• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2005.11a
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• pp.931-933
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• 2005

Windows CE는 Microsoft사의 Windows 운영체제 가운데서 가장 작은 운영체제로서 일반 데스크톱 Windows 커널을 수용할 수 없는 소형/임베디드 장비에서 주로 사용되어진다. 현재 Windows CE에서 사용되고 있는 부트로더로는 E-boot(Ethernet bootloader)가 있으며 RAM 이미지와 플래시 이미지 다운로드 기능을 제공한다. E-boot의 문제점으로는 플래시 메모리상에서 부팅을 수행하기 때문에 NOR 타입의 플래시만을 지원하여, 컴팩트 플래시와 같은 NAND 타입의 플래시 지원하지 않는다. 이는 OS Binary 이미지의 용량이 NOR 플래시를 초과할 경우에 수행이 불가능하다는 문제를 발생시킨다. 따라서 본 논문에서는 기존의 E-boot를 수정하여 NDR 플래시보다 상대적으로 가격이 저렴하고 휴대성이 좋은 컴팩트 플래시 메모리를 이용하여 부팅이 가능한 부트로더를 구현한다. 또한 컴팩트 플래시 지원을 위한 새로운 읽기/쓰기 메카니즘을 소개한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.117-120
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• 2005

The SONOS devices have been fabricated by the conventional $0.35{\mu}m$ complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process with NOR array. Two-bit operation using conventional process achieve the high density memory compare with other two-bit memory. Lateral diffusion phenomenon in the two-bit operation cause soft error in the memory. In this study, the programming conditions arc investigated in order to reduce lateral diffusion for two-bit operation of CSL-NOR type SONOS flash cell.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.13 no.11
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• pp.914-920
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• 2000

When the charge-trap type SONOS(polysilicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor) cells are used to flash memory, the tunneling program/erase condition to minimize the generation of interface traps was investigated. SONOSFET NVSM(Nonvolatile Semiconductor Memory) cells were fabricated using 0.35 ㎛ standard memory cell embedded logic process including the ONO cell process, based on retrograde twin-well, single-poly, single metal CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) process. The thickness of ONO triple-dielectric for the memory cell is tunnel oxide of 24 $\AA$, nitride of 74 $\AA$, blocking oxide of 25 $\AA$, respectively. The program mode(V$\_$g/=7, 8, 9 V, V$\_$s/=V$\_$d/=-3 V, V$\_$b/=floating) and the erase mode(V$\_$g/=-4, -5, -6 V, V$\_$s/=V$\_$d/=floating, V$\_$b/=3 V) by MFN(Modified Fowler-Nordheim) tunneling were used. The proposed programming condition for the flash memory of SONOSFET NVSM cells showed less degradation(ΔV$\_$th/, S, G$\_$m/) characteristics than channel MFN tunneling operation. Also, the program inhibit conditins of unselected cell for separated source lines NOR-type flash memory application were investigated. we demonstrated that the phenomenon of the program disturb did not occur at source/drain voltage of 1 V∼12 V and gate voltage of -8 V∼4 V.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• v.8 no.1
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• pp.11-20
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• 2008

The structure of 2-bit/cell flash memory device was characterized for sub-50 nm non-volatile memory (NVM) technology. The memory cell has spacer-type storage nodes on both sidewalls in a recessed channel region, and is erased (or programmed) by using band-to-band tunneling hot-hole injection (or channel hot-electron injection). It was shown that counter channel doping near the bottom of the recessed channel is very important and can improve the $V_{th}$ margin for 2-bit/cell operation by ${\sim}2.5$ times. By controlling doping profiles of the channel doping and the counter channel doping in the recessed channel region, we could obtain the $V_{th}$ margin more than ${\sim}1.5V$. For a bit-programmed cell, reasonable bit-erasing characteristics were shown with the bias and stress pulse time condition for 2-bit/cell operation. The length effect of the spacer-type storage node is also characterized. Device which has the charge storage length of 40 nm shown better ${\Delta}V_{th}$ and $V_{th}$ margin for 2-bit/cell than those of the device with the length of 84 nm at a fixed recess depth of 100 nm. It was shown that peak of trapped charge density was observed near ${\sim}10nm$ below the source/drain junction.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2002.11a
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• pp.155-158
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• 2002

인터넷을 이용하여 전광판의 메시지를 원거리에서 손쉽게 변경할 수 있는 전광판 원격제어시스템을 구현하였다. 본 논문에서 구현한 시스템은 ARM720T코아가 내장된 EP7312를 CPU로 사용하였고 커널이미지를 저장하는 NOR Flash, SDRAM과 시리얼 포트, Ethernet 보드 등으로 구성하였다. 이 하드웨어에 리눅스 커널 2.4.1을 포팅(Porting)하고 리눅스 응용프로그램이 리눅스 상에서 실행되도록 하였다. 이렇게 구현된 전광판 원격제어시스템이 작동하면 리눅스가 부팅(Booting)되면서 응용 프로그램이 실행되어 Ethernet보드로 문자 데이터를 받을 수 있도록 초기화하고 데이터가 들어오기를 기다린다. 원거리에 있는 클라이언트 컴퓨터가 전광판 원격제어서버시스템에 접속하여 문자데이터를 전송하면 이 시스템은 Ethernet보드로 그 데이터를 받아서 다시 시리얼 포트에 연결된 전광판으로 보내는 기능을 한다. 그리하여 인터넷으로 원거리에 있는 전광판의 메시지를 클라이언트 컴퓨터에서 전광판 원격제어시스템으로 접속하여 문자를 입력받아 전송할 수 있는 프로그램을 이용하여 손쉽게 변경하였다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2004.04a
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• pp.178-180
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• 2004

최근 소형 모바일 기기들이 대중화되고 그 종류가 다양해지면서 플래시 메모리가 기본 저장 매체로서 많이 사용되고 있다. 플래시 메모리는 기존의 하드디스크 같은 자기 매체에 비해서 크기가 작고, 전력소모도 적으며 내구성도 높다. 멀티미디어 데이터를 다루는 기기들이 증가하면서 플래시 메모리 중에서도 비용이 저렴하고 단일 칩으로도 대용량을 가지는 NAND형 플래시 메모리를 저장장치로 사용하는 기기들이 계속해서 늘어나고 있다. NAND 플래시 메모리는 기존에 많이 사용되던 NOR 플래시 메모리와는 다른 않은 특징이 있다. 따라서 NAND 플래시 메모리에 적합한 저장 기법을 설계하기 위해서는 NAND 플래시 메모리의 특징을 잘 이해하고 이용해야 한다. 이에 본 논문에서는 NAND 플래시 메모리를 효율적으로 사용할 수 있도록 해주는 접근계층을 설계, 구현하고 이에 대한 구조와 세부 특징에 대해서 살펴본다. 본 논문에서 구현한 접근계층은 하드웨어에 종속적이지 않으며 NAND 플래시 메모리가 제공하는 다양한 기능을 상위 계층에서 충분히 활용할 수 있도록 설계되었다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2008.06b
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• pp.323-326
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• 2008

최근 플래시 메모리는 임베디드 시스템과 휴대용 기기 등에서 많이 사용되고 있다. 그 중 NAND 플래시 메모리는 대용량화가 가능해 NOR 플래시 메모리보다 더 많이 사용되고 있다. NAND 플래시 파일 시스템을 개발하기에 앞서 파일 시스템의 할당과 가비지 컬렉션 정책을 시험하기 위해서, 또는 실제 플래시 메모리에서 수행하기 힘든 지움 횟수 측정 실험을 하기 위해서 플래시 파일 시스템 시뮬레이터를 구현하여 실험을 한다. 하지만 이 시뮬레이터는 제한된 성능 비교를 할 수 밖에 없는 약점을 지니고 있다. 이 때문에 어느 한 성능 개선을 위해 제안한 기법으로 인해서 다른 성능이 저하될 수 있지만 이를 간과할 수도 있다. 본 논문에서는 NAND 플래시 파일 시스템의 전체적인 성능 평가를 수행할 수 있는 시뮬레이터를 설계하고 구현한다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2008.11a
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• pp.885-888
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• 2008

낸드(NAND) 플래시 메모리와 노어(NOR) 플래시 메모리의 장점을 결합시킨 원낸드(OneNAND) 플래시 메모리가 개발되면서 메모리의 시장에 큰 변화가 왔다. 그러나 기존의 낸드 플래시 메모리에서 사용되던 메모리 관리 기법이 그대로 원낸드 플래시 메모리에서 사용됨에 따라 원낸드 플래시 메모리만의 장점을 활용하지 못하고 있다. 본 논문에서는 기존의 메모리 관리 기법을 원낸드 플래시 메모리에 적합한 형태로 개선하였다. 제안 기법은 XIP 기능과 새로운 버퍼 관리 방법을 활용하여 원낸드 플래시 메모리의 성능을 최대한 이끌어 낸다. 그 결과 시스템의 전체적인 수행속도를 향상시킬 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.261-261
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• 2016

플래시 메모리 (flash memory)는 DRAM(dynamic racdom access memory)이나 SRAM(static random access memory)에 비해 소자의 구조가 매우 단순하기 때문에 집적도가 높아서 기기의 소형화가 가능하다는 점과 제조비용이 낮다는 장점을 가지고 있다. 또한, 전원을 차단하면 정보가 사라지는 DRAM이나 SRAM과 달리 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 지워지지 않는다는 특징을 가지고 있어서 ROM(read only memory)과 정보의 입출력이 자유로운 RAM의 장점을 동시에 가지기 때문에 활용도가 크다. 또한, 속도가 빠르고 소비전력이 작아서 USB 드라이브, 디지털 TV, 디지털 캠코더, 디지털 카메라, 휴대전화, 개인용 휴대단말기, 게임기 및 MP3 플레이어 등에 널리 사용되고 있다. 특히, 낸드(NAND)형의 플래시 메모리는 고집적이 가능하며 하드디스크를 대체할 수 있어 고집적 음성이나 화상 등의 저장용으로 많이 쓰이며 일정량의 정보를 저장해두고 작업해야 하는 휴대형 기기에도 적합하며 가격도 노어(NOR)형에 비해 저렴하다는 장점을 가진다. 최근에는 smart watch, wearable device 등과 같은 차세대 디스플레이 소자에 대한 관심이 증가함에 따라 투명하고 유연한 메모리 소자에 대한 연구가 다양하게 진행되고 있으며 유리나 플라스틱과 같은 기판 위에서 투명한 플래시 메모리를 형성하는 기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 전하트랩형 (charge trap type) 플래시 메모리는 플로팅 게이트형 플래시 메모리와는 다르게 정보를 절연막 층에 저장하므로 인접 셀간의 간섭이나 소자의 크기를 줄일 수 있기 때문에 투명하고 유연한 메모리 소자에 적용이 가능한 차세대 플래시 메모리로 기대되고 있다. 전하트랩형 플래시메모리는 정보를 저장하기 위하여 tunneling layer, trap layer, blocking layer의 3층으로 이루어진 게이트 절연막을 가진다. 전하트랩 플래시 메모리는 게이트 전압에 따라서 채널의 전자가 tunnel layer를 통해 trap layer에 주입되어 정보를 기억하게 되는데, trap layer에 주입된 전자가 다시 채널로 빠져나가는 charge loss 현상이 큰 문제점으로 지적된다. 따라서 tunnel layer의 막질향상을 위한 다양한 열처리 방법들이 제시되고 있으며, 기존의 CTA (conventional thermal annealing) 방식은 상대적으로 높은 온도와 긴 열처리 시간을 가지고, RTA (rapid thermal annealing) 방식은 매우 높은 열처리 온도를 필요로 하기 때문에 플라스틱, 유리와 같은 다양한 기판에 적용이 어렵다. 따라서 본 연구에서는 기존의 열처리 방식보다 에너지 전달 효율이 높고, 저온공정 및 열처리 시간을 단축시킬 수 있는 마이크로웨이브 열처리(microwave irradiation, MWI)를 도입하였다. Tunneling layer, trap layer, blocking layer를 가지는 MOS capacitor 구조의 전하트랩형 플래시 메모리를 제작하여 CTA, RTA, MWI 처리를 실시한 다음, 전기적 특성을 평가하였다. 그 결과, 마이크로웨이브 열처리를 실시한 메모리 소자는 CTA 처리한 소자와 거의 동등한 정도의 우수한 전기적인 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 따라서, MWI를 이용하면 tunnel layer의 막질을 향상시킬 뿐만 아니라, thermal budget을 크게 줄일 수 있어 차세대 투명하고 유연한 메모리 소자 제작에 큰 기여를 할 것으로 예상한다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• v.15 no.3
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• pp.113-116
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• 2014

Power transformer insulation oil is critical to the useful life of the transformer. Although mineral base insulation oil is the most common type of transformer insulation oil in use, environmental and safety concerns has encouraged the development of biodegradable alternatives. Today, $Envirotemp^{(R)}\;FR3^{TM}$ is in commercial use and this study is aimed at ascertaining the possibility of applying the oil in Malaysia power transformers. A sample of $Envirotemp^{(R)}\;FR3^{TM}$ was tested to measure and compare the technical (including electrical, chemical and physical) properties of the oil according to Malaysian standards. The study found that the oil sample had better qualities, such as higher dielectric strength, lower dissipation factor, higher flash and fire points, higher moisture absorption capability, and less dissolved gases composition amongst others. However, it was also ascertained that further development in this area could be hindered due to Malaysia's lack of standards for biodegradable oil.