Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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v.17
no.3
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pp.233-240
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2001
The composition of volatile organic compounds (VOCs) was anlyzed for major emission sources such as vehicle exhaust, gasoline and diesel vapor, organic solvent vapor, and butane fuel gas. Low carbon-numbered hydrocarbons were found to be the dominant components of gasoline vehicle exhaust. In gasoline evaporative vapor, the predominant constituents were found to be butane and iso-pentane regardless of ambient air temperature. In case of diesel evaporative vapor was similar to those of gasoline evaporative vapor. The composition of organic solvent vapor from painting, ink and petroleum consisted mostly or aromatic compounds such as toluene and m, p, o-xylene. The hydrocarbon fraction of butane fuel gas. which is used by portable bunner, consisted mainly of propane (34%) and butane(70%).
Journal of Korean Society of Occupational and Environmental Hygiene
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v.6
no.1
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pp.125-137
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1996
This study was designed to investigate effects of relative humidity on the breakthrough of charcoal tubes at a fixed vapor concentration and sampling time during mixed organic vapor sampling. A vapor generator was used to generate three different concentrations of mixed organic vapor and a stainless steel chamber was fabricated and utilized to maintain three different percentages of relative humidity while maintaining a constant temperature. The results were as follows; 1. At high relative humidity, breakthrough of mixed organic vapor occurred quickly at low vapor concentration than at high vapor concentration because of the reduced adsorption volume of charcoal tube due to humidity. 2. Breakthrough by competitive adsorption of vapors onto charcoal tube was observed at first from n-hexane having the lowest boiling point and highest vapor pressure among the three organic vapors investigated, followed by TCE. No breakthrough was observed from toluene under all experimental conditions. 3. For n-hexane, breakthrough was observed after 2 hours of sampling and breakthrough rates were increased as relative humidity increased. For TCE, breakthrough was found after 3 hours of sampling and breakthrough rates by sampling time were increased as vapor concentration increased. 4. The adsorbed amount of mixed organic vapor at breakthrough was shown to have statistically significant correlations with sampling time, relative humidity, and vapor concentration in descending order of correlation. Relative humidity and sampling time for n-hexane and sampling time and concentration for TCE were both statistically significantly correlated. 5. Relative humidity was found to affect the amount of breakthrough of mixed organic vapor and n-hexane. Among three percentages of relative humidity investigated, the amount of breakthrough at 85 % relative humidity was significantly larger than those of at lower percentages of relative humidity. No statistically significant difference was found between 25 % and 55 % relative humidity. 6. The results of multiple regression analysis between breakthrough and relative humidity, vapor concentrations showed that the coefficient of determination of mixed organic vapor was 0.263 and those of n-hexane and TCE were 0.275 and 0.189, respectively. 7. Flow rates of sampling pumps used were found to be affected by relative humidity present. At 25 %, 55 %, and 85 % relative humidity, the relative errors of sampling pump were 1.4 %, 13.4 %, and 18.6 %, respectively. In conclusion, the results of this study showed that high relative humidity could reduce the adsorption volume of charcoal tubes and subsequently increase breakthrough rates. Therefore, to prevent breakthrough when sampling mixed organic vapors, it is suggested that either sampling volume be reduced on the flow rate be lowered so as to minimize breakthrough of the most volatile organic vapor in the mixture. In addition, since the flow rates of a sampling pump can be adversely affected by high relative humidity, it is recommended to use a constant flow mode pump when sampling in the highly humid environment.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.34
no.9
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pp.355-360
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1985
In this paper, the discharge phenomena of high frequency glow discharge in organic vapor are basically investigted to establish the growth mechanism and preparation technique for organic thin film. According to the increasing of discharge frequency, the discharge firing voltage(Vs) of organic vapor decreases. The dependence of discharge voltage(Vd) on gas pressure is generally in accord with Paschen's Law and Vd decreases as gas flow rate become larger, but increases as dischange current density become higher. And the values of Vd in organic vapor are generally higher than those of inorganic gas.
In this study, we investigated the simultaneous detection properties of organic vapor, pressure difference, and magnetic field using a single rugate-structured free-standing porous silicon (RFPS) thin film. Both the wavelength and the intensity of the rugate peaks were changed in the reflectivity spectrum measured at the thin film surface while the organic vapor was exposed to the RFPS thin film. However, when the pressure difference and the magnetic field were exposed to the film, only the rugate peak intensity was changed. Therefore, it is possible to distinguish whether or not the organic vapor is detected by simultaneously changing the rugate peak wavelength and intensity. In addition, a method of distinguishing between the pressure difference and the magnetic field detection signal has been derived by rapidly modulating the direction of the magnetic field. This study shows that it is possible to simultaneously detect and distinguish various objects using a single RFPS thin film, and it is found that porous silicon can be utilized as a sensor sufficiently.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.190-193
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2002
The processing technology of organic thin-film transistors (Ons) performances have improved fur the last decade. Gate insulator layer has generally used inorganic layer, such as silicon oxide which has properties of a low electrical conductivity and a high breakdown field. However, inorganic insulating layers, which are formed at high temperature, may affect other layers termed on a substrate through preceding processes. On the other hand, organic insulating layers, which are formed at low temperature, dose not affect pre-process. Known wet-processing methods for fabricating organic insulating layers include a spin coating, dipping and Langmuir-Blodgett film processes. In this paper, we propose the new dry-processing method of organic gate dielectric film in field-effect transistors. Vapor deposition polymerization (VDP) that is mainly used to the conducting polymers is introduced to form the gate dielectric. This method is appropriate to mass production in various end-user applications, for example, flat panel displays, because it has the advantages of shadow mask patterning and in-situ dry process with flexible low-cost large area displays. Also we fabricated four by four active pixels with all-organic thin-film transistors and phosphorescent organic light emitting devices.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.185-190
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2003
In this paper, it was demonstrated that the organic thin film transistors were fabricated by the organic gate insulators with vapor deposition polymerization (VDP) processing. In order to form polyimide as a gate insulator, vapor deposition polymerization process was also introduced instead of spin-coating process, where polyimide film was co-deposited by high-vacuum thermal evaporation from 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) and 4,4'-oxydianiline (ODA) and 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride (6FDA) and ODA, and cured at $150^{\circ}C$ for 1hr. Electrical output characteristics in our organic thin film transistors using the staggered-inverted top-contact structure obtained to the saturated slop in the saturation region and the subthreshold non-linearity in the triode region. Field effect mobility, threshold voltage, and on-off current ratio in $0.45\;{\mu}m$ thick gate dielectric layer were about $0.17\;cm^2/Vs$, -7 V, and $10^6\;A/A$, respectively. Details on the explanation of compared to organic thin-film transistors (OTFTS) electrical characteristics of ODPA-ODA and 6FDA-ODA as gate insulators by fabricated thermal co-deposition method.
Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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1996.10a
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pp.34-39
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1996
There is much recent interests in applying membrane separation technologies, especially for organic liquid and vapor separation or removing dissolved organics from water. Pervaporation separation can separate azeotropic mixtures and mixtures close to boiling point, and it has a potential for energy saving process instead of distillation. Removal of chlorinated oraganics from water is other measure application for pervaporation separation. Contaminated pollutant must be removed from water, and a pervaporation can effectively remove the pollutant. Air pollution by organic vapor recently became serious enviromncntal problem, and removing organic vapor from air is important application of the membrane technology.
Park, Il-Houng;Hyung, Gun-Woo;Choi, Hak-Bum;Kim, Jae-Hyeuk;Kim, Woo-Young;Kim, Young-Kwan
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.114-115
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2007
In this paper, it was demonstrated that organic thin-film transistors (OTFTs) were fabricated with the organic passivation layer by vapor deposition polymerization (VDP) processing, In order to form polymeric film as an passivation layer, VDP process was also introduced instead of spin-coating process, where polymeric film was co-deposited by high-vacuum thermal evaporation from 6FDA and ODA followed by curing, Field effect mobility, threshold voltage, and on-off current ratio with 450-nm-thick organic passivation layer were about $0.21\;cm^2/Vs$, IV, and $1\;{\times}\;10^5$, respectively.
Kim, Chaewon;Jo, Anjae;Kim, Heeju;Kim, Miso;Lee, Jaegab;Lee, Mi Jung
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.53
no.4
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pp.411-416
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2016
Benzothienobenzothiophene ($C_8-BTBT$) is a soluble organic small molecule material with high crystallinity resulting from its strong self-organizing properties. In addition, the high mobility and easy fabrication of $C_8-BTBT$ make it very attractive in terms of organic thin-film transistors. In this work, we made $C_8-BTBT$ thin films by using the zone-casting method; we also used an organic solvent to treat the devices with solvent vapor annealing to improve the electrical properties. As a result, we confirmed improved mobility, threshold voltage, and subthreshold swing after solvent vapor annealing. To prove the effect of solvent vapor annealing, we used the simultaneous extraction model to extract the contact resistance from the current-voltage curve. We confirmed that the electrical properties improved with decreasing contact resistance.
Journal of Institute of Control, Robotics and Systems
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v.14
no.6
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pp.515-518
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2008
Organic light emitting diode(OLED) is one of the most promising type of future flat panel display. A linear source is used to deposite organic vapor to a large size OLED substrate. An electric heater which is attached on the side of linear source heats the organic powder for the sublimation. The nozzle of heater, which is attached at the top of the linear source has an optimal temperature. An numerical analysis has been performed to find optimal heater position for the optimal nozzle temperature. A commercial CFD program, FLUENT, is used on the analysis. Two-dimensional and three-dimensional analysis have been performed. The analysis showed that the heater should be attached at the outer side of crucible wall rather than inner side of housing, which was original design. Eighteen milimeter from the top of the linear source was suggested as the optimal position of heater. Improving thermal performance of linear source not only helps the uniformity of organic vapor deposition on the substrate but also increase productibity of vapor deposition process.
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