We propose a method for improving the reliability of a solar cell by applying a fluorinated surface coating to protect the cell from the outdoor environment using an atmospheric pressure plasma (APP) treatment. An APP source is operated by radio frequency (RF) power, Ar gas, and $O_2gas$. APP treatment can remove organic contaminants from the surface and improve other surface properties such as the surface free energy. We determined the optimal APP parameters to maximize the surface free energy by using the dyne pen test. Then we used the scratch test in order to confirm the correlation between the APP parameters and the surface properties by measuring the surface free energy and adhesive characteristics of the coating. Consequently, an increase in the surface free energy of the cover glass caused an improvement in the adhesion between the coating layer and the cover glass. After treatment, adhesion between the coating and cover glass was improved by 35%.
Cu circuits were successfully fabricated on flexible PET(polyethylene terephthalate) substrates using wettability difference and electroless plating without an etching process. The wettability of Cu plating solution on PET was controlled by oxygen plasma treatment and $SiO_x$-DLC(silicon oxide containing diamond like carbon) coating by HMDSO(hexamethyldisiloxane) plasma. With an increase of the height of the nanostructures on the PET surface with the oxygen plasma treatment time, the wettability difference between the hydrophilicity and hydrophobicity increased, which allowed the etchless formation of a Cu pattern with high peel strength by selective Cu plating. When the height of the nanostructure was more than 1400 nm (60 min oxygen plasma treatment), the reduction of the critical impalement pressure with the decreasing density of the nanostructure caused the precipitation of copper in the hydrophobic region.
Transformer Coupled Plasma Chemical Vapor Deposited (TCP-CVD) silicon nitride (SiNx) is widely used as a gate dielectric material for thin film transistors (TFT). This paper reports the SiNx films, grown by TCP-CVD at the low temperature (30$0^{\circ}C$). Experimental investigations were carried out for the optimization o(SiNx film as a function of $N_2$/SiH$_4$ flow ratio varying ,3 to 50 keeping rf power of 200 W, This paper presents the dielectric studies of SiNx gate in terms of deposition rate, hydrogen content, etch rate and leakage current density characteristics lot the thin film transistor applications. And also, this work investigated means to decrease the leakage current of SiNx film by employing $N_2$ plasma treatment. The insulator layers were prepared by two step process; the $N_2$ plasma treatment and then PECVD SiNx deposition with SiH$_4$, $N_2$gases.
The influence of the subsequent-annealing (SA) treatment on plasma electrolytic oxidation (PEO)-treated Mg-based alloy was investigated and the dependence of the dehydration reaction on the SA temperature was also studied. For this purpose, a series of the SA treatments were carried out on the coated samples at two different temperatures, i.e. 423 and 523 K for 10 h. In contrast to the sample without SA treatment, the sample annealed at 523 K exhibited a significant difference in term of surface morphology since the MgO content in the oxide layer increased with increasing SA temperature. With increasing SA temperature, the dehydration of $Mg(OH)_2$ led to the increase in the relative amount of the MgO, which was a hard phase. From the nano-indentation results, the applied loads of the samples were seen to increase as SA temperature increased. However, the corrosion resistance of the sample annealed at 423 K was higher than that of the samples annealed at 523 K.
Oxide layers were prepared on Al2021 alloys substrate under a hybrid voltage of AC 200 V (60 Hz) combined with DC 260 V value at room temperature within $5{\sim}60\;min$ by plasma electrolytic oxidation (PEO). An optimized aluminate-fluorosilicate solution was used as the electrolytes. The surface morphology, thickness and composition of layers on Al2021 alloys at different reaction times were studied. The results showed that it is possible to generate oxide layers of good properties on Al2021 alloys in aluminate-fluorosilicate electrolytes. Analysis show that the double-layer structure oxide layers consist of different states such as ${\alpha}-{Al_2}{O_3}$ and ${\gamma}-{Al_2}{O_3}$. For short treatment times, the formation process of oxide layers follows a linear kinetics, while for longer times the formation process slows down and becomes a steady stage. During the PEO processes, the average size of the discharge channels increased gradually as the PEO treatment time increased.
$Y_2O_3$ 세라믹 소결체를 제작하기 위해, $Y_2O_3$ 분말을 분산한 상태에서 슬러리에 pH 조절제인 NaOH를 첨가하였으며 결합제로는 PVA, 가소제로는 PEG를 첨가하여 열분무 건조 공정을 거쳐 $Y_2O_3$ 과립형 분말을 제조하였다. ${\phi}14mm$ 크기의 $Y_2O_3$ 세라믹 성형체를 성형하고, $1650^{\circ}C$의 온도에서 소결하여 $Y_2O_3$ 세라믹 소결체를 제작하였다. $Y_2O_3$ 소결체의 미세구조, 밀도 및 내플라즈마 특성이 성형압력 및 소결시간에 따라 분석되었다. $Y_2O_3$ 소결체는 $CHF_3/O_2/Ar$ 플라즈마에 노출시켜, $Ar^+$ 이온빔에 의한 물리적반응 식각과 $CHF_3$로부터 분해된, $F^-$ 이온에 의한 화학적반응 식각에 의한 건식 식각 처리가 이루어졌다. 본 연구에서 $Y_2O_3$ 소결체 소결시간의 증가에 따라, 비교적 높은 밀도를 나타내었으며, 내플라즈마 특성이 향상되는 것으로 나타났다.
본 연구에서는 새집증후군 유발 가스인 초산 가스에 대한 활성탄소섬유의 흡착 성능을 향상시키기 위하여, 산소플라즈마 처리를 통해 활성탄소섬유에 산소작용기를 도입하였다. 산소플라즈마 처리 시 주입되는 산소 가스의 유량이 증가할수록 산소플라즈마 활성종이 더 많이 생성되었다. 이로 인해 물리적 및 화학적인 식각이 더 많이 발생하여 활성탄소섬유의 비표면적이 감소하였다. 특히, 60 sccm의 산소 가스 유량이 주입된 시료(A-O60)의 비표면적의 경우 미처리 시료와 비교하여 약 6.95% 감소된 $1.198m^2/g$까지 감소하였다. 반면, 산소플라즈마 처리 시 주입되는 산소 가스의 유량이 증가할수록 활성탄소섬유 표면에 도입되는 산소 함량이 증가하였으며, 최대 35.87%까지 도입되었음을 확인하였다. 또한, 산소플라즈마 처리된 활성탄소섬유의 초산 가스 흡착 성능은 미처리 활성탄소섬유 대비 최대 43% 향상되었다. 이것은 산소플라즈마 처리에 의해 도입되는 O=C-O와 같은 산소작용기와 초산 분자 사이의 쌍극자 모멘트에 의한 수소결합 형성에 기인한다.
Low temperature atmospheric pressure plasmas (APPs) have been known to be effective for living cell inactivation in the water [1]. Many earlier research found that pH level of the solution was changed from neutral to acidic after plasma treatment. The importance of the effect of acidity of the solution for cell treatments has already been reported by many experiments. In addition, several studies have demonstrated that the addition of a small amount of oxygen to pure helium results in higher sterilization efficiency of APPs [2]. However, it is not clear yet which species are key factors for the cell treatment. To find key factors, we used GMoo simulation. We elucidate the processes through which pH level in the solution is changed from neutral to acidic after plasma exposure and key components with pH and air variation with using GMoo simulation. First, pH level in a liquid solution is changed by He+ and He(21S) radicals. Second, O3 density decreases as pH level in the solution decreases and air concentration decreases. It can be a method of removing O3 that cause chest pain and damage lung tissue when the density is very high. H2O2, HO2 and NO radicals are found to be key factors for cell inactivation in the solution with pH and air variation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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