The main aim of the present article is numerically to investigate the micro-scale heat transfer phenomena in a silicon microstructure irradiated by picosecond-to-femtosecond ultra-short laser pulses. Carrier-lattice non-equilibrium phenomena are simulated with a self-consistent numerical model based on Boltzmann transport theory to obtain the spatial and temporal evolutions of the lattice temperature, the carrier number density and its temperature. Especially, an equilibration time, after which carrier and lattice are in equilibrium, is newly introduced to quantify the time duration of non-equilibrium state. Significant increase in carrier temperature is observed for a few picosecond pulse laser, while the lattice temperature rise is relatively small with decreasing laser pulse width. It is also found that the laser fluence significantly affects the N 3 decaying rate of Auger recombination, the carrier temperature exhibits two peaks as a function of time due to Auger heating as well as direct laser heating of the carriers, and finally both laser fluence and pulse width play an important role in controlling the duration time of non-equilibrium between carrier and lattice.
This paper is investigated about the effect of carrier gas and humidity for generating hydrogen gas. In the experimental result of generating hydrogen gas by non-thermal plasma reactor, the rate of generating hydrogen gas is different with what kind of carrier gas is. We used two types of carrier gas, such as $N_2$ and He. $N_2$ as carrier gas is more efficient to generate hydrogen gas than He because $N_2$ is reacted with $O_2$, which is made from water dissociation. In comparison with no humidity and humidity 45[%], the generation of hydrogen gas is decreased with increasing the humidity. That is the result that the energy for water dissociation is reduced on water surface because a part of plasma energy is absorbed at the small particle produced from humidifier.
In this work, transient characteristics of the Non-Punch Through(NPT) Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) has been studied. we has analyzed with lifetimes excess minority carrier injected into N-dirft, base region of IGBT's BJT part and accumulated charge of on-state which affected swiching characteristic. In this paper, excess minority carrier and charge distribution in active base region is expressed analytically. This analysis proposed optical trade-off between lifetimes and accumulated charge for decreasing switching losses because charge result in switching loss when device was tuned off.
물에 용해되어 있는 금속이온의 분리를 위한 선택성이 있는 분리 막의 개발은 환경오염이 날로 심각해지고 있는 오늘날에 환경오염의 개선, 에너지절약, 자원의 재활용 등 문제를 해결함에 있어서 아주 중요한 작용을 하게 될 것이다. 물에 용해되어 있는 금속이온을 선택적으로 분리하기 위해 일반적으로 캐리어(carrier)를 함유한 Carrier-Facilitated Transport Membrane (CFM)을 이용하게 되는데, 이 방면에 대한 연구는 주로 유기 상에 용해되어 있는 캐리어를 microporous한 필름에 지지하게 하는 방식으로 만들어진 Supported Liquid Membrane (SLM) 혹은 Elusion Liquid Membrance (ELM)의 개발에 대한 팽대한 연구가 이루어 졌다(1). (중략)
전력증폭기에서는 특유의 비선형 특성에 의해 출력에 왜곡이 발생하므로 이를 보상할 수 있는 방안을 강구하여야 한다. 본 논문에서는 쇼트키 다이오드를 직렬로 삽입한 전력증폭기용 프리디스토터의 특성에 관하여 연구하였다. 이를 통해 쇼트키 다이오드의 비선형 특성을 이용한 프리디스토터를 전력증폭기 전단에 삽입하면 전력증폭기를 선형화 시킬 수 있음을 확인하였다. 즉, 입력 신호 레벨이 낮으면 입력된 신호는 전력증폭기로 그대로 들어가지만 입력 신호레벨이 높으면 프리디스토터에서 감쇄되어 전달된다. 그러므로 전력증폭기는 항상 saturation 영역에서만 동작하게 된다. Serenade 8.0을 이용하여 모의 실험을 통해 약 3% 가량의 효율이 개선됨을 확인할 수 있었다. 또한 500MHz에서 2.2㎓까지의 대역 중 1.8㎓ 대역에서 가장 확실한 비선형특성을 얻을 수 있음을 확인하였다.
본 연구는 낙농가의 소득과 직결된 원유 품질과 관계가 깊은 체세포 수(Somatic Cell Count, SCC)과 주요 우유 성분에 대하여 영향을 미치는 여러 요인 즉 아비 종모우, BLV type의 감수성 여부, 산차, 분만 월, 비유기 등에 대한 효과를 구명하였다. 조사기간은 2001년 1월부터 2004년 3월까지 분만한 홀스타인 젖소로부터 30$\pm$5일의 간격으로 시료를 채취하였으며, 우유성분과 체세포 분석은 Somascope MK2와 Lactoscope FTIR을 이용하여 총 3,897 개의 기록을 분석하였다. 비유기는 비유초기(30일 미만), 최고 비유기(30~60), 비유 중기(60~120), 비유 후기(120~180), 비유 말기(180일 이후)로 편의상 구분하였다. 분석 결과 대부분의 요인들이 모든 비유기에 걸쳐 유의적인 것으로 나타났으나 BLV type은 비유기에 따라서 차이를 나타내었다. 특히, BLV 감수성 여부는 조기에 검사를 통하여 보유 인자를 제거시키는 것이 장기적으로는 축군의 유질의 개선에 도움이 될 것으로 기대된다. 단백질에 대하여 BLV type은 각 비유기에 영향을 미치지 않았으며, 산차는 30일 이상에서 영향을 미쳤고, 분만월은 전 유기에 걸쳐 영향을 미치는 것으로 나타났다. 기타 유성분도 비유기에 따라서 각 각 다른 영향을 받는 것으로 나타났다.
이 논문에서는 LED(Light Emitting Diode) 조명을 이용한 간편한 가시광 통신 시스템을 구현하기 위해, 비 캐리어 NRZ-OOK(non-return to zero on off keying) 변조 방식을 사용하고, 가시광 송신을 위한 발광소자인 $3{\times}3$ 백색 LED 배열과 가시광 수신을 위한 여러 가지 포토다이오드를 사용하여 송수신 소자사이의 거리가 약 2.5m이고, 전체 시스템 속도가 115.2kbps의 전송속도를 가지는 가시광 시스템을 설계하여 구현 한다. 구현된 시스템의 성능분석을 위해 LED 와 포토다이오드 종류, LED 배열 수, 전송속도 따른 최대 송수신 거리를 구하고 여러 가지 구현시스템의 성능을 실험을 통해 분석한다.
In this work, transient characteristics of NPT(Non Punch Through)-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) have been studied with different temperatures analytically. Power losses are caused by heat generated in MIT-IGBT for steady state and transient state conditions. We therefore have focused on the analysis of excess carrier concentration and excess charge injected into N-drift layer with different temperatures and have obtained anode voltage drop during turn-off with lifetime of 2.4[${\mu}$s].
Conventional buck-boost converter has the disadvantage that the output voltage is inverted. The single phase non-inverting buck-boost converter(SPNIBBC) used four swithes has H-bridge type Circuit. The output voltage is not inverted. The SPNIBBC can be controlled by the single carrier method and the dual carrier method according to the modulation method. In this paper, we have fabricated the converter and compared the efficiency according to the modulation method.
Twin screw mode LNG Carrier is appeared. Because LNG CARRIER is larger recently. In this paper introduces maneuvering characteristics of Twin screw LNG CARRIER on single screw mode, which are found when the non-using screw mode is fixed or not(wind mill).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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