• 대한전자공학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.65-71
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• 1984

초음파 B스캔너의 경우 광대역 펄스를 사용하기 때문에 광학에서 사용되는 집속 계산식으로는 초음파 집속 시스템을 정확하게 설계할 수 없다. 본 연구에서는 초음파 다중소자에 광대역 펄스가 여기될 때 초음파의 전파모양을 정확하게 계산할 수 있늘 방법이 연구되었다. 계간된 초음차의 전파 모양을 이용하여 고해상력을 갖는 다이나믹 집속(dynamic focusing)시스템의 구동소자수, 집속치로 지연값 및 집속점 위치등을 설계하도록 하였다. 저잡음 스튀칭 특성을 갖는 다이나믹 집속 시스템을 구성하여 실험에 의해 3.5MHz선형소자로써 18cm의 깊이까지 2∼3mm의 해상도가 얻어짐을 확인하였다.

• 전자통신동향분석
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• 제16권2호통권68호
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• pp.10-30
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• 2001

본 고에서는 차세대 인터넷 구축을 위한 요소 기술에 대하여 전반적으로 살펴본다. 우리는 현재보다 1,000배 빠른 차세대 인터넷의 구축을 목표로 하고 있다. 따라서 과연 그만큼 빠른 인터넷의 구축이 필요할 것인가를 검증하는 차원에서 향후 5년 정도의 가까운 시일 내에 있을 인터넷 트래픽의 증대에 대한 수요를 서비스 측면에서 살펴본다. 차세대 인터넷은 풍부한 전송대역폭의 제공과 QoS를 기반으로 한 신뢰성 있는 데이터의 전달을 특징으로 하며, 이를 위해서 광스위칭 기반의 전송 하부구조 위에 MPLS 기술이 사용될 것으로 예상된다. 이를 위한 요소기술로 DWDM 전송기술, MEMS 기반의 광스위칭 소자기술과 함께 광스위칭 기술에 지능을 부여하기 위한 표준화 동향에 대하여 살펴본다. 현재의 IP 기반 인터넷에서 제공하지 못하는 QoS 기능은 MPLS에서 가능하게 될 것이다. MPLS에서의 중요한 응용인 트래픽 엔지니어링과 VPN 서비스는 망이 보다 안정적으로 유지될 수 있도록 지원하면서 기업들이 MPLS 망을 이용하여 자신의 망을 구축할 수 있도록 지원할 것이다. MPLS 기술은 IETF에서 표준화가 진행되고 있으며 라우터 개발업체 및 ISP의 큰 지원을 받고 있다. 차세대 인터넷을 위해서는 전달망의 구축도 필요하지만 이와 함께 차세대 인터넷 응용을 위한 컴퓨팅 인프라도 균형있게 개발되어야 한다. 따라서 현재 그 윤곽을 드러내고 있는 차세대 인터넷 응용 인프라 환경에 대하여 그 등장 배경과 관련 기술에 대하여 조망한다. 차세대 인터넷의 개발을 위해서는 광처리 관련 원천 기술, 프로세서 개발 기술, 라우터 설계 기술 및 서버 개발 기술, 어플리케이션 기반 기술 및 사용자 인터페이스 기술들이 전략적으로 이음새 없이 매끄럽게 통합되어야 한다. 이러한 관점에서 필요한 요소기술들을 다수 보유하고 있는 ETRI의 역할은 매우 중요하리라 생각된다.

• 한국광학회지
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• 제10권6호
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• pp.487-493
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• 1999

본 논문에서는 굽은 비선형 도파로를 이용한 솔리톤 결합기의 동작 특성에 대해 알아 보았다. 이 굽은형 솔리톤 결합기는 기존의 솔리톤 결합기와 마찬가지로, 비선형 도파로에서의 솔리톤 방출의 문턱값 효과로 인해 매우 날카로운 스위칭 특성을 갖는다. 또한 이 결랍기의 굽은 구조는 솔리톤 방출을 위해 요구되는 최소 입력 파워의 문턱값을 낮추어 준다. 굽은형 솔리톤 결합기를 통한 파의 전송을 보다 정확하고 실제적으로 수치 해석하기 위해 비선형성의 포화 효과와 매질에서의 손실을 고려하였다. 시뮬레이션 결과는 포화 효과와 손실을 고려하는 것이 비선형 도파로 소자의 해석과 설계에 있어서 매우 중요하다는 것을 보여주고 있다. 이러한 굽은 구조의 적용은 포화 효과와 손실을 고려했을 때, 낮은 문턱값 파워를 가지고 공간 솔리톤을 방출시키는데 유용하다.

• 한국광학회지
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• 제15권6호
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• pp.503-510
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• 2004

편광에 무관한 결합길이를 가지는 double-sided deep-ridge (DSDR) 도파관 구조의 수직 방향성 결합기를 이용하여 대칭형 구조를 가지는 스위칭 동작 유도 영역과 비대칭형 구조를 가지는 소멸비 향상 영역으로 구성된 수직 방향성 결합기 스위치를 제안하였다. 이러한 구조를 이용하여 짧은 길이를 가지며 편광에 관계없이 크로스 상태와 바 상태에서 모두 30 dB 이상의 소멸비를 가지는 스위치를 설계하는 방법과 설계 예를 제시하였다.

• International journal of advanced smart convergence
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• 제1권1호
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• pp.19-26
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• 2012

The deployment of mobile femtocellular networks can enhance the service quality for the users inside the vehicles. The deployment of mobile femtocells generates a lot of handover calls. Also, numbers of group handover scenarios are found in mobile femtocellular network deployment. The ability to seamlessly switch between the femtocells and the macrocell networks is a key concern for femtocell network deployment. However, until now there is no effective and complete handover scheme for the mobile femtocell network deployment. Also handover between the backhaul networks is a major concern for the mobile femtocellular network deployment. In this paper, we propose handover control between the access networks for the individual handover cases. Call flows for the handover between the backhaul networks of the macrocell-to-macrocell case are proposed in this paper. We also propose the link switching for the FSO based backhaul networks. The proposed resource allocation scheme ensures the negligible handover call dropping probability as well as higher bandwidth utilization.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제41권12호
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• pp.9-14
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• 2004

최근 인터넷 트래픽의 종류 및 크기의 다양화로 인해 광 네트워크의 동적인 경로 설정을 위한 GMPLS(Generalized Multi-Protocol Label Switching) 기반의 트래픽 제어 및 관리 프로토콜이 지속적으로 제안되고 있다. 이에 본 논문에서는 광역정보를 이용한 프로토콜과 지역정보를 이용한 프로토콜을 기반으로 한 네트워크 성능평가를 통해 두 가지 프로토콜의 특성을 비교 분석하였다. 네트워크 성능평가를 위해 변화 정보에 대한 업데이트 주기 및 임계값을 평가 메트릭으로 사용하여 트래픽 발생 율에 따른 연결 설정 시간, 제어신호 요구 대역폭, 경로 설정 블록킹 확률을 산출하였다. 평가된 프로토콜은 미래의 IP네트워크를 위한 광대역 네트워크의 필요조건이며 이는 고속의 백본 네트워크를 만족시키는 솔루션이 될 것으로 사료된다.

• 전자공학회논문지S
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• 제36S권2호
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• pp.9-18
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• 1999

본 논문에서는 시분할-파장분할 방식이 혼합된 라우팅 구조를 가지는 대용량 광ATM 스위치 구조를 제안하였다. 제안된 구조는 셀의 경로배정 과정에서 겪게되는 광 파워의 손실 및 시스템 구성시 요구되는 하드웨어를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 수동소자를 사용함으로써 전기적 제어부분의 복합성을 피할 수 있다. 또한 제안된 스위치는 확장이 용이하도록 설계되어졌기 때문에 처리용량에 있어서 미래의 대욜양 광 교환 시스템에 적합한 구조라고 할 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.573-573
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• 2012

High quality $VO_2$ thin films were successfully grown on GaN substrate by optimizing oxygen partial pressure during the growth using RF sputtering technique. The $VO_2$ thin film grown on GaN substrate exhibited an unusual metal insulator transition behavior, which was known to be observed only either in doped sample or under uniaxial stress. Raman spectra also confirmed that metal insulator transition occurred from monoclinic M1 to rutile R phase via monoclinic M2 phase with increasing temperature. We believe that large lattice mismatch between $VO_2$ and GaN substrate may cause M2 phase to be thermodynamically stable. Optical transmittance and its electrical switching behavior were carefully investigated to elucidate the underlying physics of its metal insulator transition behavior. This study may lead to a unique opportunity to better understand the growth mechanism of M2 phase dominant $VO_2$ thin films.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제24권3호
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• pp.274-278
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• 2003

New banana-shaped achiral compounds, 1,3-phenylene bis [4-{4-(alkenyloxy) phenyliminomethyl}benzoate]s were synthesized by varying the length of alkenyl group; their ferroelectric properties are described. The smectic mesophases, including a switchable chiral smectic C $(Sm\;C^*)$ phase, were characterized by differential scanning calorimetry, polarizing optical microscopy and triangular wave method. The presence of vinyl groups at the terminals of linear side wings in the banana-shaped achiral molecules containing Schiff's base mesogen induced a decrease in melting temperature and formation of the switchable $(Sm\;C^*)$ phase in the melt. The smectic phases having the octenyloxy group such as $(CH_2)_6CH=CH_2$ showed ferroelctric switching, and their values of spontaneous polarization on reversal of an applied electric field were 120 nC/cm² (X=H) and 225 nC/ cm² (X=F), respectively. We could obtain ferroelectric phases by controlling the number of carbon atom in alkenyloxy chain of a bent-core molecule.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1216-1219
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• 1994

A reflection type SEED from LP-MOCVD grown InGaAs/GaAs ESQW structures, with 5% In fraction, has been fabricated and its basic characteristics were investigated. Its intrinsic region consists of 50 pairs of alternating $100{\AA}$ $In_{0.05}Ga_{0.95}As$ barrier and $100{\AA}$ GaAs layers. And a multilayer reflector stack of $Al_{0.12}Ga_{0.88}As(641{\AA})-/AlAs(774{\AA})$ was vertically integrated below the p-i-n structures. The device processing includes the mesa etching, insulator deposition, indium metallization, and thermal alloy for Ohmic contact. Photocurrent spectrum measurement showed the exciton absorption peak at 905nm and availability as a optical switching device. This device showed a contrast ratio of 2:1 by the reflectance spectrum measurement.