• 접착 및 계면
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• 제3권3호
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• pp.22-29
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• 2002

하층에 유 무기 전도성 물질을 코팅하고 상층은 다관능성 아크릴레이트를 코팅한 다층코팅의 자외선 경화형 시스템을 도입하였다. 이러한 다층코팅은 투명한 PMMA, PC, PET 등의 기재 위에 wet and wet 방식의 코팅 방법을 사용하여 제조하였다. 도막의 표면저항과 물성은 상층 두께의 변화와 상대 습도를 다르게 하여 측정하였다. 상층두께가 $10{\mu}m$ 이하일 때 $10^8{\sim}10^{10}{\Omega}/cm^2$의 표면저항을 나타냈으며 표면 물성은 단층코팅에 비해서 다층코팅이 더 우수하게 나타났다. 그리고 다층코팅에서의 도판트 이동효과는 접촉각과 FT-IR/ATR을 통해 관찰하였다. 하층이 무기 전도성 물질인 경우에는 관찰되지 않는 도판트(DBSA)의 필름-기재 계면에서 필름-공기 계면 쪽으로 이행되는 거동이 유기전도성 물질인 경우에는 관찰되었다.

• 접착 및 계면
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• 제3권4호
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• pp.10-18
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• 2002

오늘날 플라스틱은 많은 분야에서 매우 중요한 역할을 하고 있으며, 플라스틱의 표면개질을 통해 경도, 마모, 내화학성과 같은 성질을 개선하여 성능을 향상시킬 수 있다. 본 연구의 목적은 polycarbonate, polymethylmethacrylate, acrylonitrilebutadienestyrene과 같은 플라스틱에 적용되는 기능성 하드코팅제를 개발하기 위한 것이다. 하드코팅제를 개발하기 위하여 먼저 실리콘아크릴레이트 올리고머(SAOE)를 합성하고, 이를 함유한 코팅필름을 PC 기재로 하였으며, 도막은 자외선경화에 의하였다. 실험의 결과에 의하면, SAOE를 함유하고 있는 도막의 물성이 SAOE를 함유하고 있지 않은 도막의 물성에 비해서 크게 향상되었다. 특히 코팅 조성물내에 1wt%의 SAOE가 함유되었을 때, 이로부터 얻어진 도막의 경도나 광택이 가장 우수함을 나타내었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제7권5호
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• pp.395-399
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• 1986

Intramolecular proton transfer equilibria of acetamide and methyl carbamate have been studied theoretically by MNDO MO method. For both substrates, carbonyl-O protonated tautomer was found to be the most stable form, the next most stable one being N-protonated form. Gas phase proton transfers take place by the 1,3-proton rearrangement process and in all cases have prohibitively high activation barriers. When however one solvate water molecule participates in the process, the barriers are lowered substantially and the process proceeds in an intermolecular manner through the intermediacy of the water molecule via a triple-well type potential energy surface; three wells correspond to reactant(RC), intermediate(IC) and product complex(PC) of proton donor-acceptor pairs whereas two transition states(TS) have proton-bridge structure. General scheme of the process can be represented for a substrate with two basic centers(heteroatoms) of A and B as, $$ABH\limits^+\;+\;H_2O\;{\to}\;ABH\limits^+{\cdots}{\limits_{RC}}OH_2\;{\to}\;AB{\cdots}H\limits_{TS}^+{\cdots}{\limits_{1}}OH_2\;{\to}\;AB{\cdots}{\limits_{IC}}H\limits^+OH_2\;{\to}\;BA{\cdots}H\limits_{TS}^+{\cdots}{\limits_{2}}OH_2\;{\to}\;BA H\limits^+{\cdots}{\limits_{PC}}OH_2\;{\to}\;BAH\limits^+\;+\;H_2O$$ Involvement of a second solvate water had negligible effect on the relative stabilities of the tautomers but lowered barrier heights by 5∼6 Kcal/mol. It was calculated that the abundance of the methoxy-O protonated tautomer of the methyl carbamate will be negligible, since the tautomer is unfavorable thermodynamically as well as kinetically. Fully optimized stationary points are reported.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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• pp.39.2-39.2
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• 2010

In this work we have investigated electrical and optical properties of interface for ITO/Si with shallow doped emitter. The ITO is prepared by DC magnetron sputter on p-type monocrystalline silicon substrate. As an experimental result, The transmittance at 640nm spectra is obtained an average transmittance over 85% in the visible range of the optical spectrum. The energy bandgap of ITO at oxygen flow from 0% to 4% obtained between 3.57eV and 3.68eV (ITO : 3.75eV). The energy bandgap of ITO is depending on the thickness, sturcture and doping concentration. Because the bandgap and position of absorption edge for degenerated semiconductor oxide are determined by two competing mechanism; i) bandgap narrowing due to electron-electron and electron-impurity effects on the valance and conduction bands (> 3.38eV), ii) bandgap widening by the Burstein-Moss effect, a blocking of the lowest states of the conduction band by excess electrons( < 4.15eV). The resistivity of ITO layer obtained about $6{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ at 4% of oxygen flow. In case of decrease resistivity of ITO, the carrier concentration and carrier mobility of ITO film will be increased. The contact resistance of ITO/Si with shallow doped emitter was measured by the transmission line method(TLM). As an experimental result, the contact resistance was obtained $0.0705{\Omega}cm^2$ at 2% oxygen flow. It is formed ohmic-contact of interface ITO/Si substrate. The emitter series resistance of ITO/Si with shallow doped emitter was obtained $0.1821{\Omega}cm^2$. Therefore, As an PC1D simulation result, the fill factor of EWT solar cell obtained above 80%. The details will be presented in conference.

• 대한화학회지
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• 제50권3호
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• pp.243-246
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• 2006

박막은 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 구연산 졸을 이용하여 spin coating에 의해 제작하였다. 기판위에 코팅된 구연산 졸을 380oC에서 15분간 건조시킨 후 750oC에서 10분간 열처리하여 박막을 얻었다. 얻어진 박막은 X-선 회절분석 결과 R3m의 결정구조를 가짐을 알수 있었고, 전기화학적 특성의 측정결과 1차 방전용량은 0.35Ah/cm2-m로 측정되었다.

• 한국실천공학교육학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.84-90
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• 2012

화학분석 설계의 한 사례로서 디지털 기록매체 중 하나인 CD-R (Compact Disc Recordable) 기록층의 단면구조와 기록층의 주요성분인 염료의 구성성분 및 화학구조를 분석하기 위해 분석계획을 수립하고 분석을 수행하는 전 과정을 기술하였다. 미지시료의 화학분석은 많은 경험과 지식을 요하는 복잡한 과정이기 때문에 학생들이 화학분석을 위한 설계 절차를 수립하고 분석방법의 선택이나 자료해석 등에 어려움을 겪고 있어 이해를 돕기 위한 사례로서 CD-R 개발단계에서 실제로 수행했던 한 제품분석의 전 과정을 제시하였다. 본 연구에서는 SEM을 사용하여 CD-R의 substrate (기판) 및 기록층 (Dye 층)의 단면적 구조를 확인하였다, 기록층인 염료는 적절한 용매를 이용하여 용해 수집한 후 TLC (얇은 막 크로마토그래피)를 이용해 성분별로 분리하였다. 분리된 각 성분을 UV-Vis 흡수분광법으로 흡광도를 측정하여 정량하였고, GC-MS와 NMR을 이용해 각 성분의 화학구조를 분석하고 질량분석법을 통해 최종적으로 질량을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.35-39
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• 2001

The purpose of this paper is improvement the piezoelectric of Polyvinylidene fluoride(PVDF) organic thin films is fabricated by vapor deposition method. The piezoelectric of PVDF organic thin films attributed to dipole orientation in crystalline region. Also, the piezoelectric characteristic reduced that dipole moments orientation in crystalline region interfered with impurity carriers. Therefore, PVDF organic thin films fabricated with high substrate temperature condition for crystallinity improvement. The crystallinity of PVDF organic thin films fabricated by this condition increase from 47 to 67.8%. The ion density of PVDF organic thin films fabricated by substrate temperature variation from $30^{\circ}C$ to $105^{\circ}C$ decreased from $1.62{\times}10^{16}cm^3$ to $6.75{\times}10^{11}cm^3$ when temperature and frequency were $100^{\circ}C$, 10Hz, respectively. The $d_{33}$ and piezo-voltage coefficient of PVDF organic thin films increased from 20pPC/N to 33pC/N and $162.9{\times}10^{-3}V{\cdot}m/N$ to $283.2{\times}10^{-3}V{\cdot}m/N$, respectively. For the sake of the applications of piezoelectric sensor, we analyzed the output voltage characteristic as a function of the distance between an oscillator of 28kHz and PVDF organic thin film transducer. From this, we found that the output voltage is inversely proportional to the distance. At this time, the period was about $35.798{\mu}s$ and equal the oscillator frequency.

• 한국진공학회지
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• 제7권s1호
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• pp.15-19
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• 1998

Structural and optical properties of $In_xGa_{1-X}N$ as well as $In_{0.1}Ga_{0.9}N$/GaN single quantum we11 (SQW) grown on sapphire (0001) substrate with an based GaN using rf-plasma assisted MBE have been investigated. The quality of the InXGal.,N fdm was improved as the growth temperature increased. In PL measurements at low temperatures, the band edge emission peaks of $In_xGa_{1-X}N$ was shifted to red region as an indium cell and substrate temperature increased. For $In_{0.1}Ga_{0.9}N$/GaN SQW, the optical emission energy has blue shift about 15meV in PL peak, due to the confined energy level in the well region. And, the FWHM of the $In_{0.1}Ga_{0.9}N$/GaN SQW was larger than that of the bulk Ino,la.9N films. The broadening of FWHM can be explained either as non-uniformity of Indium composition or the potential fluctuation in the well region. Photoconductivity (PC) decay measurement reveals that the optical transition lifetimes of the SQW measured gradually increased with temperatures.

• 한국해양공학회지
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• 제11권3호
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• pp.56-68
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• 1997

This work was intended to study the effect of a partial pressure ratio and a total pressure of reactive gases on the properties of TiC$_{x}$N$_{1-x}$ . coated layer. In this regard, various TiC$_{x}$N$_{1-x}$ coatings were synthesized with C2112 and N2 Mixture gas of different compositions by Arc Ion Plating process which has been highlighted for an industrial purpose. It was revealed from colors and X-ray diffraction patterns that the concentration of carbon of a TiC$_{x}$N$_{1-x}$ coating increases with a partial pressure ratio (PC$_{2}$H$_{2}$/PN$_{2}$) as well as a total pressure Of $C_{2}$H$_{2}$ and N$_{2}$ mixture gas. Accordingly, the hardness of TiC$_{x}$N$_{1-x}$ coated layer increased but the adhesion to the substrate of SKH 51 was degraded. On the other hand, the deposition rate was independent of a partial pressure ratio and a total pressure of mixture gas. It was found that a uniform gas distribution is critical for an industrial application since the composition of a coating depends strongly on the location of a substrate inside of the furnace. As a result of milling tests with different TiC$_{x}$N$_{1-x}$ coated end mills, the one which has a low carbon concentration was better than others studied in this work.d in this work.

• 미생물학회지
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• 제39권3호
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• pp.181-186
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• 2003

형광현미경을 이용한 기존의 직접생균수측정(DVC)법을 변형하여 산림토양의 각 층위에 분포하는 난배양성 토양세균의 정량적 평가를 시도하였다. 기존의 방법에서 사용된 DNA합성저해제(nalidixic acid; 100${\mu}g$/ml, pipemidic acid; 50 ${\mu}g$/ml, piromidic acid; 50 ${\mu}g$/ml)보다 5배 높은 농도를 사용한 결과 토양세균 군집의 세포분열이 배양24시간까지 분히 억제되어 기존의 DVC법보다 10배 이상 높은 계수치를 얻었다. 토양시료를 제균수로 원심 세척한 경우 DVC는 전균수(TDC)의 약 I% 미만을 나타내어 첨가된 기질의 이용능을 정확히 판정할 수 있었다. 형광현미경을 이용하여 DVC법에 의해 검출된 생균수는 전균수의 18-44%를 나타내었고, 평판법(PC)에 의해 계수된 생균수는 전균수의 1% 미만을 나타내어 DVC법이 평판법에 비해 100-2000배 이상 높은 계수치를 나타내었다. 이는 평판법으로는 배양할 수 없는 난배양성(VBNC)세균이 토양 내에 다수 존재해 있음으로 판단되었고, DVC법에 의해 난배양성 토양세균을 정량적으로 검출할 수 있는 가능성이 확인되었다. 영양기질로써 통상농도의 NB배지와 NB를 $10^{-2}$로 희석한 DNB배지를 사용하여 DVC법과 평판법에 의한 계수 결과를 비교한 결과 모든 시료에서 DNB배지에서의 생균수는 NB배지보다 5～10배 이상 높은 값을 나타내어 산림토양의 각 층위에 저영양세균(oligotrophic bacteria)이 다수 분포해 있음으로 추정되었다.