• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.370-370
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• 2008

ITO 박막은 현재 차세대 디스플레이인 LCD, PDP, ELD 등의 평판 디스플레이의 화소전극 및 공통전극으로 가장 많이 적용되고 있는 소재이며, 최근에는 태양전지의 투명전극으로 그 용도가 더욱 증가되고 있다. 이러한 소자들의 투명 전도막으로 사용되기 위해서는 가시광선 영역에서 80% 이상의 높은 투과도와 낮은 면 저항을 가져야 한다. 광 투과도와 면 저항은 ITO 박막의 증착조건에 따라 변하게 되는데 본 연구에서는 DC 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 Indium-Tin Oxide (ITO) 박막을 제작하고, 제작된 ITO 박막의 전기적 특성과 광학적 특성을 측정하여 공정조건에 따른 박막의 특성 변화를 평가하였다. 증착 조건은 주로 기판 온도와 증착 시간을 변화시켰다. 본 실험에서는 $In_2O_3$ : $SnO_2$의 조성비가 9:1 비율의 순도 99.99% ITO 타겟을 사용하였으며, coming 1737 glass를 30$\times$30 mm 크기로 가공하여 기판온도와 증착시간을 변화시키면서 ITO 박막을 제조하였다. 예비실험을 통해 인가전력 50W, 초기 진공 $2\times10^{-6}$ Torr, 작업 진공 $3.5\times10^{-2}$ Torr, 기판과 타겟 사이의 거리를 10 cm로 고정하였다. 기판 온도는 히터를 가열하지 않은 상온 ($25^{\circ}C$)에서 $400^{\circ}C$까지의 범위에서 변화시켰고, 증착시간은 5분에서 30분까지의 범위에서 변화시켰다. 증착된 박막의 면 저항 촉정을 위해 4 point probe를 사용하였고, 홀 (hall) 계수 측정기 (HMS-300)를 이용하여 홀 계수를 측정하였으며, 또한 박막의 두께는 $\alpha$-step을 사용하여 측정하였다. ITO 박막의 상분석을 위해 XRD를 사용 하였고, SEM을 이용하여 미세구조를 관찰하였다. 실험 결과로는 기판온도 $400^{\circ}C$, 증착시간 15분 이상에서는 면 저항이 모두 $8\Omega$/$\Box$이하로 낮게 나왔으며, 투과율 또한 모두 80% 이상의 높은 투과도를 보였다. 또한 ITO박막의 전기 전도도는 캐리어 농도와 이동도의 측정을 통해 두 가지 인자들에 의해 비례되는 것을 확인하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• v.14 no.1
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• pp.1-7
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• 2014

A bidirectional transient voltage suppression (TVS) diode consisting of specially designed $p^--n^{{+}+}-p^-$ multi-junctions was developed using low temperature (LT) epitaxy and fabrication processes. Its electrostatic discharge (ESD) performance was investigated using I-V, C-V, and various ESD tests including the human body model (HBM), machine model (MM) and IEC 61000-4-2 (IEC) analysis. The symmetrical structure with very sharp and uniform bidirectional multi-junctions yields good symmetrical I-V behavior over a wide range of operating temperature of 300 K-450 K and low capacitance as 6.9 pF at 1 MHz. In addition, a very thin and heavily doped $n^{{+}+}$ layer enabled I-V curves steep rise after breakdown without snapback phenomenon, then resulted in small dynamic resistance as $0.2{\Omega}$, and leakage current completely suppressed down to pA. Manufactured bidirectional TVS diodes were capable of withstanding ${\pm}4.0$ kV of MM and ${\pm}14$ kV of IEC, and exceeding ${\pm}8$ kV of HBM, while maintaining reliable I-V characteristics. Such an excellent ESD performance of low capacitance and dynamic resistance is attributed to the abruptness and very unique profiles designed very precisely in $p^--n^{{+}+}-p^-$ multi-junctions.

• Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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• v.6 no.2
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• pp.1-7
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• 2002

In the modern propulsion systems, requited thrust is obtained using a nozzle. Sometimes shock and induced boundary layer separation is generated in an over-expanded convergent-divergent supersonic nozzle. It occurs because the nozzle expansion ratio is too large for a given nozzle pressure ratio (NPR). This phenomenon can be explained that it redefines effective nozzle geometry, shorer nozzle geometry and lower pressure ratio, in a given pressure ratio. Numerical studies were conducted about a fixed geometry 2D nozzle in overexpanded condition and compared with Hunter's experimental result. For the numerical simulation of the supersonic nozzle, Navier-Stokes equations are considered and as a turbulent model, $\kappa$-$\varepsilon$ /$\kappa$-$\omega$ blended SST two equation turbulent model is used. The characteristics of $\lambda$-shape shock systems due to the interaction of shock and boundary layer was investigated in a low NPR. And the result of comparison of thrust value shows that a fixed geometry nozzle can cover required flight mission.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.20 no.1
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• pp.47-50
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• 2010

Various thicknesses of Al-doped ZnO (AZO) films were deposited on glass substrate using pulsed dc magnetron sputtering with a cylindrical target designed for large-area high-speed deposition. The structural, electrical, and optical properties of the films of various thicknesses were characterized. All deposited AZO films have (0002) preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. Crystal quality and surface morphology of the films changed according to the film thickness. The samples with higher surface roughness exhibited lower Hall mobility. Analysis of the measured data of the optical band gap and the carrier concentration revealed that there were no changes for all the film thicknesses. The optical transmittances were more than 85% regardless of film thickness within the visible wavelength region. The lowest resistivity, $4.13\times10^{-4}\Omega{\cdot}cm^{-1}$ was found in 750 nm films with an electron mobility $(\mu)$ of $10.6 cm^2V^{-1} s^{-1}$ and a carrier concentration (n) of $1.42\times10^{21} cm^{-3}$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.152-152
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• 1999

1Gb급 이상 기억소자의 캐패시터 재료로 주목받고 있는 (Ba,Sr)TiO3 [BST] 박막의 전극재료로는 Pt, Ru, Ir과 같은 금속전극과 RuO2, IrO2와 산화물 전도체가 유망한 것으로 알려져 있다. 그런데, DRAM의 집적도가 증가하게 되면, BST같은 고유전율 박막을 유전재료로 사용한다 하더라도, 3차원적인 구조가 불가피하게 때문에 기존의 sputtering 방법으로는 우수한 단차피복성을 얻기 힘들므로, MOCVD법이 필수적이다. 본 연구에서는 기존에 연구되었던 Pt에 비해 식각특성이 우수하고, 비교적 낮은 비저항을 갖는 Ru 박막증착에 대한 연구를 행하였다. 본 연구에서는 수직형의 반응기와 저항 가열 방식의 susceptor로 구성된 저압 유기금속 화학증착기를 사용하여 최대 6inch 직경을 갖는 기판 위에 Ru박막을 증착하였다. Precursor로는 기존에 연구된 적이 없는 bis-(ethyo-$\pi$-cyclopentadienyl)Ru (Ru(C5H4C2H5)2, [Ru(EtCp)2])를 사용하였으며, bubbler의 온도는 85$^{\circ}C$로 하였다. Si, SiO2/Si를 사용하였으며, 증착온도 25$0^{\circ}C$~40$0^{\circ}C$, 증착압력 3Torr의 조건에서 Ru 박막을 증착하였다. Presursor를 운반하는 수송기체로는 Ar을 사용하였으며, carbon과 같은 불순물의 제거를 위해 O2를 첨가하였다. 증착된 박막은 XRD, SEM, 4-point probe등을 통해 구조적, 전기적 특성을 평가하였으며, 열역학 계산을 위해서는 SOLGASMIX-PV프로그램을 사용하였다. Ru 박막의 증착에 있어서 산소의 첨가는 필수적이었으며, Ru 박막의 증착속도는 30$0^{\circ}C$~40$0^{\circ}C$의 온도 영역에서 200$\AA$/min으로 일정하였으며, 첨가된 산소의 양이 적을수록 더 치밀하고 평탄한 표면형상을 보였으며, 또한 더 낮은 전기 전도도를 보였다. 그리고 증착된 박막은 12~15$\mu$$\Omega$cm 정도의 낮은 비저항 값을 나타냈으며 이것은 기존의 sputtering 법에 의해 증착된 Ru 박막의 비저항 값들과 비교될만하다. 한편, 높은 온도, 높은 산소분압 조건에서 RuO2의 형성을 관찰하였으며, 이것은 열역학적인 계산을 통해서 잘 설명할 수 있었다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• v.10 no.5
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• pp.643-650
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• 2000

A new aniline-utilizing microorganism, strain HY1 obtained from an orchard soil, was characterized by using the BIOLOG system, an analysis of the total cellular fatty acids, and a 16S rDNA sequence. Strain HY1 was identified as a Burkholderia species, and was designated Burkholderia sp. HY1. GC and HPLC analyses revealed that Burkholderia sp. HY1 was able to degrade aniline to produce catechol, which was subsequently converted to cis,cis-muconic acid through an ortho-ring fission pathway under aerobic conditions. Strain HY1 exhibited a drastic reduction in the rate of aniline degradation when glucose was added to the aniline media. However, the addition of peptone or nitrate to the aniline media dramatically accelerated the rate of aniline degradation. A fatty acid analysis showed that strain HY1 was able to produce lipids 16:0 2OH, and 11 methyl 18:1 ${\omega}7c$ approximately 3.7-, 2.2-, and 6-fold more, respectively, when grown on aniline media than when grown on TSA. An analysison the alignment of a 1,435 bp fragment. A phylogenetic analysis of the 16S rDNA sequence based on a 1,420 bp multi-alignment sowed of the 16s rDNA sequence revealed that strain HY1 was very closely related to Burkholderia graminis with 95% similarity based that strain HY1 was placed among three major clonal types of $\beta$-Proteobacteria, including Burkholderia graminis, Burkholderia phenazinium, and Burkholderia glathei. The sequence GAT(C or G)${\b{G}}$, which is highly conserved in several locations in the 16S rDNA gene among the major clonal type strains of $\beta$-Proteobacteria, was frequently replaced with GAT(C or G)${\b{A}}$ in the 16S rDNA sequence from strain HY1.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1998.05a
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• pp.4-4
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• 1998

서울 및 서울 인근 주민들의 식수 공급을 위하여 1978년에 건설된 매설 상수배관은 전기방식 조처없이 콜탈에나벨만으로 피복된채 지하철 및 각종 전기설비가 복잡하게 산재된 서울지역에서 근 20년 유지되고 있다. 따라서 이 배관에 대한 부식 상태를 파악하는 것이 배관의 안전성 확보 및 대책수립, 배관수명의 연장, 중단없는 상수공급 동의 차원에서 매우 중요하다. 이 조사의 목적은 건설후 20년이 경과하여 노후된 매설 상수배관에 대한 기본적인 부식환경 및 피복 상태를 조사하여, 부식상태를 진단하고 향후 대책을 세우기 위한 기초 자료를 확보하는 것이다. 조사의 대상은 1978년에 건설된 서울지역 매설 상수배관 103 Km이었으며, 주요 조사 내용은 토양의 pH, 토양비저항과 같은 기초적인 부식환경조사, 전 배관에 대한 부식전위측정, 부식환경 조사로부터 판정된 부식 우려구간을 대상으로 피복손상부 탐측 및 시험굴착, 그리고 상기 조사의 결과를 검토하는 것이다. 조사 결과, 기본적인 부식환경 변수로 예상되던 토양의 전기비저항, 습도, pH는 부 식전위 및 토양종류와 상관관계를 보이지 않았으며, 상수배관 주변의 토양비저항은 대부분 8,000 ~ 10,000 ${\Omega}{\cdot}cm$, 토양 pH는 대부분 5와 6사이에 집중되었다. 전체적으로 볼 때 매설 상수배관은 예상보다 양호한 배관 상태를 유지하고 있다고 판단되나, 일부 간섭구간은 방식보완이 필요한 것으로 조사되었다. 즉 일부 간섭에 의한 미방식 지역은 배류기나 희생양극 설치와 같은 조속한 방식보완 조치가 필요하며, 과방식이 우려되는 곳은 강제배류기의 출력을 크게 낮추는 것이 필요하다. 이때 부식전위가 크게 올라가는 지점이 있으면 부근 가까운 지하철 레일과 선택배류기로 연결하는 것이 바람직하다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1538-1540
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• 2003

The composites were fabricated respectively 61vol.% ${\beta}$-SiC and 39vol.% $TiB_2$ spray-dried powders with the liquid forming additives of 12wt% $Al_2O_3+Y_2O_3$ by pressureless annealing at $1700^{\circ}C,\;1750^{\circ}C\;1800^{\circ}C$ for 4 hours. The result of phase analysis of composites by XRD revealed ${\alpha}$-SiC(6H), $TiB_2$, and YAG($Al_5Y_3O_{12}$) crystal phase. The relative density, the Young's modulus and fracture toughness showed respectively the highest value of 92.97%, 92.88Gpa and $4.4Mpa{\cdot}m^{1/2}$ for composites by pressureless annealing temperature $1700^{\circ}C$ at room temperature. The electrical resistivity showed the lowest value of $8.09{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ for composite by pressureless annealing tempe rature $1700^{\circ}C$ at $25^{\circ}C$. The electrical resistivity of the SiC-$TiB_2$ composites was all positive temperature cofficient resistance (PTCR) in the temperature ranges from $25^{\circ}C$ to $700^{\circ}C$.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1656-1658
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• 2003

고전압 대전류 시스템에 사용하는 스위치의 기본 요구조건은 저가, 긴 수명, 적은 지터와 대용량 그리고 seal-off 형태로 쉽게 설치하여 운전하는 것이다. 본 논문은 고전압 대전류용 Seal-off TVS (Triggered Vacuum Switch)를 개발하는 것을 목적으로 하고있다. 제작한 TVS는 양전극과 음전극이 교대로 고정된 간격으로 각각 3개의 전극으로 배열되어 있으며 전극은 사다리꼴 모양으로 되어있고 트리거 시스템과 개스를 흡수하는 게터가 내부에 설치되어 있다. 제작한 스위치 내부는 약 $10^{-7}$ torr의 진공상태를 유지하고 있으며 세라믹 챔버를 사용하여 Seal-off 상태로 설계, 제작하였다. TVS의 에너지 최고 전달량은 74 C 이며 30 kV, 100 kA, $1{\sim}2$ ms의 스위치를 제작하여 시험을 하였다. 스위치 시험 장치는 200 ${\mu}F$, 22 kV 6개를 병렬로 연결한 커패시터 뱅크와 160 ${\mu}H$의 인덕터와 0.2 ${\Omega}$의 저항을 이용하여 시험 장치를 구성하였다. 본 논문은 제작한 스위치의 전기적인 특성 시험한 결과에 대하여 논하고자 한다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• v.17 no.5
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• pp.705-711
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• 2007

Two novel strains of the Cytophaga-Flexibacter-Bacteroides(CFB) group, designated Gsoil $219^T$ and Gsoil $238^T$, were isolated from soil of a ginseng field of Pocheon Province in Korea. Both strains were Gram-negative, aerobic, nonmotile, nonspore-forming, and rod-shaped. Phylogenetic analysis based on 16S rRNA gene sequences indicated that both isolates belong to the genus Chitinophaga but were clearly separated from established species of this genus. The sequence similarities between strain Gsoil $219^T$ and type strains of the established species and between strain Gsoil $238^T$ and type strains of the established species ranged from 91.4 to 94.7% and 91.6 to 94.2%, respectively. Phenotypic and chemotaxonomic data(major menaquinone, MK-7; major fatty acids, $iso-C_{15:0}\;and\;C_{16:1}\omega5c$; major hydroxy fatty acid, $iso-C_{17:0}3-OH$; major polyamine, homospermidine) supported the affiliation of both strains Gsoil $219^T$ and Gsoil $238^T$ to the genus Chitinophaga. Furthermore, the results of physiological and biochemical tests allowed genotypic and phenotypic differentiation of both strains from the other validated Chitinophaga species. Therefore, the two isolates represent two novel species, for which the name Chitinophaga soli sp. nov.(type strain, Gsoil $219^T=KCTC\;12650^T=DSM\;18093^T$) and Chitinophaga terrae sp. nov.(type strain, Gsoil $238^T=KCTC\;12651^T=DSM\;18078^T$) are proposed.