본 연구에서는 V. bombycina 자실체의 안정적인 대량생산에 기반되는 필수적인 균사체 생산을 위한 최적 배양조건을 구명하고자 하였다. V. bombycina 균사체의 효율적 배양을 위한 조건은 최적 배양온도는 30℃, pH 8.0, 탄소원 0.7% Soluble starch, 유기질소원 0.7% Soytone, 무기질소원 1.0% (NH4)2C4H4O6, 아미노산 0.1% Cysteine, 유기산은 0.07% Lactic acid, 그리고 무기염류는 7 mM CaCl2 조건이었다. 새로이 명명한 SSNA V. bombycina의 최적 배지는 추후 V. bombycina의 재배에 널리 활용될 수 있을 것으로 판단된다. 본 연구 결과에 따라 선발된 배양조건으로 흰비단털버섯의 반경을 측정한 결과 37 mm/7days로 24 mm/7days로 측정된 대조군인 PDA 배지보다 균사생육이 빨랐다(Fig. 16, 17). 흰비단털버섯의 기본적인 적정 생육환경을 조사하여 확인된 실험 데이터는 흰비단털버섯 자실체 발생을 위한 흰비단털버섯의 역할을 규명하는데 기여할 것으로 판단된다.
팽화미분 첨가량을 0, 25, 50 및 75%(w/w)로 하여 제조한 탁주의 pH, 산도, 색도, 환원당, 총당, 알코올 함량 그리고 관능 성질 변화를 조사하였다. 발효 1일에는 pH가 급격히 저하된 후 5일 까지 서서히 증가하였다. 하지만 6일 이후부터는 모든 시료의 pH가 감소하는 경향을 보였는데 팽화미분 함량이 낮을수록 빨리 감소되어 0%에서 가장 낮았다(p<0.05). 산도는 발효가 진행될수록 모든 시료에서 빨리 증가 하였고 6일 이후부터는 0%가 급격히 증가하였다(p<0.05). L값은 모든 시료에서 발효 1일에 급격히 상승하였고 발효기간이 경과함에 따라 감소하는 경향을 보였다. 동일한 발효일에는 75%에서 L값이 항상 낮았다. 하지만 적색도는 0, 3과 10일을 제외하면 75%가 항상 높았다(p<0.05). 환원당은 발효 3일까지는 급격한 감소를 보인 후 차이를 나타내지 않았다(p<0.05). 동일한 발효일에는 75%가 높은 경향을 보였다. 총당은 발효 2일에 급격히 감소하였고 동일한 시료에서는 3일 이후부터 차이가 없거나 약간 감소하였다. 발효 4일을 제외한 동일 발효일에는 75%가 다른 시료보다 높거나 같아서 환원당과 유사하였다(p<0.05). 알코올은 발효 2일까지 급격히 증가하였고 6일에 13.0-16.4%(v/v)로 가장 높은 값을 보였다. 팽화미분 첨가량이 증가할수록 알코올 함량도 항상 높았고 발효도 빨리 진행되었다(p<0.05). 관능검사는 팽화미분을 첨가하지 않은 시료와 팽화미분을 25, 50 또는 75% 첨가한 시료간의 유의적인 차이가 없었다.
한국전기전자재료학회 2006년도 영호남 합동 학술대회 및 춘계학술대회 논문집 센서 박막 기술교육
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pp.152-155
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2006
Carbon nitride ($CN_X$) films were prepared by reactive RF magnetron sputtering system at various deposition conditions and the C-V characteristics of MIS(metal - insulator - semiconductor) capacitors that have the structures of Al/$CN_x$/p-Si/Al and Al/$CN_x$/$Si_3N_4$/p-Si/Al were investigated. The resistivity of carbon nitride was above $2.40{\times}10^8{\Omega}{\cdot}cm$ at room temperature. The C-V plot showed a typical capacitance-voltage characteristics of semiconductor insulating layers, while it showed hysterisis due to interface charges. Amorphous carbon nitride (a-$CN_x$) films, that have relatively high resistivity and low dielectric constant could be useful as interlayer insulator materials of VLSI(very large-scale integration) and ULSI(ultra large-scale integration).
병든 생강으로부터 분리한 6개 Pythium 균주들은 여러 가지 형태적, 생리적 특성에서 Pythium myriotylum Drechsler로 동정되었다. 이 균들은 생강 지하부의 싹, 근경, 뿌리, 땅가줄기 뿐만 아니라 지상부 잎, 줄기 전부분에 걸쳐 병원성이 강하였다. 이 균들은 오이, 수박 등 10개 작물 혹은 잡초의 어린 묘를 부패시켰으며 보리, 옥수수 등 공시한 3개 작물 유묘의 지상부 생장이나 뿌리 생장을 현저히 억제하였다. 이 균들의 생육 최고, 최적, 최저온도는 각각 39~45$^{\circ}C$, 33~37$^{\circ}C$, 5~7$^{\circ}C$였으며 생육최적 pH는 6~7이었다. 이 균들의 균사생장은 V-8 juice 배지에서 가장 빨랐으나 기중균사량은 PDA와 옥수수전즙배지에서 가장 많았다. 유주자낭과 장난기는 V-8 juice 배지에서 가장 잘 형성되었으며 유주자낭 형성 최적온도는 균주에 따라 20~35$^{\circ}C$, 장난기 형성은 15$^{\circ}C$의 저온에서 가장 양호하였다
To enhance the hyperproductive and low energy-consuming ethanol fermentation rate, the thermotolerant yeast S. cerevisiae RA-74-2 cells were immobilized. An efficient immobilization condition was proved to be $1.5{\%}$ (w/v) alginate solution, neutral pH and 20 h activation of beads. The fermentation characteristics and stability at various temperatures were examined as compared with free S. cerevisiae RA-74-2 cells. The immobilized cells had excellent fermentation rate at the range of pH 3-7 at 30-$42^{\circ}C$ in 15-$20{\%}$ glucose media. When the seed volume was adjusted to 0.12 (v/v) (6ml bead/50 ml medium), $11{\%}$ (w/v) ethanol was produced during the first 34 hand $12.15{\%}$ (w/v) ethanol [$95{\%}$ (w/v) of theoretical yield] during the first 60 h in $25{\%}$ glucose medium. In repetitive fermentation using a 2 litre fermentor, 5.79-$7.27{\%}$ (w/v) ethanol [76-$95{\%}$ (w/v) of theoretical yield] was produced during the 40-55 h in $15{\%}$ glucose media. These data suggested the fact that alginate beads of thermotolerant S. cerevisiae RA-74-2 cells would contribute to economic and hyperproductive ethanol fermentation at high temperature.
금속산화물 고분자 복합재료전극 제조기법을 수소이온 감응성이 높은 $RuO_2$에 적용하여 표면연마가 가능한 나노 $RuO_2$ 복합재료 pH전극을 제조하였다. $RuO_2$ 함량 53 wt%을 가지는 나노 $RuO_2$ 복합재료 전극의 경우 나노 $IrO_2$ 복합재료 전극과 비슷한 수소이온 감응특성을 나타내었다. pH 1~9의 범위에서 이론치에 가까운 -58.7 mV/pH의 감응기울기, 1초 이하의 감응속도, 평균 $-57.0{\pm}0.3mV/pH$ (n=5)의 표면재생성, 장기 안정성 등 제반 특성과 전기화학적으로 활성이 높은 화학종에 의한 방해효과도 비슷하게 나타났다. 그러나 pH 10 이상의 염기성 용액에서의 감응기울기와 감응속도는 나노 $IrO_2$ 복합재료전극에 비하여 현저히 떨어지는 결과를 보였으며 이는 복합재료 매질 속의 금속산화물 함량에 따른 물리적 성질 차이에 따른 것으로 추측된다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제17권2호
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pp.113-117
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2016
Temperature dependent reverse-bias current-voltage (I-V) characteristics in Cu Schottky contacts to oxygen plasma treated n-InP were investigated. For untreated sample, current transport mechanisms at low and high temperatures were explained by thermionic emission (TE) and TE combined with barrier lowering, respectively. For plasma treated sample, experimental I-V data were explained by TE or TE combined with barrier lowering models at low and high temperatures. However, the current transport was explained by a thermionic field emission (TFE) model at intermediate temperatures. From X-ray photoemission spectroscopy (XPS) measurements, phosphorus vacancies (VP) were suggested to be generated after oxygen plasma treatment. VP possibly involves defects contributing to the current transport at intermediate temperatures. Therefore, minimizing the generation of these defects after oxygen plasma treatment is required to reduce the reverse-bias leakage current.
Polycrystaline (poly) 3C-SiC thin film on n-type and p-type Si were deposited by APCVD using HMDS, $H_2$, and Ar gas at $1180^{\circ}C$ for 3 hour. And then the schottky diode with Au/poly 3C-Sic/Si(n-type) structure was fabricated. Its threshold voltage ($V_d$), breakdown voltage, thickness of depletion layer, and doping concentration ($N_D$) value were measured as 0.84 V, over 140 V, 61nm, and $2.7{\times}10^{19}\;cm^3$, respectively. The p-n junction diode fabricated by poly 3C-SiC was obtained like characteristics of single 3C-SiC p-n junction diode. Therefore, its poly 3C-SiC thin films are suitable MEMS applications in conjuction with Si fabrication technology.
본 논문에서는 파워 클램프에 적용하기 위한 SCR 기반의 ESD 보호회로를 제안하였다. 기존 SCR 구조의 낮은 홀딩 전압에 의한 래치-업 문제를 개선하기 위해 n+ 플로팅 영역을 삽입하고 추가적인 n-웰과 p-웰까지 확장된 p+ 캐소드 영역을 통해 높은 홀딩 전압을 가질 수 있도록 고안되었다. 제안된 ESD 보호회로는 높은 홀딩 전압을 통해 정상 동작 상태에서의 래치-업 면역 특성을 확보하였으며, 우수한 ESD 보호 능력을 가진다. 제안된 ESD 보호회로는 Synopsys사의 TCAD 시뮬레이션을 통해 전기적 특성을 검증하였다. 시뮬레이션 결과, 트리거 전압은 약 27.3 V에서 최대 32.71 V 사이에서 변화하는 반면, 홀딩 전압은 4.61 V에서 최대 8.75 V까지 상승하는 것을 확인하였다. 따라서 제안된 ESD 보호회로는 트리거 전압은 기존 SCR과 비슷한 수준을 유지하면서 높은 홀딩 전압을 갖는다.
An alkalophilic microorganism capable of degrading dyes was developed for the treatment of alkaline dye solution. This strain was identified as Pseudomonas species. Using this microorganism, biological treatment of dye was studied in Erlenmeyer flasks. The characteristics of this microorganism were observed under various incubating-condition such as temperature, pH, nitrogen source, and macronutrients concentration. The removal effciencies of Disperse Red 60 from synthetic wastewater were 33.5 ~ 36.9% at the range of $30{\sim}40^{\circ}C$, and they were 31.1 ~ 36.7% at the range of initial pH 8 ~ pH 10, respectively. The optimal culture medium was found to be 0.25%(w/v) yeast extract, 0.25%(w/v) polypeptone, 0.1%(w/v) $KH_2PO_4$, 0.2%(w/v) $MgSO_4{\cdot}7H_2O$, and 1.0%(w/v) $Na_2CO_3$. In treatment of various dyes using Erlenmeyer flasks, the removal effciencies of Disperse Blue 87, Disperse Yellow 64, Disperse Red 60, Acid Blue 193, Acid Red 138, and Direct Yellow 23 were found to be 76%, 71%, 58%, 93%, 94%, and 90% respectively after 24hrs reaction of alkalophilic strain Pseudomonas sp. YBE-12.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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