Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.6
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pp.456-461
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2012
We studied the emission characteristics of white phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs), which were fabricated using a two-wavelength method. To optimize emission characteristics of white PHOLEDs, white PHOLEDs with red/blue, blue/red and red/blue/red emitting layer (EML) structures were fabricated using a host-dopant system. In case of white PHOLEDs with red/blue structure, the best efficiency was obtained at a structure of red (15 nm)/blue (15 nm). But the emission color was blue-shifted white. In case of white PHOLEDs with blue/red structure, the better color purity and efficiency were observed at a blue (29 nm)/red (1 nm) structure. For additional improvement of color purity in white PHOLEDs with blue (29 nm)/red (1 nm) EMLs, we fabricated white PHOLEDs with red (1 nm)/blue (28 nm)/red (1 nm) structure. The current efficiency, external quantum efficiency, and CIE (x, y) coordinate were 27.2 cd/A, 15.1%, and (0.382, 0.369) at 1,000 $cd/m^2$, respectively.
We synthesized a spirobenzofluorene type phosphine oxide (SPPO2) as a new triplet host and an universal electron transport material for phosphorescent organic light-emitting diodes(PHOLEDs). Red PHOLEDs with the SPPO2 host material showed a high quantum efficiency of 14.3 % with a current efficiency of 20.4 cd/A. In addition, the SPPO2 could be applied as an electron transport material which can be matched with any host material due to the lowest unoccupied molecular orbital of 2.4 eV. Electron injection from a cathode to the SPPO2 electron transport layer was better than common electron transport materials. In particular, the SPPO2 was effective as the electron transport material in blue PHOLEDs and the quantum efficiency was more than doubled and driving voltage was lowered by more than 3 V using the SPPO2 instead of common electron transport material.
Highly efficient red and green phosphorescent devices comprising a simple bilayer structure are reported. The driving voltage to reach $1000\;cd/m^2$ is 4.5 V in $Bebq_2:\;Ir(piq)_3$ red phosphorescent device. Current and power efficiency values of 9.66 cd/A and 6.90 lm/W in this bi-layered simple structure PHOLEDs are obtained, respectively. While in $Bepp_2:Ir(ppy)_3$ green phosphorescent device, the operating voltage value of 3.3V and current and power efficiencies of 37.89 cd/A and 35.02 lm/W to obtain a luminance of $1000\;cd/m^2$ are noticed, respectively.
We report extremely low doping technology in phosphorescent organic light emitting diodes(PHOLEDs). Highly efficient red PHOLEDs with excellent energy transfer characteristics even under 1 % doping condition have been demonstrated. Results reveal efficient host-dopant system to realize highly efficient PHOLEDs and useful cost saving way by reduction of expensive Ir complex dopants.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.11
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pp.910-915
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2012
We studied the emission characteristics of white phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs), which were fabricated using a two-wavelength method. The best blue emitting OLED and red emitting OLED characteristics were obtained at a concentration of 12 vol.% FIrpic and 1 vol.% $Bt_2Ir$(acac) in UGH3, respectively. And the optimum thickness of the total emitting layer was 25 nm. To optimize emission characteristics of white PHOLEDs, white PHOLEDs with red/blue/red, blue/red, red/blue and co-doping emitting layer structures were fabricated using a host-dopant system. In case of white PHOLEDs with co-doping structure, the best efficiency was obtained at a structure UGH3: 12 vol. % FIrpic: 1 vol.% $Bt_2Ir$(acac) (25 nm). The maximum brightness, current efficiency, power efficiency, external quantum efficiency, and CIE (x, y) coordinate were 13,430 $cd/m^2$, 40.5 cd/A, 25.3 lm/W, 17 % and (0.49, 0.47) at 1,000 $cd/m^2$, respectively.
Highly efficient blue and white phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs) with an exciton-confining structure were investigated in this study. Effective charge confinement was achieved by stacking two emitting layers with different charge-transporting properties, and blue PHOLEDs with a maximum luminance efficiency of 47.9 lm/W were developed by using iridium(III) bis(4,6-(difluorophenyl) pyridinato-N,C2')picolinate (FIrpic) as an electrophosphorescent dopant. Moreover, when the optimized green and red emitting layers were sandwiched between the two stacked blue emitting layers, white PHOLEDs (WOLEDs) with peak external and luminance efficiencies of 19.0% coupling technique.and 54.0 lm/W, respectively, were obtained without the use of any out-coupling technique.
We studied the emission characteristics of white phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs), which were fabricated using a two-wavelength method. To optimize emission characteristics of white PHOLEDs, white PHOLEDs with co-doping and blue/co-doping emitting layer (EML) structures were fabricated using a host-dopant system. The total thickness of light-emitting layer was 25 nm and the dopant of blue and red was FIrpic and $Bt_2Ir(acac)$ in UGH3, respectively. In case of co-doping structure, applying micro lens array film showed efficiency improvement from the current efficiency 78.5 cd/A and power efficiency 40.4 lm/W to the current efficiency 131.1 cd/A and power efficiency 65 lm/W and blue / co-doping structure showed efficiency improvement from the current efficiency 43.8 cd/A and power efficiency 22 lm/W to the current efficiency 69 cd/A and power efficiency 32 lm/W.
Adamovich, Vadim;Kwong, Raymond C.;Weaver, Michael S.;Hack, Mike;Brown, Julie J.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2004.08a
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pp.272-276
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2004
Great strides in organic light emitting device (OLED) technology have resulted in a number of commercial products. To continue this growth into large area displays, for example televisions, an understanding of the mechanisms that drive the OLED device efficiency and lifetime performance is critical. In this work, we consider maximizing the efficiency lifetime product based on phosphorescent OLED ($PHOLED^{TM}$) technology. We report green PHOLEDs with luminous efficiency of 82 cd/A, 5.7 V and 10,000 hours lifetime at 1,000 cd/$m^2$,red PHOLEDs with CIE of (0.67,0.33), 11 cd/A and 35,000 hours lifetime at 500 cd/$m^2$ and recent progress in blue demonstrating efficiencies of 18 cd/A at 200 cd/$m^2$.
Kim, Sun-Young;Park, Tae-Jin;Jeon, Woo-Sik;Kim, Jong-Sil;Pode, Rachamdra;Jang, Jin;Kwon, Jang-Hyuk
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2008.10a
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pp.30-33
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2008
Using a $Ir(ppy)_3$ doped in hole and electron transport host materials, simple three layers green PHOLEDs comprising double emissive layers have been fabricated. A low driving voltage value of 3.3 V to reach a luminance of $1000\;cd/m^2$ and maximum current- and power-efficiency values of 53.9 cd/A and 57.8 lm/W are demonstrated in this simple structure phosphorescent OLED.
Highly efficient red phosphorescent OLEDs (PHOLEDs) with a simple, organic, triple-layer structure was developed using the narrow-bandgap fluorescent host material bis(10-hydroxybenzo[h] quinolinato)beryllium complex (Bebq2) and the deep-red dopant tris(1-phenylisoquinoline)iridium (Ir(piq)3). The maximum current and power efficiency values of 12.71 cd/A and 16.02 lm/W, respectively, with an extremely low doping technology of 1%, are demonstrated herein. The results reveal a practical, cost-saving host dopant system for the fabrication of highly efficient PHOLEDs involving the simple structure presented herein, with a reduction of expensive Ir dopants.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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