Risk and exposure assessment for subsurface environment is very important for both aspects of health and environmental protection as well as making decision of remedial goal for engineering activities. Exposure due to hazardous chemicals in the subsurface environment is essential to assess risk lev121 to individual person, especially from soil and groundwater environmental media. In this paper, the status of soil and groundwater contamination is presented to discuss on the problem for environmental risk assessment. The methodologies of fate and exposure models are also discussed by conducting the case studies of exposure assessment for heavy metals, organic compounds, and dioxin compounds. In addition, the structure of exposure models and available data for model calculation are examined to make clear more realistic exposure scenarios and the application to the practical environmental issues. Three kinds of advanced remediation techniques for soil and groundwater contamination are described in this paper, The most practical method for VOCs is the bio-remediation technique in which biological process due to consortium of microorganisms can be applied. For more effective remediation of soil contaminated by heavy metals we have adopted the soil flushing technique and clean-up system using electro-kinetic method. We have also developed the advanced techniques of geo-melting method for soil contaminated by DXNs and PCB compounds. These techniques are planed to introduce and to apply for a lot of contaminated sites in Japan.
Sn-8wt%Zn-3wt%Bi (이하, Sn-8Zn-3Bi) 솔더의 장기 신뢰성을 평가하기 위하여 열 충격 시험을 행하였다. 열 충격 시험은 $-40^{\circ}C$에서 $80^{\circ}C$범위에서 1000 사이클 동안 하였다. 접합 기판으로는 각각 OSP(Organic Solderability Preservative), Sn 그리고 Ni/Au 처리를 한 PCB(Printed Circuit Board) 패드를 사용하였다. 접합에 사용한 부품은 1608 Chip(Multi Layer Chip Capacitor, Chip Resistor) 으로 전극 부위에 Sn-37wt%Pb, Sn 도금하여 사용하였다. 솔더링 후 1608 Chip의 전단 강도와 솔더링부에서 미세조직 및 IMC(Inter Metallic Compound) 변화를 관찰하였다. 측정결과, Sn-8Zn-3Bi 솔더의 초기 전단 강도는 기판의 표면처리에 상관없이 약 40N 이상이었다. 그리고 열충격 시험 1000 사이클 후에는 모든 기판에서 2N 정도 약간의 강도 저하를 보였다.
물은 초임계 상태($T{\geq}374^{\circ}C$, $p{\geq}221$ atm)에서 비극성 유기오염물질에 대해 좋은 용매로 작용 하지만 부식성이 강하게 나타난다. Subcritical water extraction (이하 SWE)은 토양이나 저니토에 흡착되어 있는 비극성 유기오염물을 신속하고 효율적으로 추출할 수 있다. Subcritical 조건 하에 있는 물은 다양한 비극성 유기물들을 추출할 수 있다. SWE를 이용하면 토양이나 저니토로부터 수 분 이내에 PCBs를 완전히 제거할 수 있으며, 50 atm, $260^{\circ}C$의 subcritical 상태에 있는 물을 추출에 이용한다.
본 연구는 공단지역 주민들의 환경오염물질에 의한 건강피해를 예방하기 위한 기초연구의 일환으로 수행되었다. 이를 위하여 공단지역 및 대조지역에 대한 토양 중의 환경오염물질과 다환방향족탄화수소화합물(PAHs)의 농도수준 및 분포특성을 조사하였다. 시료채취는 공단지역과 대조지역의 토양을 대상으로 실시하였으며, 토양 중의 중금속, VOCs(휘발성 유기화합물), PAHs 및 PCB(폴리클로리 네이티드비페닐) 등 토양오염물질 농도를 분석하였다. 직접노출군에 속하는 가까운 거리의 송도동, 해도동, 제철동 등은 거리가 먼 장기면에 비하여 비교적 높은 농도를 나타났다. 특히 배출원 주변의 직접노출지역(제철동)이 대조지역(장기면) 보다 오염물질의 농도가 높은 것으로 조사되었다. 토양 중의 중금속 농도는 제1지역 우려기준에 비해 대체로 낮은 것으로 나타났으나, 아연은 전 지역이 제1지역 우려기준(300 mg/kg)의 약 20.8~58.9% 수준으로 비교적 높은 농도를 나타내었다. 불소는 모든 지점에서 기준치 이하로 나타났으나, 직접노출지역인 제철동의 경우 제1지역의 우려기준(400 mg/kg)의 약 74% 수준으로 조사되어, 불소에 대한 모니터링과 배출원 관리가 필요한 것으로 판단된다. 또한, 유기인, PCB, 페놀류와 VOCs인 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠, 자일렌 등은 분석기기의 검출한계 이하로 나타났고, 석유계총탄화수소(TPH)의 경우에는 송도동이 높게 나타났다. 한편, 토양 중 PAHs 화합물의 농도 수준은 18.71~1744.59 ng/g이었으며, 발암가능물질 6종에 대한 PAHcarc의 농도수준은 6.54~695.94 ng/g을 나타내었다. 송도동에서 가장 높은 농도수준을 나타내어, 직접노출지역인 공업단지로부터 근거리 지점에서의 PAHs 농도가 원거리 지점인 간접노출지역보다 비교적 높은 농도를 나타내었다.
토양복원의 기술로 마이크로파를 이용할 시 휘발성물질((PAH)s 등)) 및 준휘발성((PCB)s 등) 물질 등을 처리하는데 효과적인 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 휘발성 물질인 BTEX를 마이크로파를 이용하여 수분변화 및 전력변화에 따른 제거특성을 연구하였다. 10%, 20%, 30%, 50%의 함수율 변화에 따른 BTEX 제거율은 20%일 때가 제거율이 가장 높음을 제거상수를 통해 도출할 수 있었으며, 전력의 변화에 따른 BTEX 제거율 및 제거율에 도달하는 시간은 비슷한 것으로 나타났다. 각각 다른 함수율이 마이크로파 처리 시 한계함수율에 도달하는 시간을 측정한 결과, 한계함수율에 도달하는 시간은 함수율이 10%, 20%, 30%일 때는 2 kW와 4 kW는 큰 차이가 없음을 알 수 있었고, 함수율이 50%일 경우는 한계함수율에 도달하는 시간이 4kW가 더 빠른 것으로 나타났다. 수분함수율에 따른 최적전력을 도출하면 수분함량이 $10{\sim}30%$ 시 2 kW가 경제적으로 나타났으며, 함수율이 50% 일 경우는 전력이 4 kW일 때 경제적인 것으로 나타났다.
Even though the fabrication methods of metal oxide based thin film capacitor have been well established such as RF sputtering, Sol-gel, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), ion beam assisted deposition (IBAD) and pulsed laser deposition (PLD), an applicable capacitor of printed circuit board (PCB) has not realized yet by these methods. Barium Strontium Titanate (BST) and other high-k ceramic oxides are important materials used in integrated passive devices, multi-chip modules (MCM), high-density interconnect, and chip-scale packaging. Thin film multi-layer technology is strongly demanded for having high capacitance (120 nF/$mm^2$). In this study, we suggest novel multi-layer thin film capacitor design and fabrication technology utilized by plasma assisted deposition and photolithography processes. Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) was used for the dielectric material since it has high dielectric constant and low dielectric loss. 5-layered BST and Pt thin films with multi-layer sandwich structures were formed on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by RF-magnetron sputtering and DC-sputtering. Pt electrodes and BST layers were patterned to reveal internal electrodes by photolithography. SiO2 passivation layer was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD). The passivation layer plays an important role to prevent short connection between the electrodes. It was patterned to create holes for the connection between internal electrodes and external electrodes by reactive-ion etching (RIE). External contact pads were formed by Pt electrodes. The microstructure and dielectric characteristics of the capacitors were investigated by scanning electron microscopy (SEM) and impedance analyzer, respectively. In conclusion, the 0402 sized thin film multi-layer capacitors have been demonstrated, which have capacitance of 10 nF. They are expected to be used for decoupling purpose and have been fabricated with high yield.
Generally, the polymer thick-film resistors for embedded organic or hybrid substrate are patterned by screen printing so that the accuracy of resistor pattern is not good and the tolerance of resistance is too high(${\pm}$20~30%). To reform these demerits, a method using Fodel$^{(R)}$ technology, which is the patterning method using a photosensitive resin to be developable by aqueous alkali-solution as a base polymer for thick-film pastes, was recently incorporated for the patterning of thermosetting thick-film resistor paste. Alkali-solution developable photosensitive resin system has a merit that the precise patterns can be obtained by UV exposure and aqueous development, so the essential point is to get the composition similar to PSR(photo solder resist) used for PCB process. In present research, we made the photopatternable resistor pastes using 8 kinds of epoxy acrylates and a conductive carbonblack (CDX-7055 Ultra), evaluated their developing performance, and then measured the resistance after final curing. To become developable by alkali-solution, epoxy acrylate oligomers with carboxyl group were prepared. Test coupons were fabricated by patterning copper foil on FR-4 CCL board, plating Ni/Au on the patterned copper electrode, applying the resistor paste on the board, exposing the applied paste to UV through Cr mask with resistor patterns, developing the exposed paste with aqueous alkali-solution (1wt% $Na_2CO_3$), drying the patterned paste at $80^{\circ}C$ oven, and then curing it at $200^{\circ}C$ during 1 hour. As a result, some test compositions couldn't be developed according to the kind of oligomer and, in the developed compositions, the measured resistance showed different results depending on the paste compositions though they had the same amount of carbonblack.
Sn-8wt%Zn-3wt%Bi (이하, Sn-8Zn-3Bi) 솔더의 장기 신뢰성을 평가하기 위하여 고용고습시험을 행하였다. 고온 고습 시험은 $85^{\circ}C$/85RH 조건에서 1000 시간 동안 하였다. 접합 기판으로는 각각 OSP (Organic Solderability Preservative), Sn 그리고 Ni/Au 처리를 한 PCB(Printed Circuit Board) 패드를 사용하였다. 접합에 사용한 부품은 1608Chip 으로 MLCC(Multi Layer Ceramic Capacitor 이하, 1608C) 와 Chip Resister(이하, 1608R)을 사용하였으며, 이 두 부품의 전극부위에 Sn-10wt%Pb(이하 Sn-l0PB), Sn을 각각 도금하였다. 솔더링 후 1608C 와 1608R의 전단 접합 강도와 솔더링부에서 Zn상의 변화를 관찰하였다. 측정결과, Sn-8Zn-3Bi 솔더의 초기 전단 접합 강도는 기판의 표면처리에 상관없이 약 40N 이었다. 그러나 고온 고습 시험 1000 시간 후에는 기판의 표면처리에 상관없이 약 30N 까지 감소하였다. 하지만 이는 reference인 Sn-37Pb 솔더의 강도값과 거의 유사하며, 이는 Sn-8Bi-3Zn 솔더의 고온 고습 시험 후 전단강도 특성은 기존 유연솔더와 비교하여 동등이상이라고 평가할 수 있다.
본 연구에서는 토양 중 POPs 오염수준을 토지이용형태별로 구분 조사하여 오염특성을 규명하고 효율적인 토양 중 POPs 오염물질 관리방안 마련에 필요한 자료를 제공하였다. 농약류 중 Heptachlor, Aldrin, Endrin, Mirex, Toxaphene이 모든 지역에서 검출되지 않았고 Dieldrin은 N.D.-12.08 ${\mu}g$/kg, Chlordane은 N.D.-16.08 ${\mu}g$/kg, ${\Sigma}$DDT는 N.D.-38.19 ${\mu}g$/kg, HCB는 N.D.-1.32 ${\mu}g$/kg의 범위를 나타냈다. PCBs는 N.D.-172.12 ${\mu}g$/kg의 범위로 절연유오염지역이 높게 나타났으며, PCDD/Fs는 N.D.-6.68 pg I-TEQ/g으로 공단지역이 비교적 높게 나타났다.
SoP-L 공정은 유전율이 상이한 재료를 이용하여 PCB 공정이 가능하고 다른 packaging 방법에 비해 공정 시간과 비용이 절약되는 잠정이 있다. 본 연구에서는 SoP-L 기술을 이용하여 Si 기판의 함몰에 판한 공정의 안정도와 함몰 시 제작된 때턴의 특성의 변화에 대해 관찰 하였다. Si 기판의 함몰에 Active device를 이용하여 특성의 변화를 살펴보고 공정의 안정도를 확립하려 했지만 Active device는 측정 시 bias의 확보와 특성의 민감한 변화로 인해 비교적 측정이 용이하고 공정의 test 지표를 삼기 위해 passive device 를 구현하여 함몰해 보았다. Passive device 의 제작 과정은 Si 기판 위에 spin coating을 통해 PI(Poly Imide)를 10um로 적층한 후에 Cr과 Au를 seed layer로 증착을 하였다. 그리고 photo lithography 공정을 통하여 photo resister patterning 후에 전해 Cu 도금을 거쳐 CPW 구조로 $50{\Omega}$ line 과 inductor를 형성하였다. 제작 된 passive device의 함몰 전 특성 추출 data와 SoP-L공정을 통한 함몰 후 추출 data 비교를 통해 특성의 변화와 공정의 안정도를 확립하였다. 차후 안정된 SoP-L 공정을 이용하여 Active device를 함몰 한다면 특성의 변화 없이 size 룰 줄이는 효과와 외부 자극에 신뢰도가 강한 기판이 제작 될 것으로 예상된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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