• 제목/요약/키워드: Optical rectification

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산악지역의 고해상도 광학위성영상자료 기복변위 분석 (Relief displacement analysis of high-resoltion optical satellite images about mountain area)

  • 이성순;지광훈
    • 한국측량학회:학술대회논문집
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    • 한국측량학회 2004년도 춘계학술발표회논문집
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    • pp.299-302
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    • 2004
  • 최근에 상용화되어 있는 영상 중 가장 고해상도인 ikonos 영상은 공간해상도가 높기 때문에 더 많은 지형지물 정보를 포함하고 있다. 그러나 이러한 커다란 장점과 더불어 고층건물이나 높은 표고의 지형에서 발생하는 기복변위 보정이라는 소축척 영상에서 볼 수 없었던 새로운 문제가 등장하였다. 특히, 이러한 고해상도 영상들은 산악지역에서 식생에 대한 세밀한 정보를 제공하지만 상대적으로 높은 고도를 가지고 있기 때문에 발생하는 기복왜곡과 그림자 효과가 자료의 이용에 제한요인으로 작용하게 된다. 본 연구에서는 ikonos 고유의 센서정보와 수치지형도를 통하여 획득한 DEM(수치표고모델)을 이용하여 정밀편위보정방법(Difference rectification method) 방법에 의해 기하보정을 수행하고 그 결과 발생하는 산악지역에서는 기복변위를 분석하였다.

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Nanoscale NiO for transparent solid state devices

  • Patel, Malkeshkumar;Kim, Joondong;Park, Hyeong-Ho
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.243.2-243.2
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    • 2015
  • We report a high-performing nanoscale NiO thin film grown by thermal oxidation of sputtered Ni film. The structural, physical, optical and electrical properties of nanoscale NiO were comprehensively investigated. A quality transparent heterojunction (NiO/ZnO) was formed by large-area applicable sputtering deposition method that has an extremely low saturation current of 0.1 nA. Considerable large rectification ratio of more than 1000 was obtained for transparent heterojunction device. Mott-Schottky analyses were applied to develop the interface of NiO and ZnO by establishing energy diagrams. Nanoscale NiO has the accepter carrier concentration of the order of 1018 cm-3. Nanoscale NiO Schottky junction device properties were comprehensively studied using room temperature impedance spectroscopy.

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Graphite상의 ZnO Nanorod성장과 그를 이용한 Schottky Diode 제작

  • 남광희;백성호;박일규
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.421.2-421.2
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    • 2014
  • We report on the growth of ZnO nanorods (NRs) grown on graphite and silicon substrates via an all-solution process and characteristics of their heterojunctions. Structural investigations indicated that morphological and crystalline properties were not significantly different for the ZnO NRs on both substrates. However, optical properties from photoluminescence spectra showed that the ZnO NRs on graphite substrate contained more point defects than that on Si substrate. The ZnO NRs on both substrates showed typical rectification properties exhibiting successful diode formation. The heterojunction between the ZnO NRs and the graphite substrate showed a Schottky diode characteristic and photoresponse under ultraviolet illumination at a small reverse bias of -0.1 V. The results showed that the graphite substrate could be a good candidate for a Schottky contact electrode as well as a conducting substrate for electronic and optoelectronic applications of ZnO NRs.

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열화상 카메라와 광학카메라를 이용한 영상 조정 시스템 구현 (Implementation of Image Rectification System with Thermal Imaging Cameras And Optical Camera)

  • 임수창;김도연
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2015년도 추계학술발표대회
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    • pp.1424-1427
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    • 2015
  • 본 논문에서는 일반적인 동일 기종의 카메라를 사용한 스테레오 카메라 시스템이 아닌, 서로 다른 화각 및 해상도를 가진 이기종 카메라를 이용하여 스테레오 카메라를 설계한다. 본 논문에서 설계하는 스테레오 카메라는 카메라의 수평오차 및 화각, 해상도가 다르다. 따라서 해당 스테레오 카메라를 통해 송출되는 1:1 매칭 되지 않는 영상을 본 논문에서 제시한 코너점 좌표와 기하학변환 방법으로 교정하고 매칭되는 영역을 잘라내는 조정의 과정을 제안한다. 해당 교정 및 조정에는 컴퓨터 비전 라이브러리인 OpenCV를 이용하고 사용자에게 볼 수 있는 프로그램을 MFC를 이용하여 제작한다. 해당 시스템을 통해 교정 및 조정된 영상은 최소한의 픽셀 오차율을 보여 동일한 영역의 감시활동에 효과적임을 보여준다.

Photoresponse Properties of Reduced Graphene Oxide/n-silicon Heterojunction Fabricated by the Vacuum Filtration and Transfer Method

  • Du, Yonggang;Qiao, Liangxin;Xue, Dingyuan;Jia, Yulei
    • Current Optics and Photonics
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    • 제6권4호
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    • pp.367-374
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    • 2022
  • A photodetector based on a reduced graphene oxide (RGO)/n-Si heterojunction with high responsivity, detectivity and fast response speed is presented. Here, we put forward a simple vacuum filtration method to prepare RGO film and transfer it onto an n-Si substrate to form an RGO/n-Si heterojunction. The experimental results show that the heterojunction has good rectification characteristics, and the response and recovery time are less than 0.31 s and 0.25 s, respectively. Under 470 nm light conditions at -2 V applied voltage, the responsivity and detectivity of the device are 65 mA/W and 4.02 × 1010 cmHz1/2W-1, respectively. The simple preparation process and good performance of the RGO/n-Si heterojunction make it a promising material for photoelectric detection, especially in the near-ultraviolet band.

Optical Character Recognition for Hindi Language Using a Neural-network Approach

  • Yadav, Divakar;Sanchez-Cuadrado, Sonia;Morato, Jorge
    • Journal of Information Processing Systems
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    • 제9권1호
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    • pp.117-140
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    • 2013
  • Hindi is the most widely spoken language in India, with more than 300 million speakers. As there is no separation between the characters of texts written in Hindi as there is in English, the Optical Character Recognition (OCR) systems developed for the Hindi language carry a very poor recognition rate. In this paper we propose an OCR for printed Hindi text in Devanagari script, using Artificial Neural Network (ANN), which improves its efficiency. One of the major reasons for the poor recognition rate is error in character segmentation. The presence of touching characters in the scanned documents further complicates the segmentation process, creating a major problem when designing an effective character segmentation technique. Preprocessing, character segmentation, feature extraction, and finally, classification and recognition are the major steps which are followed by a general OCR. The preprocessing tasks considered in the paper are conversion of gray scaled images to binary images, image rectification, and segmentation of the document's textual contents into paragraphs, lines, words, and then at the level of basic symbols. The basic symbols, obtained as the fundamental unit from the segmentation process, are recognized by the neural classifier. In this work, three feature extraction techniques-: histogram of projection based on mean distance, histogram of projection based on pixel value, and vertical zero crossing, have been used to improve the rate of recognition. These feature extraction techniques are powerful enough to extract features of even distorted characters/symbols. For development of the neural classifier, a back-propagation neural network with two hidden layers is used. The classifier is trained and tested for printed Hindi texts. A performance of approximately 90% correct recognition rate is achieved.

유출유 모니터링을 위한 해경 항공 영상의 개별정사보정 (Individual Ortho-rectification of Coast Guard Aerial Images for Oil Spill Monitoring)

  • 오연곤;배억안;최경아;이임평
    • 대한원격탐사학회지
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    • 제38권6_1호
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    • pp.1479-1488
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    • 2022
  • 해양에서는 선박충돌, 침몰 등으로 인하여 기름이 유출되는 사고가 간헐적으로 일어난다. 이러한 사고가 발생하였을 때 신속한 대책 마련을 위해 유출유 현황을 정확히 파악해야 한다. 이를 위해 해양경찰은 고정익비행기 또는 헬기로 대상 지역을 순찰하며 육안이나 영상 촬영을 통해 확인하는데, 유출유로 오염된 면적과 지도 상의 정확한 위치를 파악하는데 어려움이 있었다. 이에 본 연구는 유출유 현황 파악을 위해 해경에서 수집한 항공 영상을 개별적으로 지상기준점 없이 자동으로 직접 지오레퍼런싱(georeferencing)하여 정사보정하는 기술을 개발한다. 먼저, 영상 등 센서 정보를 가시화한 화면에서 지오레퍼런싱에 필요한 메타정보를 문자인식기술을 통해 추출한다. 추출된 정보를 바탕으로 영상의 외부표정요소를 결정한다. 결정된 외부표정요소를 이용해서 영상을 개별적으로 정사보정한다. 이러한 방법으로 통해 생성한 개별정사영상의 정확도는 수십 미터에서 최대 100 m 정도로 평가되었다. 지상기준점을 사용하지 않았고, 위치와 자세 센서의 관측 오차, 카메라 초점거리 등 내부표정요소의 오차를 고려할 때 상당히 양호한 수준이었다. 해양에서 유출유 오염 지역에 대한 현황 파악을 위해 적절한 수준으로 판단된다. 향후 비행 중 촬영 영상에 대한 실시간 전송이 가능해지면, 제안된 개별정사보정 기술을 통해 실시간으로 개별 정사영상을 생성할 수 있게 된다. 이를 기반으로 유출유 오염 현황에 대한 신속한 파악과 대책 수립에 효과적으로 활용할 수 있다.

SnS2/p-Si 이종접합 광 검출기 (SnS2/p-Si Heterojunction Photodetector)

  • 오창균;차윤미;이경남;정복만;김준동
    • 전기학회논문지
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    • 제67권10호
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    • pp.1370-1374
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    • 2018
  • A heterojunction $SnS_2/p-Si$ photodetector was fabricated by RF magnetron sputtering system. $SnS_2$ was formed with 2-inch $SnS_2$ target. Al was applied as the front and the back metal contacts. Rapid thermal process was conducted at $500^{\circ}C$ to enhance the contact quality. 2D material such as $SnS_2$, MoS2 is very attractive in various fields such as field effect transistors (FET), photovoltaic fields such as photovoltaic devices, optical sensors and gas sensors. 2D material can play a significant role in the development of high performance sensors, especially due to the advantages of large surface area, nanoscale thickness and easy surface treatment. Especially, $SnS_2$ has a indirect bandgap in the single and bulk states and its value is 2 eV-2.6 eV which is considerably larger than that of the other 2D material. The large bandgap of $SnS_2$ offers the advantage for the large on-off current ratio and low leakage current. The $SnS_2/p-Si$ photodetector clearly shows the current rectification when the thickness of $SnS_2$ is 80 nm compared to when it is 135 nm. The highest photocurrent is $19.73{\mu}A$ at the wavelength of 740 nm with $SnS_2$ thickness of 80 nm. The combination of 2D materials with Si may enhance the Si photoelectric device performance with controlling the thickness of 2D layer.

디지털 홀로그램 비디오를 위한 인터랙티브 서비스 시스템의 프로토타입 설계 (A Prototype Architecture of an Interactive Service System for Digital Hologram Videos)

  • 서영호;이윤혁;유지상;김만배;최현준;김동욱
    • 방송공학회논문지
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    • 제17권4호
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    • pp.695-706
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    • 2012
  • 본 논문은 디지털 홀로그램 비디오를 서비스할 수 있는 서비스 시스템을 제안하는 것을 목적으로 한다. 이 시스템은 현존하는 2차원 또는 3차원 영상/비디오를 서비스하는 시스템의 프레임, 즉 데이터 획득, 처리, 전송, 수신, 복원의 과정을 그대로 따른다고 가정한다. 이 시스템은 또한 시청자의 시점을 추적하여 그 시점에 해당하는 디지털 홀로그램을 서비스하는 인터랙티브 동작 기능을 포함하고 있는데, 이 기능을 위해서 시청자의 시점에 해당하는 가상시점의 영상 정보를 생성하고, 이를 홀로그램으로 만들어 사용한다. 본 논문에서는 이 시스템의 주요 동작만을 포함하는 프로토타입을 구현하며, 이 시스템에는 데이터 획득을 위한 카메라 시스템, 카메라 캘리브레이션과 영상보정, 깊이와 빛의 세기 영상의 화질개선, 중간시점 영상 생성, 디지털 홀로그램 생성, 시뮬레이션과 광학장치에 의한 홀로그램 영상복원 기능을 포함한다. 제안한 프로토타입 시스템을 구현한 결과 한 프레임의 디지털 홀로그램을 생성하고 시뮬레이션에 의해 영상을 복원하는 데까지 약 352ms가 소요되었으며, 시뮬레이션 복원 대신 광학장치로 복원할 경우는 약 183ms의 시간이 소요되었다.

테라헤르츠 펄스 기술

  • 한해욱;유난이;전태인;진윤식;박익모;김정회;문기원;한연호;정은아;강철;이영락;고도경;이의수;지영빈;김근주;한경호
    • 한국전자파학회지:전자파기술
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    • 제19권5호
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    • pp.87-103
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    • 2008
  • 최근 테라헤르츠 펄스 기술을 근간으로 하는 테라헤르츠 포토닉스 분야는 새로운 연구 주제로서 전세계적으로 큰 관심을 모으고 있다. 단지 순수과학적 측면에서 뿐만 아니라 상업적 응용 가능성이 높아짐에 따라 많은 선진국에서는 테라헤르츠 포토닉스의 발전을 위해 지대한 노력을 경주하고 있다. 저명한 국제 학술지와 국제 학회에서 테라헤르츠 펄스 기술에 대한 논문의 수가 폭발적으로 증가하고 있다는 것은 이러한 사실을 뒷받침하고 있다. 테라헤르츠 응용 기술은 테라헤르츠 펄스 광원과 검출기, 그리고 관련된 수동 소자의 개발이 선행되어야 한다. 따라서 본 논문에서는 테라헤르츠 광전도 안테나, 광정류, 준위상 정합 기반 차주파수 발생, 전광 샘플링, 고속 실시간 측정, 테라헤르츠 전송선, 그리고 각종 도파로 구조와 같은 기초적이면서 핵심적인 소자와 측정 기술에 대하여 간략히 기술하고자 한다.