This study develops a highly transparent ohmic contact scheme using indium oxide doped ZnO (IZO) as a current spreading layer for p-GaN in order to increase the optical output power of nitride-based lightemitting diodes (LEDs). IZO based contact layers of IZO, Ni/IZO, and NiO/IZO were prepared by e-beam evaporation, followed by a post-deposition annealing. The transmittances of the IZO based contact layers were in excess of 80% throughout the visible region of the spectrum. Specific contact resistances of $3.4\times10^{-4}$, $1.2\times10^{-4}$, $9.2\times0^{-5}$, and $3.6\times10^{-5}{\Omega}{\cdot}cm^2$ for IZO, Ni/Au, Ni/IZO, and NiO/IZO, respectively were obtained. The forward voltage and the optical output power of GaN LED with a NiO/IZO ohmic contact was 0.15 V lower and was increased by 38.9%, respectively, at a forward current of 20 mA compared to that of a standard GaN LED with an Ni/Au ohmic contact due to its high transparency, low contact resistance, and uniform current spreading.
Proton exchange membrane fuel cells (PEMFCs) provide zero emission power sources for electric vehicles and portable electronic devices. Although significant progresses for the widespread application of electrochemical energy technology have been achieved, some drawbacks such as catalytic activity, durability, and high cost of catalysts still remain. Pt-based catalysts are regarded as the most efficient catalysts for sluggish kinetics of oxygen reduction reaction (ORR). However, their prohibitive cost limits the commercialization of PEMFCs. Therefore, we proposed a NiCo@Au core shell structure as Pt-free ORR electrocatalyst in PEMFCs. NiCo alloy was synthesized as core to introduce ionization tendency and autoxidation reaction. Au as a shell was synthesized to prevent oxidation of core NiCo and increase catalytic activity for ORR. Herein, we report the synthesis, characterization, electrochemical properties, and PEMFCs performance of the novel NiCo@Au core-shell as a catalyst for ORR in PEMFCs application. Based on results of this study, possible mechanism for catalytic of autoxidation core@anti-oxidation shell in PEMFCs is suggested.
RF 마그네트론 스퍼터와 DC 마그네트론 스퍼터를 병행하여 ITO/Au/ITO, ITO/Cu/ITO, 그리고 ITO/Ni/ITO 박막을 유리기판 위에 증착하였다. 증착 후 진공열처리를 통하여 층간 금속 층이 ITO박막의 메탄올 검출 민감도에 미치는 영향을 분석하였다. 모든 박막센서의 두께는 100 nm로 동일하게 ITO 50 nm/metal 10 nm/ITO 40 nm로 제작되었고 메탄올 농도는 100에서 1,000 ppm까지 달리하였다. ITO/Au/ITO 박막센서가 가장 높은 민감도를 보임으로써 ITO/Au/ITO 다층박막이 기존의 ITO메탄올 센서를 대체할 수 있는 센서임을 확인하였다.
In the present study, the wettability and interfacial tension between (bare Cu, electroless Ni/cu, immersion Au/Ni/Cu) substrates and indium solder were investigated as a function of soldering temperature, types of flux. The wettability of In solder increased with soldering temperature and solid content of flux. The wettability of In solder was affected by the substrate metal finish used, i.e., nickel, gold and copper. On the bare Cu substrate, In solder wet better than any of the substrate metal finishes tested. Intermetallic compound formation between liquid solder and substrate reduced the interfacial energy and improved wettability. For the identification of intermetallic compounds, X-Ray Diffraction(LRD) were employed. Experimental results showed that the intermetallic compounds, such as Cu11In9 and In27Ni10 are observed f3r different substrates respectively. The wetting kinetics is investigated by measuring wetting time with the wetting balance technique. The activation energy of wetting calculated for the In solder/cu substrate and In solder/electroless Au/Ni/Cu substrate are 36.13 and 27.36 kJ/mol, respectively.
본 연구는 금속-도재 수복물 제작에 사용되는 Ni-Cr alloy와 Co-Cr alloy, 그리고 티타늄에 gold bonding agent를 도포하여 Au coating 층을 형성하였다. 각 시편의 절단면을 전자현미경으로 Au coating 층과 porcelain bonder, 그리고 불투명 도재간의 결합을 관찰하였고, 각 계면의 상태를 SEM/EDS 방법으로 조사하였다. 실험에서 사용된 재료와 방법의 범위 내에서 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. Gold bonding agent를 사용하여 형성한 Au coating 층은 미세다공성을 가진 구조로 판단되었다. 2. Au coating 층과 porcelain bonder 그리고 불투명 도재간의 결합은 잘 일어나 보였다. 3. Au coating 층은 도재 소성과정에서 발생하는 산화층의 확산을 제한하는 것으로 관찰되었다.
최근 SIP (System in Packaging) 기술은 고주파(5G 이상) 통신 및 미세 피치 회로 특성을 만족해야 한다. 기존 ENIG (Electroless Ni/Immersion Au Plating) 표면처리는 전송 손실이 증가하여 고주파에 적합하지 않으므로, 니켈 도금층이 없어도 패턴 및 패드의 신뢰성 수준을 만족시킬 수 있는 표면 처리 기술이 검토되고 있다. 본 논문에서는 고주파 통신 대응을 위한 Ni-less 표면처리기술과 소재에 따른 주파수 특성 등에 대한 연구 동향을 조사하였다.
The reactions between a Sn-3.0Ag-0.5Cu solder alloy and electroless Ni/electroless Pd/immersion Au (ENEPIG) surface finishes with various Pd layer thicknesses (0, 0.05, 0.1, 0.2, $0.4{\mu}m$) were examined for the effect of the Pd layer on the massive spalling of the $(Cu,Ni)_6Sn_5$ layer during reflow at $235^{\circ}C$. The thin layer deposition of an electroless Pd (EP) between the electroless Ni ($7{\mu}m$) and immersion Au ($0.06{\mu}m$) plating on the Cu substrate significantly retarded the massive spalling of the $(Cu,Ni)_6Sn_5$ layer during reflow. Its retarding effect increased with an increasing EP layer thickness. When the EP layer was thin (${\leq}0.1{\mu}m$), the retardation of the massive spalling was attributed to a reduced growth rate of the $(Cu,Ni)_6Sn_5$ layer and thus to a lowered consumption rate of Cu in the bulk solder during reflow. However, when the EP layer was thick (${\geq}0.2{\mu}m$), the initially dissolved Pd atoms in the molten solder resettled as $(Pd,Ni)Sn_4$ precipitates near the solder/$(Cu,Ni)_6Sn_5$ interface with an increasing reflow time. Since the Pd resettlement requires a continuous Ni supply across the $(Cu,Ni)_6Sn_5$ layer from the Ni(P) substrate, it suppressed the formation of $(Ni,Cu)_3Sn_4$ at the $(Cu,Ni)_6Sn_5/Ni(P)$ interface and retarded the massive spalling of the $(Cu,Ni)_6Sn_5$ layer.
Copper wire bonding is an alternative interconnection technology that serves as a viable and cost saving alternative to gold wire bonding. In this paper, ultrasonic wedge bonding with $25{\mu}m$ copper wire on Au/Ni/Cu metallization of a PCB substrate was performed at ambient temperature. The central composite design of experiment (DOE) approach was applied to optimize the copper wire wedge bonding process parameters. After that, pull test of the wedge bond was performed to study the bond strength and to find the optimum bonding parameters. SEM was used to observe the cross section of the wedge bond. The pull test results show good performance of the wedge bond. Additionally, DOE results gave the optimized parameter for both the first bond and the second bond. Cross section analysis shows a continuous interconnection between the copper wire and Au/Ni/Cu metallization. The diffusion of Cu into the Au layer was also observed.
Ti:LiNbO$_3$ 광 도파로를 이용한 광 변조기의 마이크로파 손실을 감소시키고 RF와 광파의 속도정합의 조건하에서 초고속 광변조의 제작을 위해서는 두꺼운 TW(travelling wave) 전극이 필수적이다 또한, 두꺼운 Au 전극이 우수한 RF 특성을 갖기 위해서는 도금된 Au 전극이 고순도의 작은 grain size를 갖는 도금 층을 제조하여야 하며, 도금 후 Au 층의 뒤틀림 현상이 작아야 한다. 따라서, 본 연구에서는 LiNbO$_3$ 기판 위에 30nm Ni-Cr과 50nm의 Au의 기저 막을 올렸으며 감광제를 이용한 photo-lithography 공정으로 CPW(coplanar waveguide) 구조의 패턴을 약 13$\mu\textrm{m}$의 두께로 형성 한 후 non-cyanidic 액을 이용하여 전류밀도 0.02 - 0.06 mA, bubble 및 non-bubble flow를 조건으로 하여 도금된 Au 전극의 특성을 관찰하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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