Steady state thermal analysis has been done by a finite element method in a diode of 12kV blocking voltage. The diode was fabricated by soldering ten pieces of 1200V diodes in series, capping a dummy wafer at the far end of diode series, and finally wire bonded for building anode and cathode terminal. In order to achieve high voltage and reliability, the edge of each diode was beveled and passivated by resin with a thickness of 25${\mu}$m. It was assumed that the generated heat which is mainly by the on-state voltage drop, 9V for 12kV diode, is dissipated by way of the conduction through diodes layers to bonding wire and of the convection at the surface of passivating resin. It was predicted by the thermal analysis that the temperature rise of a pn junction of the 12kV diode can reach at the range of 16∼34$^{\circ}C$ under the given boundary conditions. The thickness and thermal conductivity(0.3∼3W/m-K) of the passivating resin did little effect to lower thermal resistance of the diode. As the length of the bonding wire increased, which means the distance of heat conduction path became longer, the thermal resistance increased considerably. The thermal analysis results imply that the generated heat of the diode is dissipated mainly by the conduction through the route of diode-dummy wafer-bonding wire, which suggests to minimize the length of the wire for the lowest thermal resistance.
본 논문에서는 비선형 모델링 기법을 이용하여 matrix convertor로 구동되는 유도전동기 구동장치의 성능개선을 위한 새로운 센서리스 기법을 제안한다. 각 스위치에서 발생하는 전환지연과 스위치 소자의 전압강하등과 같은 matrix converter의 비선형 특성을 모델링하여 보상함으로써 저속영역에서의 속도제어성능을 향상시킨다. 전속도 영역에서의 속도 센서리스 제어성능을 향상시키기 위해 축소차원 확장 루엔버거 관측기를 적용하고, 제안한 관측기 이득의 설정방법을 제안한다. 실험을 통해 제안한 제어 알고리즘의 타당성을 검증한다
The electric traction load is quite differ from general power system load which is single-phase, high-speed heavy load receiving power from 3-phase power system and also has variable load characteristics over time and space. Therefore, there are inevitably power quality problems such as steady state or transient voltage drop, voltage imbalance and harmonic distortion. In addition, it is expected that transient voltage sag could affect the safety of feeding system. Thus, in this paper transient analysis and voltage sag compensation of AT(Auto Transformer) feeding system are studied. The fault study of traction network is analysed by using PSCAD/SMTDC simulation tool. In addition, application of DVR in electric traction system is proposed to compensate the voltage sag of traction network which is occurred by the fault of utility source. The results of fault study will be a useful research works for operation and setting of electric traction relay. Also, it can be shown that application of the DVR in electric system is very useful to compensate the voltage sag from the result of related simulated work. The results of study will be a useful research works for management and planning of power quality in electric traction system.
This paper provides the up to date review of the shading effects on PV module performance and the associated detection algorithm related to the maximum power point tracking. It includes the brief explanations of the MMP variations due to the shading occurrence on the PV modules. Review of experimental and simulation studies highlighting the significant impacts of shading on PV efficiencies were presented. The literature indicates that even the partial shading of a single cell can greatly drop the entire module voltage and power efficiency. The MMP tracking approaches were also reviewed in this study. Both conventional and advanced soft computing methods such as ANN, FLC and EA were described for the proper tracking of MMP under shaded conditions. This paper would be the basic source and the comprehensive information associated with the shading effects and relevant MPP tracking technique.
Release competition and development of eco-friendly vehicles have been conducted violently also automaker, it will be a high growth industry of the charger and battery, which is the driving source of the motor of an electric vehicle. Reduces the on-resistance power elements DC - DC converter for battery charger for electric vehicles, must minimize switching losses. Should have a low on-resistance power than existing products. Compare the Super Junction MOSFET and Planar MOSFET, As a result, super junction MOSFET improve on about 87.4% on-state voltage drop performance than planar MOSFET.
Lithium anodes (13, 15, 17, and 20 wt% Li) were fabricated by mixing molten lithium and iron powder, which was used as a binder to hold the molten lithium, at about $500^{\circ}C$ (discharge temp.). In this study, the effect of applied pressure and lithium content on the discharge properties of a thermal battery's single cell was investigated. A single cell using a Li anode with a lithium content of less than 15 wt% presented reliable performance without any abrupt voltage drop resulting from molten lithium leakage under an applied pressure of less than $6kgf/cm^2$. Furthermore, it was confirmed that even when the solid electrolyte is thinner, the Li anode of the single cell normally discharges well without a deterioration in performance. The Li anode of the single cell presented a significantly improved open-circuit voltage of 2.06 V, compared to that of a Li-Si anode (1.93 V). The cut-off voltage and specific capacity were 1.83 V and $1,380As\;g^{-1}$ (Li anode), and 1.72 V and $1,364As\;g^{-1}$ (Li-Si anode). Additionally, the Li anode exhibited a stable and flat discharge curve until 1.83 V because of the absence of phase change phenomena of Li metal and a subsequent rapid voltage drop below 1.83 V due to the complete depletion of Li at the end state of discharge. On the other hand, the voltage of the Li-Si anode cell decreased in steps, $1.93V{\rightarrow}1.72V(Li_{13}Si_4{\rightarrow}Li_7Si_3){\rightarrow}1.65V(Li_7Si_3{\rightarrow}Li_{12}Si_7)$, according to the Li-Si phase changes during the discharge reaction. The energy density of the Li anode cell was $807.1Wh\;l^{-1}$, which was about 50% higher than that of the Li-Si cell ($522.2Wh\;l^{-1}$).
The effects of the local lifetime control on the characteristics of IGBT are investigated using the 2-dimensional device simulator, MEDICI. Many lumped resistive turn-off simulations are carried out to analyze the effects of the minority carrier lifetime, the width, and the position of the region with a reduced local minority carrier lifetime. As a result of these simulations, it is concluded that the on state voltage drop$(V_{CE,SAT})$ is only slightly increased while the switching behavior is greatly improved if the low lifetime region is properly set. And these results are compared with IGBTs having uniform lifetime.
Improvement on the switching characteristic of IGBT by means of the uniform and local lifetime control is studied numerically using two-dimensional simulator, MEDICI. In the case of uniform lifetime control, the on-state and switching characteristics are simulated as a function of lifetime, and compared with the experimental results reported, which allows a relationship between dose of electron irradiation and controlled lifetime. In the case of local lifetime control, simulations are carried out by varying the position, width, and lifetime of the locally controlled region, and the results are compared with the characteristics for the case of the uniform lifetime control. The turn-off time of the device with an optimized locally controlled region is found to decrease from about $4.5\mus$ to 0.11$mutextrm{s}$ while the forward voltage drop increases from 1.37V to 2.61V in comparison with that for the uniform lifetime control.
In this paper, the effects of trap distribution on switching characteristis of a lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) are investigated. The simulations are performed in order to to analyze the effect of the positon, width and concentration of trap distribution model with a reduced minority carrier lifetime using 2D device simulator MEDICI. The turn off time for the proposed LIGBT model A with the trap injection is 0.8$mutextrm{s}$. These results indicate the improvement of about 2 times compared with the conventional LIGBT. It is shown that the trap distribution model is very effective to reduce the turn-off time with a little increasing of on-state voltage drop.
The polymer nanocomposite as a gate dielectric film was prepared via sol-gel method. The formation of crosslinked structure among nanofillers and polymer matrix was proved by Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). Differential thermal analysis (DTA) results showed significant increase in the thermal stability of the nanocomposite with respect to that of pure polymer. The nanocomposite films deposited on the p- and n-type Si substrates formed very smooth surface with rms roughness of 0.045 and 0.058 nm respectively. Deconvoluted $Si_{2s}$ spectra revealed the domination of the Si-OH hydrogen bonds and Si-O-Si covalence bonds in the structure of the nanocomposite film deposited on the p- and n-type Si semiconductor layers respectively. The fabricated n-channel field-effect-transistor (FET) showed the low threshold voltage and leakage currents because of the stronger connection between the nanocomposite and n-type Si substrate. Whereas, dominated hydroxyl groups in the nanocomposite dielectric film deposited on the p-type Si substrate increased trap states in the interface, led to the drop of FET operation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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