v.26 no.12
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• pp.1029-1035
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• 2003

Osteoporosis is recognized as one of the major hormonal deficiency diseases, especially in menopausal women and the elderly. When estrogen is reduced in the body, local factors such as IL-1 $\beta$ and IL-6, which are known to be related with bone resorption, are increased and promote osteoclastogenesis, which is responsible for bone resorption. In the present study, we investigated whether glucosidic isoflavones (Isocal, PIII) extracted from Sophorae fructus affect the proliferation of osteoblasts and prevent osteoclastogenesis in vitro by attenuating upstream cytokines such as IL-1$\beta$ and IL-6 in a human osteoblastic cell line (MG-63) and in a primary osteoblastic culture from SD rat femurs. Interestingly, IL-1$\beta$ and IL-6 mRNA were significantly suppressed in osteoblast-like cells treated with 17$\beta$-estradiol (E2) and PIII when compared to positive control (SDB), and this suppression was more effective at $10^{-8}$% than at the highest concentration of $10^{-4}$%. In addition, these were confirmed in protein levels using ELISA assay. In the cell line, the cells showed that E2 was the most effective in osteoblastic proliferation over the whole range of concentration ($10^{-4}%-10^{-12}$%), even though PIII also showed the second greatest effectiveness at $10^{-8}$%. Nitric oxide (NO) was significantly (p<0.05) upregulated in PIII and E2 over the concentration range $10^{-6}% to 10^{-8}$% when compared to SDB, without showing any dose dependency. In bone marrow primary culture, we found by TRAP assay that PIII effectively suppressed osteoclastogenesis next to E2 in comparison with SDB and culture media (control). In conclusion, these results suggest that local bone-resorbing cytokines can be regulated by PIII at lower concentrations and that, therefore, PIII may preferentially induce anti-osteoporosis response by attenuating osteoclastic differentiation and by upregulating NO.

• Journal of the Korean Society for Heat Treatment
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• v.18 no.6
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• pp.369-374
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• 2005

Nitrogen ion implantation in Nimonic 80A using plasma immersion ion implantation (PIII) was investigated at a pulse voltage of -60 kV and ion dose of $3{\times}10^{17}{\sharp}/cm^2$, $6{\times}10^{17}{\sharp}/cm^2$, $12{\times}10^{17}{\sharp}/cm^2$. PIII is an effective technology to improve the surface hardness and wear resistance of materials. And also this technology is not limited by the shape and size of materials. PIII would be a promising technique in the future. Surface hardness and wear resistance of the $N^+$ ion implanted Nimonic 80A were increased with the increase in the incident ion dose. The surface hardness of the untreated Nimonic 80A is 420 Hv, the hardness of implanted Nimonic 80A is 1050 Hv at $N^+$ ion dose of $12{\times}10^{17}{\sharp}/cm^2$. The wear loss of the untreated is 82.5 mg, the wear loss of the implanted is 0.004g at $N^+$ ion dose of $12{\times}10^{17}{\sharp}/cm^2$. The $Cr_2N$ is detected on the surface of the implanted Nimonic 80A by XRD analysis.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.155.2-155.2
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• 2013

Strain-relaxed SiGe layer on Si substrate has numerous potential applications for electronic and opto- electronic devices. SiGe layer must have a high degree of strain relaxation and a low dislocation density. Conventionally, strain-relaxed SiGe on Si has been manufactured using compositionally graded buffers, in which very thick SiGe buffers of several micrometers are grown on a Si substrate with Ge composition increasing from the Si substrate to the surface. In this study, a new plasma process, i.e., the combination of PIII&D and HiPIMS, was adopted to implant Ge ions into Si wafer for direct formation of SiGe layer on Si substrate. Due to the high peak power density applied the Ge sputtering target during HiPIMS operation, a large fraction of sputtered Ge atoms is ionized. If the negative high voltage pulse applied to the sample stage in PIII&D system is synchronized with the pulsed Ge plasma, the ion implantation of Ge ions can be successfully accomplished. The PIII&D system for Ge ion implantation on Si (100) substrate was equipped with 3'-magnetron sputtering guns with Ge and Si target, which were operated with a HiPIMS pulsed-DC power supply. The sample stage with Si substrate was pulse-biased using a separate hard-tube pulser. During the implantation operation, HiPIMS pulse and substrate's negative bias pulse were synchronized at the same frequency of 50 Hz. The pulse voltage applied to the Ge sputtering target was -1200 V and the pulse width was 80 usec. While operating the Ge sputtering gun in HiPIMS mode, a pulse bias of -50 kV was applied to the Si substrate. The pulse width was 50 usec with a 30 usec delay time with respect to the HiPIMS pulse. Ge ion implantation process was performed for 30 min. to achieve approximately 20 % of Ge concentration in Si substrate. Right after Ge ion implantation, ~50 nm thick Si capping layer was deposited to prevent oxidation during subsequent RTA process at $1000^{\circ}C$ in N2 environment. The Ge-implanted Si samples were analyzed using Auger electron spectroscopy, High-resolution X-ray diffractometer, Raman spectroscopy, and Transmission electron microscopy to investigate the depth distribution, the degree of strain relaxation, and the crystalline structure, respectively. The analysis results showed that a strain-relaxed SiGe layer of ~100 nm thickness could be effectively formed on Si substrate by direct Ge ion implantation using the newly-developed PIII&D process for non-gaseous elements.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.286-286
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• 2011

최근 폴리머를 기판으로 하는 Flexible TFT (thin film transistor)나 3D-ULSI (three dimensional ultra large-scale integrated circuit)에서 높은 에너지 소비효율과, 빠른 반응 속도를 실현 시키기 위해 낮은 비저항(resistivity)을 가지며, 높은 홀 속도(carrier hall mobility)를 가지는 다결정 반도체 박막(poly-crystalline thin film)을 만들고자 하고 있다. 이를 실현 시키기 위해서는 높은 온도에서 장시간의 열처리가 필요하며, 이는 폴리머 기판의 문제점을 야기시킬 뿐 아니라 공정시간이 길다는 단점이 있었다. 이에 반도체 박막의 재결정화 온도를 낮춰주는 metal (Al, Ni, Co, Cu, Ag, Pd etc.,)을 이용하여 결정화 시키는 방법이 많이 연구 되어지고 있지만, 이 또한 재결정화가 이루어진 반도체 박막 안에 잔여 금속(residual metal)이 존재하게 되어 비저항을 높이고, 홀 속도를 감소시키는 단점이 있다. 이에 본 실험은 HiPIMS (High power impulse magnetron sputtering)와 PIII and D (plasma immersion ion implantation and deposition) 공정을 복합시킨 프로세스로 적은양의 금속이온주입을 통하여 재결정화 온도를 낮췄을 뿐 아니라, 잔여 하는 금속의 양도 매우 적은 다결정 반도체 박막을 만들 수 있었다. 분석 장비로는 박막의 결정화도를 측정하기 위해 GAXRD (glancing angle X-ray diffractometer)를 사용하였고, 잔여 하는 금속의 양과 화학적 결합 상태를 알아보기 위해 XPS를 통해 분석을 하였다. 마지막으로 홀 속도와 비저항을 측정하기 위해 Hall measurement와 Four-point prove를 사용하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.144-144
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• 2012

최근 폴리머를 기판으로 하는 고속 Flexible TFT (Thin film transistor)나 고효율의 박막 태양전지(Thin film solar cell)를 실현시키기 위해 낮은 비저항(resistivity)을 가지며, 높은 홀 속도(carrier hall mobility)와 긴 이동거리를 가지는 다결정 반도체 박막(poly-crystalline semiconductor thin film)을 만들고자 하고 있다. 지금까지 다결정 박막 반도체를 만들기 위해서는 비교적 높은 온도에서 장시간의 열처리가 필요했으며, 이는 폴리머 기판의 문제점을 야기시킬 뿐 아니라 공정시간이 길다는 단점이 있었다. 이에 반도체 박막의 재결정화 온도를 낮추어 주는 metal (Al, Ni, Co, Cu, Ag, Pd, etc.)을 이용하여 결정화시키는 방법(MIC)이 많이 연구되어지고 있지만, 이 또한 재결정화가 이루어진 반도체 박막 안에 잔류 금속(residual metal)이 존재하게 되어 비저항을 높이고, 홀 속도와 이동거리를 감소시키는 단점이 있다. 이에 본 실험은, 종래의 MIC 결정화 방법에서 이용되어진 금속 증착막을 이용하는 대신, HIPIMS (High power impulse magnetron sputtering)와 PIII&D (Plasma immersion ion implantation and deposition) 공정을 복합시킨 방법으로 적은 양의 알루미늄을 이온주입함으로써 재결정화 온도를 낮추었을 뿐 아니라, 잔류하는 금속의 양도 매우 적은 다결정 반도체 박막을 만들 수 있었다. 분석 장비로는 박막의 결정화도를 측정하기 위해 GIXRD (Glazing incident x-ray diffraction analysis)와 Raman 분광분석법을 사용하였고, 잔류하는 금속의 양과 화학적 결합 상태를 알아보기 위해 XPS (X-ray photoelectron spectroscopy)를 통한 분석을 하였다. 또한, 표면 상태와 막의 성장 상태를 확인하기 위하여 HRTEM(High resolution transmission electron microscopy)를 통하여 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.153-153
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• 2011

유리나 폴리머를 기판으로 하는 TFT(Thin film transistor), solar cell에서는 낮은 공정 온도에서($200{\sim}500^{\circ}C$) amorphous semiconductor thin film을 poly-crystal semiconductor thin film으로 결정화 시키는 기술이 매우 중요하게 대두 되고 있다. Ge은 Si에 비해 높은 carrier mobility와 낮은 녹는점을 가지므로, 비 저항이 낮을 뿐만 아니라 더 낮은 온도에서 결정화 할 수 있다. 하지만 일반적으로 쓰이는 Ge의 결정화 방법은 비교적 높은 열처리 온도를 필요로 하거나, 결정화된 원소에 남아있는 metal이 불순물 역할을 한다는 문제점, 그리고 불균일한 결정크기를 만든다는 단점이 있었다. 그 중에서도 현재 가장 많이 쓰이고 있는 MIC, MILC는 metal과 a-Ge이 접촉되는 interface나, grain boundary diffusion에 의해 핵 생성이 일어나고, 결정이 성장하는 메커니즘을 가지고 있으므로 단순 증착과 열처리 만으로는 앞서 말한 단점을 극복하는데 한계를 가지고 있다. 이에 PIII&D 장비를 이용하면, 이온 주입된 원소들이 모재와 반응 할 수 있는 표면적이 커짐으로 핵 생성을 조절 할 수 있을 뿐만 아니라, 이온 주입 시 발생하는 self annealing effect로 결정 크기까지도 조절할 수 있다. 또한 이러한 모든 process가 한 진공 장비 내에서 이루어지므로 장비의 단순화와, 공정간 단계별로 발생하는 불순물과 표면산화를 막을 수 있으므로 절연체 위에 저항이 낮고, hall mobility가 높은 poly-crystalline Ge thin film을 만들 수 있다. 본 연구에서는, 주로 핵 생성과정에서 seed를 만드는 이온주입 조건과, 결정 성장이 일어나는 증착 조건에 따라서 Ge의 결정방향과 크기가 많은 차이를 보이는데, 이는 HR-XRD(High resolution X-ray Diffractometer)와 Raman spectroscopy를 이용하여 측정 하였으며, SEM과 AFM으로 결정의 크기와 표면 거칠기를 측정하였다. 또한 Hall effect measurement를 통해 poly-crystalline thin film 의 저항과 hall mobility를 측정하였다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.2 no.1
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• pp.1-5
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• 2003

Plasma generator based on non-self-sustained low-pressure arc discharge has been examined as a tool for deposition of highly-adhesive hydrogenated amorphous diamond-like carbon(DLC) films. Since the discharge is stable in wide range of gas pressures and currents, this plasma source makes possible to realize both plasma-immersion ion implantation(PIII) and plasma-immersion ion deposition(PIID) in a unified vacuum cycle. The plasma parameters were measured as functions of discharge current. Discharge and substrate bias voltage parameters have been determined for the PIII and PIID modes. For PIID it has been demonstrated that hard and well-adherent DLC coating are produced at 200-500 eV energies per deposited carbon atom. The growth rates of DLC films in this case are about 200-300 nm/h. It was also shown that short(∼60$\mu\textrm{s}$) high-voltage(> 1kV) substrate bias pulses are the most favorable for achieving high hardness and good adhesion of DLC, as well as for reducing of residual intrinsic stress are.

• Parasites, Hosts and Diseases
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• v.26 no.2
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• pp.113-116
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• 1988

The pattern of sensory papillae, chaetotaxy, of the cercaria of Clenorchis sinensis was observed, The chaetotaxy was as follows; 5~6 Ci 1, 4~5 Ci 2, 5, ~6 Ci3 at 1st row, 4 Cii 1, 2 Cii2, 4 Cii3, 5~6 Cii4 at 2nd row, 3~4 Ciii 1, 2~3 Ciii 2 at 3rd row, and 2 Civl, 2~3civ2, 2~3 Civ 3, at 4th row, in cephalic region; 2 AiV, 1 AiD, 2 AiiV, 1 AiiD, 2 Aiiiv, 2 AiiiD, 1 AivV, 1 AivD, 1 PiiD, 1 PiiiD, in ventral(V) and dorsal(D) portions of body. Caudal region revealed 2-2-2-2 formula.