• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2007.06a
• /
• pp.199-202
• /
• 2007

본 논문에서는 탄소나노튜브 기반 비휘발성 메모리 소자를 설계하고 분자동력학 방법을 이용하여 이중벽 탄소나노튜브 구성된 소자에 대하여 동작 특성을 분석하였다. 탄소나노튜브는 탄소-탄소 반데르발스 힘과 탄소나노튜브-금속 결합력 간의 균형점에서 국부적으로 안정화 되도록 하는 방법으로, 탄소나노튜브와 양쪽에서 간격을 두고 마주대하는 소스 및 드레인 전위를 조절함으로써 탄소나노튜브에 유도된 정전기인력으로 내부 탄소나노튜브의 움직임을 제어한다. 본 나노메모리 소자는 테라급 재기록 비휘발성 나노메모리(Rewritable Non-Volatile Nano-Memory)로 활용될 수 있으며, 2bit 뿐만 아니라 3bit 정보저장 소자로 활용될 수 있다. 분자동력학 결과는 정보저장 동안에 발생되는 탄소나노튜브와 금속전극 사이의 충돌은 메모리 소자의 동작 속도 및 비휘발성 특성에 매우 중대한 영향을 미치게 될 것을 알 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• v.17 no.1
• /
• pp.1-6
• /
• 2017

This paper presents an optimized adoption of NVM for the storage system of heterogeneous applications. Our analysis shows that a bulk of I/O does not happen on a single storage partition, but it is varied significantly for different application categories. In particular, journaling I/O accounts for a dominant portion of total I/O in DB applications like OLTP, whereas swap I/O accounts for a large portion of I/O in graph visualization applications, and file I/O accounts for a large portion in web browsers and multimedia players. Based on these observations, we argue that maximizing the performance gain with NVM is not obtained by fixing it as a specific storage partition but varied widely for different applications. Specifically, for graph visualization, DB, and multimedia player applications, using NVM as a swap, a journal, and a file system partitions, respectively, performs well. Our optimized adoption of NVM improves the storage performance by 10-61%.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.37 no.1
• /
• pp.60-66
• /
• 2000

This paper proposes a design of phone card IC with the self-test features and the hardware and software security functions. We design and verify the proposed functions with modeling the terminal system environment. The proposed phone card IC provides instructions and a non-volatile memory block containing the manufacturer / issuer / user information, the unit (money) value, and the security key. The self-test functions are designed to improve the test time degradation due to a serial I/O communication. Also some security features are implemented using hardware and software approaches.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2001.05a
• /
• pp.341-344
• /
• 2001

We investigate the electronic structure of perovskite PbTiO$_3$ and the microscopic origin of the ferroelectric lattice instability through first-principles pseudopotential calculations. We examine pseudo Jahn-Teller effect to discuss the lattice instability. The JT effect is caused by the hybridization of the p-orbitals of O atoms and d-orbital of Ti atom. We find the JT effect is most significant at Brillouin zone renter.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
• /
• 2016.10a
• /
• pp.12-15
• /
• 2016

데이터베이스 시스템의 트랜잭션 로깅이나 파일 시스템의 저널링에서 데이터 저장시 입출력 동기화(Synchronous I/O)는 올바른 프로르램 동작에 필수적이다. 하지만 입출력 동기화로 인한 프로그램의 지연 혹은 기다림은 응용 프로그램 성능의 저하를 가져온다. 본 논문에서는 차세대 저장장치인 비휘발성 메모리를 사용하여 지속성을 보장하며 쓰기 연산의 응답성을 개선하는 사용자 수준의 스토리지 모듈을 제안하고 기존의 동기화된 쓰기 연산과 성능을 비교하였다. 특히 멀티코어 환경에서 동시에 들어오는 여러 입출력 쓰기 연산 요청에 대하여 효율적으로 처리하였다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
• /
• 2006.06a
• /
• pp.157-159
• /
• 2006

본 논문에서는 차세대 비휘발성 메모리를 이용하여 기존 플래시 메모리 파일시스템의 마운트 시간을 단축시키고 메인 메모리 사용량과 전력소모량을 감소시킬 수 있는 기법을 제시한다. 제안된 기법은 소량의 비휘발성 메모리를 사용하여 블록의 상태 정보와 파일 메타데이터로 데이터의 주소를 저장한다. 제안된 기법은 내장형 보드 상에서 구현되었으며, 실험 및 분석 결과는 마운트 시간을 크게 단축시키고 메인 메모리 사용량을 현저히 감소시켰음을 검증한다. 본 연구는 소량의 차세대 비휘발성 메모리를 내장형 시스템에서 어떻게 활용할 수 있는지에 대한 실용적인 방안을 제시하였으며, 그 효과를 실제 구현과 실험을 통해 정량적으로 검증하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2008.02a
• /
• pp.314-314
• /
• 2008

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.13-13
• /
• 2011

Graphene based nano-electronic and nano-electromechanical devices will be introduced in this presentation. The first part of the presentation will be covered by our recent results on the fabrication and physical properties of artificially twisted bilayer graphene. Thanks to the recently developed contact transfer printing method, a single layer graphene sheet is stacked on various substrates/nano-structures in a controlled manner for fabricating e.g. a suspended graphene device, and single-bilayer hybrid junction. The Raman and electrical transport results of the artificially twisted bilayer indicates the decoupling of the two graphene sheets. The graphene based electromechanical devices will be presented in the second part of the presentation. Carbon nanotube based nanorelay and A new concept of non-volatile memory based on the carbon nanotube field effect transistor together with microelectromechanical switch will be briefly introduced at first. Recent progress on the graphene based nano structures of our group will be presented. The array of graphene resonators was fabricated and their mechanical resonance properties are discussed. A novel device structures using carbon nanotube field effect transistor combined with suspended graphene gate will be introduced in the end of this presentation.

• Journal of Magnetics
• /
• v.8 no.1
• /
• pp.36-44
• /
• 2003

Three topics which are related to technologies for developing of large capacity MRAM over Gbits are reviewed. First, it is stressed that inelastic-electron-tunnel-tunneling spectroscopy(IETS) is a powerfull method to investigate the interface state between magnetic electrodes and insulator. Second, magnetic tunnel junctions with small bias voltage dependence are introduced. Finally, fabrication method of carbon masks for very small magnetic tunnel junctions is demonstrated. These three topics were presented at 47^{th} MMM 2002 conference and each paper will appear in the proceedings.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2008.08a
• /
• pp.144-145
• /
• 2008