Park, Jae-Sung;Kim, Young-Tae;Hur, Kang-Heon;Han, Young-Ho
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.46
no.2
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pp.189-199
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2009
The Powder characteristics and sintering behavior of $SiO_2$ coated $BaTiO_3$ were studied. $BaTiO_3$ powders were synthesized by the liquid mix method developed by Pechini, and silica coating was prepared by alkoxide hydrolysis method with TEOS and ethanol. The particle size of the $BaTiO_3$ powders was 35 nm and the thickness of the $SiO_2$ coating layer was 5 nm. As the $SiO_2$ content increased, the $SiO_2$ layers improved the powder dispersion by increasing electrostatic repulsion between the $BaTiO_3$ particles. Effects of MgO coating on microstructure and dielectric properties of $BaTiO_3$ have been studied compared with mechanically MgO mixed $BaTiO_3$. MgO coated $BaTiO_3$ particles were prepared by a homogeneous precipitation method using $MgCl_2\cdot 6H_2O$ and urea. MgO coated $BaTiO_3$ exhibited homogeneous microstructure compared with mixed samples. XRD analysis revealed that Mg substitution for the Ti site in the MgO mixed sample was much greater than in the coated one. Electrical properties of MgO mixed and coated $BaTiO_3$ were affected by the diffusion behavior of Mg in $BaTiO_3$ lattice.
M type hexa-ferrites were prepared by means of a solid state reaction using mill scale, $Fe_{2}O_{3}$, and the mixture of mill scale and $Fe_{2}O_{3}$. The mixture of powders were calcined at $1150^{\circ}C$ for 2 hrs. and sintered at $1250^{\circ}C$ for 2 hrs, with varing the mole ratio of $Fe_{2}O_{3}$/$BaCO_{3}$, by 5.2~6.0. And the magnetic properties and morphologies of Baferrites with impurities such as $SiO_{2},\;Al_{2}O_{3},\;MgO,\;CaO\;and\;Na_{2}O$ in the mill scale were investigated. The magnetic properties were worsened by the addition of $Na_{2}O because of non-reacted iron oxide and intermediate compound of $BaFe_{2}O_{4}$ but they were improved apparently by the addition of $Si_{2}$ and $Al_{2}O_{3}$ in the composition of $BaO.5.6Fe_{2}O_{3}$. Moreover, $M_{s}$ decreased but $_{B}H_{C}$ increased through the addition of $Al_{2}O_{3}$ in Ba-ferrite. ${(BH)}_{max}$ of sintered BM($BaCO_{3}$, mill scale mixture) and BFM($BaCO_{3}$, $Fe_{2}O_{3}$, and null scale mixture) were 0.86 and 1.04 MGOe, respectively, and the magnetic properties were changed around $440^{\circ}C$.
In this paper, we propose the formation of an $Al_2O_3$ pre-layer using a protective Si-oxide layer and Al layer. Deposition of a thin film layer of aluminum onto a Si surface covered with a thin Si-oxide layer and annealing at $800^{\circ}C$ led to the growth of epitaxial $Al_2O_3$ layer on Si(111). And ${\gamma}-Al_2O_3$ layer was grown on the $Al_2O_3$ per-layer. Etching of the Si substrate by $N_2O$ gas could be avoided in the initial growth stage by the $Al_2O_3$ pre-layer. It was confirmed that the $Al_2O_3$ pre-layer was effective in improving the surface morphology of the very thin ${\gamma}-Al_2O_3$ films.
Cr2O3 doped Pb(Zr0.525 Ti0.475)O3 piezoelectric ceramics were prepared from reagent grade oxide mixture, PbO, ZrO2, TiO2 and Cr2O3. Piezoelectric and aging properties of specimens were measured for various additions of Cr2O3. Generally, it has been known that aging rate decreased with Cr2O3 addition by stabilizing the domain wall. But hysteresis loops showed that the domain destabilization was occurred at high electric field (larger than 10KV/cm). In smaller additions of Cr2O3 (0-0.2mol%), aging rate increased and microcracks were created with increasing poling filed due to increasing internal stress. In larger additions of Cr2O3(0.4∼0.6mol%), aging rate decreased with increasing poling field.
Effects of ${AI_2O_3}/{P_2O_5}$ ratio on the crystallization of a series of glasses with the nominal composition of 41.4wt % $SiO_2$, 35.0wt % CaO, 20.6wt % (${P_2O_5}$+${AI_2O_3}$) and 3.0wt% MgO were investigated with DTA, XRD and SEM. The major crystalline phases are apatite and anorthite. The glass transition temperature ($T_g$) and the softening point ($T_s$) are shifted to the upper temperature by increasing $AI_2O_3$ content. The temperature of apatite crystallization ($T_{p1}$) is increased by $AI_2O_3$ content, but the tempera¬ture of anorthite crystallization ($T_{p2}$) is not affected significantly. With increased of $AI_2O_3$, the apatite crystallization is decreased, but anorthite crystallization is increased.
A gas sensor which has been made by wet process had fabricated by coating each of the mixture on alumina tube and firing at 85$0^{\circ}C$ for 3hrs. A gas concentration such $H_2$, CO, $C_3H_8$, $C_2H_2$ and $CH_4$ vs its detection voltage characteristics has been in-vestigated on $SnO_2-In_2O_3-MgO$ system doped with PdO, $La_2O_3$, $ThO_2$, NiO and $Nb_2O_5$ The optimum sensitivity composition for various gases were 90w/o $SnO_2$-9w/o $In_2O_3$-1w/o MgO for $H_2$, $C_2H_2$ CO and $C_3H_8$ and 95w/o $SnO_2$-4w/o $In_2O_3$-1w/o MgO for $CH_4$. The sample which has been made by wet process than dry process had predominated sensitivity for each gases and particle size of the sample coprecipitated with PH=9 was 0.1${\mu}{\textrm}{m}$ The $SnO_2$-In2_O_3-MgO$ system doped with 2w/o $Nb_2O_5$ and NiO was the most sensitive for $H_2$ and $C_2H_2$ gas. In $SnO_2$-In2_O_3-MgO$ system doped with $ThO_2$ the sensitivity of $H_2$ gas was decreased but CO gas was in-creased when dopant con was increased.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.369-372
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2000
ZnO varistor is studied to sintering condition and mixing condition for the improvement to non linear of electrical characteristics. In this paper, ZnO varistor, ZnO-Bi$_2$O$_3$-Y$_2$O$_3$-MnO-Cr$_2$O$_3$-Sb$_2$O$_3$series, is fabricated with Sb$_2$O$_3$mol ratio(0.5~4[mol%]) and sintered at 1250[$^{\circ}C$] for 2 hours. The grain size to Sb$_2$O$_3$moi ratio was measured by fractal mathematics. The ZnO varistors that Sb$_2$O$_3$mot ratio is 1[mol%] were shown small grain size because of spinel phase. The fractal dimension were increased with increasing of Sb$_2$O$_3$mo ratios. The capacitance of ZnO varistors with increasing of Sb$_2$O$_3$additive in voltage-capacitance characteristics was decreased by small grain size.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.15
no.8
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pp.708-712
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2002
The crystallization of amorphous $\alpha$-Fe$_2$O$_3$/$\alpha$-AI$_2$O$_3$(0001) thin films during thermal annealing in air has been studied using real-time synchrotron x-ray scattering. The well aligned (0.02$^{\circ}$/ FWHM) $\alpha$-Fe$_2$O$_3$and Fe$_3$O$_4$interfacial crystallites (50- -thick) coexist on the $\alpha$-AI$_2$O$_3$(0001) in the sputter-grown amorphous films at room temperature. The amorphous precursor is crystallized to the epitaxial $\alpha$-Fe$_2$O$_3$grains in three steps with annealing temperature; i ) the growth of the well aligned $\alpha$-Fe$_2$O$_3$interfacial crystallites, together with the transformation of the Fe$_3$O$_4$crystallites to the $\alpha$-Fe$_2$O$_3$ crystallites, ii ) the growth of the less aligned (3.08$^{\circ}$ FWHM)$\alpha$-Fe$_2$O$_3$grains on the well aligned grains (>40$0^{\circ}C$), and iii) the nucleation of the other less aligned (1.39$^{\circ}$ FWHM) $\alpha$-Fe$_2$O$_3$grains directly on the $\alpha$-AI$_2$O$_3$substrate (>$600^{\circ}C$). The effective thickness thinner than 230 may be very useful for enhancing the epitaxial quality of $\alpha$-Fe$_2$O$_3$/AI$_2$O$_3$(0001) thin films.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.10
no.3
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pp.233-238
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2000
t-$ZrO_2/Al_2O_3$composites having a superior biocompatability and phase stability were prepared by adding 0~4 mol% of $Eu_2O_3$and sintered for 1 h at $1600^{\circ}C$ to evaluate phase stability, chromaticity and mechanical properties of the composites. No tetragonal to monoclinic phase transformation was observed for the composites containing $Eu_2O_3$after heat treatment for 20 h at $180^{\circ}C$ under 3.5 MPa water vapor pressure condition. As $Eu_2O_3$content increased, the color of the composites was changed from a slight white ivory to a light pink. The strength and the fracture toughness of the composites containing $Eu_2O_3$were above 620 MPa and 7.6 MPa.$m^{1/2}$, respectively, when $Eu_2O_3$was added up to 3 mol%.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.297-299
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1999
Effects of additives on the ceramic and electrical properties of Pb(Y$_{1}$2/Ta$_{1}$2/)O$_3$-PbZrO$_3$-PbTiO$_3$ceramics in a perovskite type structure were investigated. The dielectric and piezoelectric properties of the base composition were improved markedly through selection of Fe$_2$O$_3$ additives in proper amounts. The composition Pb(Y$_{1}$2/Ta$_{1}$2/)O$_3$-PbZrO$_3$-PbTiO$_3$ obtained the dielectric constant ($\varepsilon$$_{r}$=1,425). Also, electromechanical couping factors for planar(k$_{p}$) and piezoelectric constant(d$_{33}$) were obtained 0.50 and 294[pC/N] at the additives 0wt% Fe$_2$O$_3$ respectively. The mechanical quality facor(Q$_{m}$) of Pb(Y$_{1}$2/Ta$_{1}$2/)O$_3$-PbZrO$_3$-PbTiO$_3$+Fe$_2$O$_3$(0.3 wt%) is about 510.510.510.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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