• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.101.1-101.1
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• 2016

Van der Waals (vdW) heterostructures built from two-dimensional layered materials provide an unprecedented opportunity in designing new material systems because the lack of dangling bonds on the vdW surfaces enables the creation of high-quality heterointerfaces without the constraint of atomically precise commensurability. In particular, the ability to build artificial heterostructures, combined with the recent advent of transition metal dichalcogenides, allows the fabrication of unique semiconductor heterostructures in an ultimate thickness limit for fundamental studies as well as novel device applications. In this talk, we will present the characterization of the electronic and optoelectronic properties of atomically thin p-n junctions consisting of vertically stacked WSe2 and MoS2 monolayers. We observed gate-tunable diode-like current rectification and a photovoltaic response across the p-n interface. Unlike conventional bulk p-n junctions, the tunneling-assisted interlayer recombination of the majority carriers is responsible for the tenability of the charge transport and the photovoltaic response. Furthermore, we will discuss the enhanced optoelectronic characteristics in graphene-sandwiched vdW p-n junctions.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권6호
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• pp.549-556
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• 1994

광전변화소자(Photo electric conversion device)는 광전효과-내부 광전효과(광도전 및 광기전력) 및 외부광전효과(광전자방출)을 이용하여 광을 전기신호로 변화시키는 소자를 광전자소자라 하며, 광전자 및 양자전자공학의 발전과 함께 많은 개발이 되고 있다. 이 광전변환소자는 주로서 고체박막의 재료를 이용하며, 소자의 소형화, 고성능화, 고신뢰성등의 요구와 함께 광전기술연구가 활발하게 진행되고 있다. 현재 광전소자의 광의 파장은 가시부만이 아니고, X선으로 부터 적외선까지에 걸쳐 있다. 이 파장에 대응하여 각종의 단결정이 필요하고, 소자의 설계가 요구된다. 이들의 응용은 소자의 광의 발진, 증폭, 검출의 소자만이 아니고 변조, 편향, 기록, 전달로등 다종다양의 기능을 갖는 소자가 요구되고 있다. 이들의 Optoelectronic Device의 연구가 활발하게 진행되어 새로운 광전소자의 제품이 개발되고 있어, 이에 대한 소개를 하고져 한다.

• 센서학회지
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• 제25권4호
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• pp.252-256
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• 2016

Epitaxially grown GaN layers have a high surface state density, which typically results in a surface leakage current and a photoresponse in undesirable wavelengths in GaN optoelectronic devices. Surface passivation is, therefore, an important process necessary to prevent performance degradation of GaN UV photodetectors. In this study, we propose oxygen-enhanced thermal treatment as a simple surface passivation process without capping layers. The GaN UV photodetector fabricated using a thermal annealing process exhibits improved electrical and photoresponsive characteristics such as a reduced dark current and an enhanced photoresponsive current and UV-to-visible rejection ratio. The results of this study show that the proposed surface passivation method would be useful to enhance the reliability of GaN-based optoelectronic devices.

• 전기학회논문지
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• 제59권1호
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• pp.123-126
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• 2010

$Cu_2O$ nanoparticles-based films are fabricated by spin-coating on glass substrates and their optoelectronic characteristics are investigated in this study. The $Cu_2O$ films are nearly all-transparent as high as 98% in a wavelength range from 400 nm to 900 nm and three exciton peaks associated with the sublevels in the conduction band are observed at the wavelengths shorter than 400 nm in the absorption spectrum. Under the illumination of the 325 nm wavelength light, the photocurrent efficiency of the $Cu_2O$ film is $1.8\times10^5 {\mu}A/W$ at a voltage of 2.5 V in air.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.568-573
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• 2003

본 논문은 지상파TV방송이 디지털방식으로 전환함에 있어 기존의 무선을 이용 한 DTV중계 전송망을 광전변환을 이용한 유선망으로 전송하는 방안을 제작과 실험을 통하여 전송로의 구조적 전기적 특성과 방송망으로서의 적용 가능성을 연구하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.64.2-64.2
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• 2011

Recently, Silicon Germanium (SiGe) alloys have been received considerable attention for their great potentials in advanced electronic and optoelectronic devices. Especially, microcrystalline SiGe is a good channel material for thin film transistor due to its advantages such as narrow and variable band gap and process compatibility with Si based integrated circuits. In this work, microcrystalline silicon-germanium films (${\mu}c$-SiGe) were deposited by DC/RF magnetron co-sputtering method using Si and Ge target on Corning glass substrates. The film composition was controlled by changing DC and RF powers applied to each target. The substrate temperatures were changed from $100^{\circ}C$ to $450^{\circ}C$. The microstructure of the thin films was analyzed by x-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy. The analysis results showed that the crystallinity of the films enhances with increasing Ge mole fraction. Also, crystallization temperature was reduced to $300^{\circ}C$ with $H_2$ dilution. Hall measurements indicated that the electrical properties were improved by Ge alloying.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.1010-1013
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• 2006

To understand the exact charge carrier photogeneration properties of photoactive thin films consisting of a ${\pi}-conjugated$ polymer matrix and a triplet dopant, we prepared two types of polymer, poly(9-vinylcarbazole) (PVK) and poly[9,9-bis(2- ethylhexyl)fluorene-2,7-diyl] (PF2/6) doped with triplet emitters for organic light-emitting diodes (OLED), either iridium(III)fac-tris(2-phenylpyridine) $(Ir(ppy)_3)$ or iridium(III)bis[(4,6-fluorophenyl)- $pyridinato-N,C^2'$]picolinate (FIrpic), as thin film devices by using the conventional method. Those doped film devices, as well as pristine film devices, on ITO substrates were characterized by means of steady state photocurrent measurement for a wide spectral range.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권3호
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• pp.295-301
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• 1997

다양하고 방대한 양의 정보를 효과적으로 처리, 분배하는 멀티미디어 정보통신 시스템이 광신호에 의한 처리를 통해 구현되어갈 전망이다. 이를 위해 빛을 발생시키는 발광소자, 빛을 검출하는 소광소자, 광신호를 처리하는 광신호 처리소자 그리고 광신호를 전달해주는 광섬유 및 화상정보의 표시를 위한 표시소자 등이 중요한 요소기술이다. 이같은 소자의 제작에 있어 기존 물질로는 요구에 대한 대응이 어려워 보다 우수한 성능의 소재개발이 요구된다. 이에 대한 대체물질로 최근 유기물 또는 고분자가 각광을 받고 있으며, 이를 사용한 소자개발이 활발히 진행되고 있다. 이제까지 무기물로 달성하기 힘들었던 많은 기술들이 유기물로 쉽게 구현이 가능하게 되면 고성능의 소재 및 소자기술은 다가오느 정보화 시대를 더축 풍요롭게 하는데 크게 기여할 것이다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권3호
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• pp.83-88
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• 2003

증착온도와 어닐링 조건에 따른 반도체-원자 초격자 구조의 광전자특성이 연구되었다. 나노결정의 Si-O 초격자 구조는 MBE 시스템에 의해 형성되었다. 다층의 Si-O 초격자 다이오드는 매우 안정한 포토루미네슨스 특성과 높은 브레이크다운 전압을 갖는 양호한 절연 특성을 나타내었다. 이러한 결과는 미래의 초고속 및 저전력 CMOS 소자에서 SOI 구조의 대체 방안으로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 실리콘계 광전자 소자 및 양자 전자 소자에도 응용될 수 있을 것이다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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• pp.258-259
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• 2000

Quantum Well Disordering (QWD) has drawn a considerable attention in recent years$^{(1-3)}$ due to its wide applicability to optoelectronic devices. QWD allows modification of the shape of QW in selected regions, hence it modifies the subband energies in conduction and valance bands$^{(4)}$ . This leads to changes in optical properties such as band gap, absorption coefficient and refractive index. Thus such disordering in selected areas enables monolithic integration of various optoelectronic devices such as lasers, EA/EO modulators, waveguides and optical amplifiers. In this paper, we investigate the quantum well disordering effects on photoluminescence spectra by using experimental measurements and theoretical analysis$^{(5)}$ . (omitted)