Aluminum cast iron has excellent oxidation resistance, sulfurization resistance, and corrosion resistance. However, the ductility at room temperature is insufficient, and at temperatures above 600?, the strength drops sharply and practicality is limited. In the case of heat-resistant cast iron, high-temperature materials containing Cr and Ni account for 30 to 50% or more. However, these high-temperature materials are expensive. Aluminum heat-resistant cast iron is considered as a substitute for expensive heat-resistant materials. Oxidation due to the aging temperature and holding time conditions increases more in 0 wt.% Al-cast iron than in 2 and 4 wt.% Al-cast iron according to oxidized weight and gravimetric oxide layer thickness measurements. As a result of observing the cross-section of the oxide layer, it was found to contain 0 wt.% of Al-cast iron silicon oxide-containing SiO2 or Fe2SiO4 oxide film. In cast iron containing aluminum, the thickness of the internal oxide layer due to aluminum increases as the aging temperature and retention time increase, and the amount of the iron oxide layer generated on the surface decreases.
Nickel-rich lithium nickel-cobalt-manganese oxides (NCM) are viewed as promising cathode materials for lithium-ion batteries (LIBs); however, their poor cycling performance at high temperature is a critical hurdle preventing expansion of their applications. We propose the use of a functional electrolyte additive, triphenyl phosphate (TPPa), which can form an effective cathode-electrolyte interphase (CEI) layer on the surface of Ni-rich NCM cathode material by electrochemical reactions. Linear sweep voltammetry confirms that the TPPa additive is electrochemically oxidized at around 4.83 V (vs. Li/Li+) and it participates in the formation of a CEI layer on the surface of NCM811 cathode material. During high temperature cycling, TPPa greatly improves the cycling performance of NCM811 cathode material, as a cell cycled with TPPa-containing electrolyte exhibits a retention (133.7 mA h g-1) of 63.5%, while a cell cycled with standard electrolyte shows poor cycling retention (51.3%, 108.3 mA h g-1). Further systematic analyses on recovered NCM811 cathodes demonstrate the effectiveness of the TPPa-based CEI layer in the cell, as electrolyte decomposition is suppressed in the cell cycled with TPPa-containing electrolyte. This confirms that TPPa is effective at increasing the surface stability of NCM811 cathode material because the TPPa-initiated POx-based CEI layer prevents electrolyte decomposition in the cell even at high temperatures.
전기화학적으로 용량이 큰 활물질을 얻기 위한 수단으로 니들 코크스를 $NaClO_3$과 70 wt%의 $HNO_3$으로 구성된 수용액을 이용하여 산화처리를 하였다. $NaClO_3$/니들 코크스의 질량비가 7.5배인 수용액에서 산화 처리한 결과, 니들 코크스는 산화흑연 구조로 상변이가 일어나고, 또한 산소의 함유량의 증가와 함께 층간거리는 $6.9{\AA}$으로 확대되었다. 한편, 산화 니들 코크스의 전기이중층 커패시터용 분극 전극으로서의 전기화학적 특성은 acetonitrile의 용매에 각각 1.2 M의 TEABF4 (tetraethylammonium tetrafluoroborate)와 $TEABF_4$ (triethylmethylammonium tetrafluoroborate)의 전해질이 함유된 유기용액을 각각 사용하여 조사하였다. 1.2 M $TEABF_4$/acetonitrile의 전해액을 사용한 커패시터 셀은 1.2 M $TEABF_4$/acetonitrile의 전해액을 사용한 커패시터 셀에 비해 전극저항은 $0.05{\Omega}$로 낮았고, 2 전극 기준으로 0~2.5 V에서 측정한 용량 및 부피 당 용량은 32.0 F/g와 25.5 F/mL으로 높은 수치를 나타내었다. 이러한 전기화학적 거동을 천연흑연 구조에서의 층간 거리와 전해질의 양이온 크기와의 상관관계로 논의하였다.
The $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ multilayered structure for the transparent electrodes in plasma display panel was designed by essential macleod program (EMP) and the multilayered film was deposited on a glass substrate by direct-current (DC)/radio-frequency (RF) magnetron sputtering system. During film deposition process, the Ag layer in $TiO_2$/Ag/$TiO_2$ structure became oxidized and the filter characteristic was degraded easily. In this study, ZnS layer was adopted as a diffusion blocking layer between $TiO_2$ and Ag to prevent the oxidation of Ag layer efficiently in $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ structure. Based on the AES depth profiling analysis, the Ag layer was effectively protected by the ZnS layer as compared with the $TiO_2$/Ag/$TiO_2$ multilayered films without ZnS as an antioxidant layer. The 3 times stacked $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ films have low sheet resistance of $1.22{\Omega}/{\square}$ and luminous transmittance was as high as 62% in the visible ranges.
Organic solar cells (OSCs) with low cost have been studied to apply on flexible substrate by solution process in low temperature [1]. In previous researches, conventional organic solar cell was composed of metal oxide anode, buffer layer such as PEDOT:PSS, photoactive layer, and metal cathode with low work function. In this structure, indium tin oxide (ITO) and Al was generally used as metal oxide anode and metal cathode, respectively. However, they showed poor reliability, because PEDOT:PSS was sensitive to moisture and air, and the low work function metal cathode was easily oxidized to air, resulting in decreased efficiency in half per day [2]. Inverted organic solar cells (IOSCs) using high work function metal and buffer layer replacing the PEDOT:PSS have focused as a solution in conventional organic solar cell. On the contrary to conventional OSCs, ZnO and TiO2 are required to be used as a buffer layer, since the ITO in IOSC is used as cathode to collect electrons and block holes. The ZnO is expected to be excellent electron transport layer (ETL), because the ZnO has the advantages of high electron mobility, stability in air, easy fabrication at room temperature, and UV absorption. In this study, the IOSCs based on poly [N-900-hepta-decanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(40,70-di-2-thienyl-20,10,30-benzothiadiazole)] (PCDTBT) : [6,6]-phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC70BM) were fabricated with the ZnO electron-transport layer and MoO3 hole-transport layer. Thickness of the ZnO for electron-transport layer was controlled by rotation speed in spin-coating. The PCDTBT and PC70BM were mixed with a ratio of 1:2 as an active layer. As a result, the highest efficiency of 2.53% was achieved.
This research was carried out to investigated the effect of base paper and latex binder on printability and obtical properties of coated paper. Especially, it examined the effect of th pH of vase paper surface and functional groups of latices on the interactions between coating color components and on the structure of coated layer. It was found that the behavior of coating color containing amphoeric latex depends on the pH in the boundary region between coating color and base paper. Thus, the coating color formulated with amphoteric latex formed bulky coating layer by inducing stronger interaction between paper surface and coating components than the coating color with anionic latex. The coated paper with amphoteric latex showed better optical properties (i.e.gloss and optical) and printability (i.e. ink receptivity, wet ink receptivity, and ink set off) than the conventional anionic latex in the acidic and alkaline paper. However, dry pick strength of the coated paper was less decreased. This result indicated that amphoteric latex could also be applied practically to the alkaline paper.
Laser cladding processing allows rapid transfer of heat to the material being processed with minimum conduction into base metal. The effect of $CO_2$ laser cladding with high viscosity mixed powders was investigated. High viscosity mixed powder consists of bronze powder and flux that is used at a high temperature condition. The mixed powder has a high viscosity that it can be easily pasted over a curved or slope substrate. The device for mixed powder was designed and manufactured. It consists of the high viscosity mixed powder feeding system, the preheating system and the shielding gas system which prevents the clad layer from being oxidized. The results of experiment indicated that the feed rate of high viscosity mixed powder was important for later cladding with mixed powder feeding. The high viscosity mixed powder and substrate must be preheated to prevent porosity from breaking at the clad layer. The experimental result shows that the high viscosity mixed can be applied for laser cladding process.
SOI(Silicon On lnsulator) technology is many advantages in the gabrication of MOS(Metal-Oxide Semiconductor) and CMOS(Complementary MOS) structures. These include high speed, lower dynamic power consumption,greater packing density, increased radiation tolearence et al. In smiple form of bonded SOL wafer manufacturing, creation of a bonded SOI structure involves oxidizing at least one of the mirror polished silicon surfaces, cleaning the oxidized surface and the surface of the layer to which it will be bonded,bringing the two cleanded surfaces together in close physical proximity, allowing the subsequent room temperature bonding to proceed to completion, and than following this room temperature joining with some form of heat treatment step,and device wafer is thinned to the target thickness. This paper has been performed to investigate the possibility of the bonded SOI wafer manufacturing Especially, we focused on the bonding quality and thinning method. Finally,we achieved the bonded SOI wafer that Si layer thickness is below 3 .mu. m and average roughness is below 5.angs.
A study on the change of mechanical properties and oxidation behavior of Zircaloy-4 fuel cladding after exposing at 90$0^{\circ}C$ and $1000^{\circ}C$ for various periods of exposure time under the steam atmosphere was carried out. The growth of the $ZrO_2$ layer combined with an oxygen-rich-phase layer into the Zircaloy tube material can be described by an expression, E = 1.1√Dt + $2 $\times$ 10^{-4}$ . The tensile strength of Zircaloy tubes increased for a short period of exposure time and decreased rapidly with further exposure while the hoop strength was not decreased greatly. In the meantime, the axial and circumferential elongations of oxidized Zircaloy tubes were decreased drastically with increasing exposure time as a result of embrittlement phenomena.
We establish a visible light emission from porous polycrystalline silicon nano structure(PPNS). The PPNS layer are formed on heavily doped n-type Si substrate. 2um thickness of undoped polycrystalline silicon deposited using LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) anodized in a HF: ethanol(=1:1) as functions of anodizing conditions. And then a PPNS layer thermally oxidized for 1 hr at $900 ^{\circ}C$. Subsequently, thin metal Au as a top electrode deposited onto the PPNS surface by E-beam evaporator and, in order to establish ohmic contact, an thermally evaporated Al was deposited on the back side of a Si-substrate. When the top electrode biased at +6V, the electron emission observed in a PPNS which caused by field-induces electron emission through the top metal. Among the PPNSs as functions of anodization conditions, the PPNS anodized at a current density of $10mA/cm^2$ for 20 sec has a lower turn-on voltage and a higher emission current. Furthermore, the behavior of electron emission is uniformly maintained.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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