• 전자공학회논문지A
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• 제28A권1호
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• pp.40-45
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• 1991

It is well known that the conventional differential source-coupled pair uses gates as its input terminals. This input pair provids a high open-loop gain, a large CMRR, and a good PSRR. For these reasons, the input pair has been used widely as an input stages of the differential amplifiers, but a narrow linear input range of this structurelimits its application in the area of some analog circuit design. A novel CMOS source-coupled backgate pair is proposed in this paper. The bulk of MOSFET is exploited and input devices are biased to operate in ohmic region. With this topology, the backgate pair of the wide linear input range and variable transconductance can be obtained. This backgate input differential stage is realized with the size of W/L=50/25 MOSFETs. The results show the nonlinear error is less than $\gamma$1% over 10V full-scale range for the bias current of 200$\mu$A with 10V single power-supply.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권9호
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• pp.104-113
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• 1994

We have fabricated n-p-n HBTs using 3-inchAlgaAs/GaAs hetero structure epi-wafers grown by MBE. DC and AC characteristics of HBT devices were measured and analyzed. For HBT epi-structure, Al composition of emitter was graded in the region between emitter cap and emitter. And base layer was designed with concentration of 1${\times}10^{19}/cm^{3}$ and thickness of 50nm, and Be was used as the p-type dopant. Principal processes for device fabrication consist of photolithography using i-line stepper, wet mesa etching, and lift-off of each ohmic metal. The PECVD SiN film was used as the inslator for the metal interconnection. HBT device with emitter size of 3${\times}10{\mu}m^{2}$ resulted in cut-off frequency of 35GHz, maximum oscillation frequency of 21GHz, and current gain of 60. The distribution of the ideality factor of collector and base current was very uniform, and the average values of off-set voltage and current was very uniform, and the average values of off-set voltage and current gain were 0.32V and 32 within a 3-inch wafer.

• 대한전자공학회논문지TE
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• 제37권2호
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• pp.1-5
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• 2000

금속이온 농도를 변화시켰을때의 IMI-O 고분자 LB막에 대한 단분자막의 거동과 MIM구조의 LB막 소자에 대한 전기 특성 및 유전 특성을 조사하였다. π-A 등온선의 측정에서 금속 이온 농도가 증가함에 따라 단분자가 차지하는 극한 단면적이 증가하였다. 이러한 변화는 금속이온 농도 변화에 따른 금속이온의 강도 증가에 의한 단분자막의 거동의 차이에 의한 것으로 생각된다. 전압-전류 특성에서 ohmic 영역의 기울기로부터 구한 전기전도도는 금속 이온의 농도가 증가할 수록 증가하였다. 이것은 전개분자와 금속이온간의 결합에 의한 극한 단면적의 변화가 전기전도도에 직접적인 관계가 있기 때문으로 생각된다. 한편, 유전 특성에서 금속이온의 농도가 증가할 수록 허수부 유전율이 최대가 되는 주파수 역시 증가하였다. 따라서 금속이온의 증가에 의해 완화시간 γ가 감소되는 것을 알 수 있었다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제28권6호
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• pp.663-668
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• 2017

SOFC anode fabricated core-shell using machano-fusion method using core with submicron size Ni, nano size YSZ for shell. Using prepared core-shell, depending on the thickness of the shell, we studied how the characteristics of sintering and SOFC cell change by sintering the anode. The Ni-YSZ core-shell has a Ni core of 0.5 to $1.2{\mu}m$ over 2 to 7 YSZ of 15 to 20 nm is, and as the high speed mixing time increases, the YSZ number increases and the shell thickness becomes uniform increased. When the fuel electrode is manufactured with core-shell, it has superior sintering property, has grain of uniform size compared with the one synthesized by general mixing, the falling path is short, the conductors (electrons and ions) connection is excellent, the electrical conductivity has become excellent. The thicker the shell, the lower the electrical conductivity. When the thickness of shell ranged from 46 to 139 nm and 61 to 81 nm, the performance was the highest and the ASR was the smallest.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제16권3호
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• pp.249-254
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• 1999

The N-docosyl N'-methyl viologen-$(TCNQ)_2$, (DMVT) was synthesized. We investigated the ${\pi}-A$ isotherm of DMVT to find the optimal deposition condition. Temperature-dependent current-voltage characteristics of the DMVT LB films shows that there is an increase in conductivity at 330K or so. The in-plane electrical conductivity at room temperature is in the range of $10^{-7}{\sim}10^{-6}S/cm$. From the plot of logarithmic conductivity as a function of reciprocal temperature, two types of activation energies, 0.04eV and 0.73eV, were obtained depending on the temperature range. The Ohmic behaviour was observed below 0.6V and the Schottky effect was confirmed at $2.5{\sim}6V$, when the I-V characteristics was measured with Al/LB film/Al structure. I-V measurement for Al/LB film/ITO structure showed the asymmetrical I-V relationship, which resulted from the rectification property.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.331-331
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• 2014

3족 질화물에 기반한 발광다이오드는 비소화물이나 인화물에 비해 여러 가지 장점을 가져 각광받아왔다. 특히, (Al)GaN 에 기반한 자외선 영역 발광 다이오드는 자외선 경화, 소독 등의 여러 가지 응용 가능성을 가진다 [1]. 하지만, 심자외선 영역으로 갈수록 높은 접촉 저항과 투명전극에서의 광흡수에 의해 전류주입 효율과 광추출 효율이 감소하여 결국 외부양자 효율이 더욱 열화되는 특성을 보인다. 이는 넓은 밴드갭을 가지는 물질을 이용하여 p-(Al)GaN 층에서 오믹접촉을 이루어야만 해결이 가능하지만 아직까지 이러한 결과가 보고된 바 없다. 본 연구에서는, 우리는 넓은 밴드갭을 가지는 silicon dioxide (SiO2) 에 전기장을 인가하여 p-GaN, and p-AlGaN 층에 전도성 필라멘트를 형성하여 전기전도도를 부여하는 연구를 진행하였다. p-GaN 과 p-AlGaN 위에서 5 nm 두께의 SiO2는 schottky 한 특성과 280 nm의 파장대역에서 약 97%의 투과율을 보였다. 비록 schottky 장벽이 형성되었지만, 전기전도도가 크게 향상되었으며 심자외선 영역에서 매우 낮은 흡수율을 보였다. 이는 기존의 증착후 열처리를 거쳐 제조된 전극에 비하여 우수한 특성을 지니며 향후 심자외선 영역 발광다이오드의 p-(Al)GaN 층 위에 오믹접촉을 이룰수 있는 가능성을 제시한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.338.2-338.2
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• 2014

투명반도체산화물은 우수한 광학적, 전기적 특성을 가지고 있기 때문에 차세대 박막트랜지스터의 채널층으로 각광을 받고 있다. 특히, 그 중에서도 a-IGZO를 이용한 TFT는 높은 가시광선 투과율(>80%)과 큰 전하이동도(>10 cm2/Vs) 를 갖는 등 좋은 광학적, 전기적 특성을 갖기 때문에 많은 연구가 이루어졌다. 여러 연구들에 의하면, a-IGZO TFT는 소스/드레인의 전극으로 어떤 물질을 사용하는지에 따라서 동작특성에 큰 영향을 미치는 것으로 알려져 있다. 일반적으로, a-IGZO 박막은 n형 반도체로써 일함수가 작은 금속과는 ohmic contact를 형성하고, 일함수가 큰 금속과는 Schottky barrier를 형성한다고 알려져 있다. 이와 관련된 대부분의 이전의 연구들에서는 각각의 전극물질에 따라 전기적인 특성변화에 초점을 맞춰서 연구하였다. 본 연구에서는 일함수가 작은 Ag와 일함수가 큰 Au를 a-IGZO의 박막 위에 얇게 증착하면서 이에 따른 고분해능 광전자분광(high-resolution x-ray photoelectron spectroscopy) 정보의 변화를 분석함으로써, 금속의 증착에 따른 금속층과 a-IGZO 표면 및 계면에서의 화학적 상태의 변화를 연구하였다. Au 4f, Ag 3d는 metallic property를 나타내기 이전까지는 lower binding energy(BE) 쪽으로 shift하였으며, In 3d 또한 lower BE 성분이 크게 증가하였다. O 1s, Ga 3d, Zn 3d들은 상대적으로 적은 변화를 나타내었는데, 이는 Ag, Au가 In과 상대적으로 더 많이 상호작용한다는 것을 의미한다. 본 발표에서는 이들 core level의 정보들과, 가전자대의 분광정보, 그리고 band bending의 정보가 제시될 것이며, 이 정보들은 metal 증착에 따른 contact 특성을 이해하는데 기여할 것으로 기대한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.41-46
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• 2002

In this work, we studied electrical characteristics and leakage current mechanism of Au/$Ta_2O_5$/Si metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. $Ta_2O_5$ thin film (63nm) was deposited by atomic layer deposition (ALD) method at temperature of $235^{\circ}C$. The structures of the $Ta_2O_5$ thin films were examined by X-Ray Diffraction (XRD). From XRD, the structure of $Ta_2O_5$ was single phase and orthorhombic. From capacitance-voltage (C-V) analysis, the dielectric constant was 19.4. The temperature dependence of current-voltage (I-V) characteristics of $Ta_2O_5$ thin film was studied from 300 to 423 K. In ohmic region (<0.5 MVcm${-1}$), the resistivity was $2.4056{\times}10^{14}({\Omega}cm)$ at 348 K. The Schottky emission is dominant in lower temperature range from 300 to 323 K and Poole-Frenkel emission dominant in higher temperature range from 348 to 423 K.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권9호
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• pp.745-750
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• 2000

The (S $r_{0.85}$C $a_{0.15}$) Ti $O_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode (Pt/TiN/ $SiO_2$/Si) using RF sputtering method at various deposition temperature. The crystallinity of SCT thin films were increased with increase of deposition temperature in the temperature range of 200~500[$^{\circ}C$]. Also, the composition of SCT thin films were closed to stoichiometry (1.080~1.111 in A/B ratio). V-I characteristics of SCT thin films show the increasing leakage current with the increases of deposition temperature. The conduction mechanism of the SCT thin films observed in the temperature range of 25~100[$^{\circ}C$] can be divided into four regions with different mechanism by the increasing current. The region I below 0.8[MV/cm]shows the ohmic conduction. The region II between 0.9~2[MV/cm] is in proportion to J∝ $E^{1.5}$ , the region III between 2~4[MV/cm] can be explained by the Child’s law, and the region IV above 4[MV/cm]is dominated by the tunneling effect.ect.

• Progress in Superconductivity
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• 제1권2호
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• pp.110-114
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• 2000

We have investigated the Josephson vortex dynamics in $Bi_2Sr_2CaCu_2O{8+\delta}$ intrinsic Josephson junctions subjected to a magnetic field parallel to $CuO_2$ planes. We investigated mesas with $40\times40{\mu}m^2$ in size and containing 6 and 20. intrinsic junctions. The zero field I-V characteristics exhibited a typical hysteretic, multi-branched nature of the intrinsic Josephson effect. At high magnetic fields (H>1.5 T), I-V characteristics showed flux flow steps. The Swihart velocity obtained from this observation was about $4.2\times10^5$ m/s, which was the lowest mode electromagnetic wave velocity of N coupled stack. The experimental I-V curves fitted well into the simple model of Cherenkov radiation including Ohmic and non-linear dissipation terms. This suggests that the dissipation mechanism of Josephson vortex be due to both Cherenkov radiation and quasiparticle tunneling current.