In order to study the bonding mechanism of Ni/B/Ni transient liquid phase bonding system, width of liquid layers were calculated, where in this system melting point of insert material(B) is higher than bonding temperature and melting point of base metal(Ni). Caclulated values were compared with experimental ones which were measured by bonding Ni/B/Ni system at 1433-1474K under vacuum atmosphere. As results, the width of initial liquid layer of Ni/B/Ni system was calculated as $W_{IL}$ = $W_{o}$[1 + {2.100..rho.$_{S/}$ ( $X_{3}$ + $X_{4}$)..rho.$_{Ni}$ }-.rho.$_{S/}$.rho. Ni/], and it was nearly same with experimental values. Maximum width of liquid layer, width of liquid layer during isothermal solidification and isothermal solidification time were calculated also.o.o.o.
NiSi were formed from either Ni monolayer or Ni/Ti bilayer and the SADS method was applied to fabricated PMOSFET with Ni-polycide gate electrodes. PMOSFET made from Ni monolayer showed thermal stability unto 300~40$0^{\circ}C$ for 600sec., and excellent C-V characteristics for long time of drive-in anneal than PMOSFET made from Ni/Ti bilayer. This was attributed to easier decomposition and subsequent Ni diffusion to SiO$_2$ layer, probably due to the presence of Ti unreducing process
The MarM247 based superalloy (8wt.%Cr- 9wt.%Co- 3wt.%Ta- 1.5wt.%Hf- 5.6%wt.Al- 9.5wt.%W- Bal. Ni) specimens were diffusion aluminized by for types of pack cementation methods, and their coating structure and their high temperature oxidation resistance were investigated. The coated specimens treated at 973K in high aluminum concentration pack had a coating layer containing large hafunium rich precipitates, which were originally included in substrate alloy. After the high temperature oxidation test in air containing 30 vol.% $H_2O$ at 1273K ~ 323K, the deep localized corrosion which reached to the substrate were observed along with these hafnium rich precipitates. On the other hand, the coated specimens treated at 1323K using low aluminum concentration pack showed the coating layer without the large hafunium rich precipitates, and after the high temperature oxidation test at 1273K for 1800 ksec, it did not show the deep localized corrosion. The nickel electroplating before the aluminizing forms thick hafnium free area, and its high temperature oxidation resistance were comparable to platinum modified aluminizing coatings at 1273K.
Joining of NiO-YSZ to 316 stainless steel was carried out with B-Ni2 brazing alloy (3 wt% Fe, 4.5 wt% Si, 3.2 wt% B, 7 wt% Cr, Ni-balance, m.p. 971-$999^{\circ}C$) to seal the NiO-YSZ anode/316 stainless steel interconnect structure in a SOFC. In the present research, interfacial (chemical) reactions during brazing at the NiO-YSZ/316 stainless steel interconnect were enhanced by the two processing methods, a) addition of an electroless nickel plate to NiO-YSZ as a coating or b) deposition of titanium layer onto NiO-YSZ by magnetron plasma sputtering method, with process variables and procedures optimized during the pre-processing. Brazing was performed in a cold-wall vacuum furnace at $1080^{\circ}C$. Post-brazing interfacial morphologies between NiO-YSZ and 316 stainless steel were examined by SEM and EDS methods. The results indicate that B-Ni2 brazing filler alloy was fused fully during brazing and continuous interfacial layer formation depended on the method of pre-coating NiO-YSZ. The inter-diffusion of elements was promoted by titanium-deposition: the diffusion reaction thickness of the interfacial area was reduced to less than 5 ${\mu}m$ compared to 100 ${\mu}m$ for electroless nickel-deposited NiO-YSZ cermet.
10 nm-Ni/l nm-Ir(poly)Si과 10 nm-$Ni_{50}Co_{50}$/(poly)Si 구조의 박막을 열증착기로 준비하고 쾌속열처리기로 40초간 $300{\sim}1200^{\circ}C$ 온도 범위에서 실리사이드화 시켰다. 이들의 실리사이드 온도에 따른 면저항, 미세구조와 두께, 생성상, 화학조성과 표면조도의 변화를 사점면저항 측정기와 이온빔현미경, X선 회절기, 오제이 분석기, 주사탐침현미경을 써서 확인하였다. Ir과 Co의 혼입에 따라 기존의 $700^{\circ}C$에 한정된 NiSi에 비해 단결정, 다결정 실리콘 기판에서의 저저항 안정 구간이 각각 $1000^{\circ}C$, $850^{\circ}C$로 향상되었다. 이때의 실리사이드층의 두께도 20$\sim$50 nm로 나노급 공정에 적합하였다. Ir과 Co의 첨가는 단결정 기판에서의 니켈실리사이드의 고저항 $NiSi_2$로의 변태를 방지하였고, 다결정 기판에서 고온에서의 고저항은 고저항 상의 출현과 실리콘층과의 혼합과 도치현상이 발생한 것이 이유였다. Ir의 첨가는 특히 최종 실리사이드 표면온도를 3 nm 이내로 유지시키는 장점이 있었다 Ir과 Co를 첨가한 니켈실리사이드는 기존의 니켈실리사이드의 열적 안정성을 향상시켰고 나노급 디바이스에 적합한 물성을 가짐을 확인하였다.
본 나노에너지 기술 해석연구에서는 알루미늄/니켈 나노 다층박막구조 내 이종금속 반응파의 박막층 수직방향 전파현상을 대상으로 모델링 및 해석을 진행하였다. Al/Ni층이 교차하는 반무한영역에서 열 및 화학종 확산 방정식을 기반으로 1차원적 전산해석을 수행하였다. 해석결과로 이종금속 반응파의 수직방향 정상 전파 확립 등 반응파 특성을 발견하였다. 수평방향 전파현상 해석과 비교하여 이와 같은 나노구조물에서 반응파 자체전파속도에 대한 방향성 변화 영향이 매우 약하게 나타남을 확인하였다.
In high-efficiency crystalline silicon solar cells, If high-efficiency solar cells are to be commercialized. It is need to develop superior contact formation method and material that can be inexpensive and simple without degradation of the solar cells ability. For reason of plated metallic contact is not only high metallic purity but also inexpensive manufacture. It is available to apply mass production. Especially, Nickel, Copper and Silver are applied widely in various electronic manufactures as easily formation is available by plating. The metallic contact system of silicon solar cell must have several properties, such as low contact resistance, easy application and good adhesion. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion as well as desirable contact metal to silicon. Nickel monosilicide(NiSi) has been suggested as a suitable silicide due to its lower resistivity, lower sintering temperature and lower layer stress than $TiSi_2$. Copper and Silver can be plated by electro & light-induced plating method. Light-induced plating makes use the photovoltaic effect of solar cell to deposite the metal on the front contact. The cell is immersed into the electrolytic plating bath and irradiated at the front side by light source, which leads to a current density in the front side grid. Electroless plated Ni/ Electro&light-induced plated Cu/ Light-induced plated Ag contact solar cells result in an energy conversion efficiency of 14.68 % on $0.2{\sim}0.6{\Omega}{\cdot}cm,\;20{\times}20mm^2$, CZ(Czochralski) wafer.
The metallic contact system of silicon solar cell must have several properties, such as low contact resistance, easy application and good adhesion. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion as well as desirable contact metal to silicon. Nickel monosilicide(NiSi) has been suggested as a suitable silicide due to its lower resistivity, lower sintering temperature and lower layer stress than $TiSi_2$. Copper and Silver can be plated by electro & light-induced plating method. Light-induced plating makes use the photovoltaic effect of solar cell to deposit the metal on the front contact. The cell is immersed into the electrolytic plating bath and irradiated at the front side by light source, which leads to a current density in the front side grid. Electroless plated Ni/ Electro&light-induced plated Cu/ Light-induced plated Ag contact solar cells result in an energy conversion efficiency of 16.446 % on $0.2\sim0.6\;{\Omega}{\cdot}cm$, $20\;\times\;20\;mm^2$, CZ(Czochralski) wafer.
In this paper, 1%-nitrogen doped Nickel was used for improvement of thermal stability of Ni-Germanide. Proposed Ni-N(1%)/TiN structure has shown better thermal stability, sheet resistance and less agglomeration characteristic than pure Ni/TiN structure. During the germanidation process, it is believed that the nitrogen atoms in the deposited nickel layer can suppress the agglomeration of Ni germanide by retarding the diffusion of Ni atoms toward silicon layer, hence improve the thermal stability of Ni-germanide.
Chandio, Ali Dad;Haque, Nafisul;Shaikh, Asif Ahmed
한국재료학회지
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제31권8호
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pp.439-444
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2021
The oxidation resistance of the diffusion aluminide bond coat (BC) is compromised largely by interdiffusion (ID) effects on coated turbine blades of aeroengines. The present study is designed to understand the influence of ID on βNiAl coatings or BC. In this regard, nickel substrate and CMSX-4 superalloy are deposited. In total, four sets of BCs are developed, i.e. pure βNiAl (on Ni substrate), simple βNiAl (on CMSX-4 substrate), Zr-βNiAl (on CMSX-4 substrate) and Pt-βNiAl (on CMSX-4 substrate). The main aim of this study is to understand the interdiffusion of Al, Zr and Pt during preparation and oxidation. In addition, the beneficial effects of both Zr and platinum are assessed. Pure βNiAl and simple βNiAl show Ni-out-diffusion, whereas for platinum inward diffusion to the substrate is noticed under vacuum treatment. Interestingly, Zr-βNiAl shows the least ID in all BCs and exhibit stability under both vacuum and oxidation treatments. However, its spallation resistance is slightly lower than that of Pt-βNiAl BC. All BCs show similar oxide growth trends, except for Zr-βNiAl, which exhibits two-stage oxidations, i.e. transient and steady-state. Moreover, it is suggested that the localized spallation in all BCs is caused by βNiAl - γ'-Ni3Al transformation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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