Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.24
no.3
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pp.151-161
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1991
The isothermal oxidation behaviour of commercial superalloys produced in Korea was investigated by using Cahn-2000 microbalance in air at $1000^{\circ}C$ and $1100^{\circ}C$. The effect of alloying elements on the isothermal oxidation was studied by examination of the oxide structures, their morphologies, and EDS linescanning and mapping of cross-section of oxidized specimens. Generally, external Cr2O3 films were formed on all alloy surface, but were not pure, The effect on the oxidation behaviour of refractory elements such as Nb, Mo in Inconel 718 was considered to be deleterious, and the formation of internal Al oxide in Inconel 601 was beneficial.
Perlite, a hydrated volcanic glass, occurs mainly as a bed-like body, and is distributed intermittently along the unconformity surface between the Beomgockri Group and its lower formations, viz. Janggi Group. The perlite is intimately associated with surrounding pumiceous welded tuff and rhyodacites in space and time. Compared to the typical perlite, the perlite is rather silica-poor and impure, and thus, includes lots of phenocrysts and rock fragments. Nearly the perlite is compositionally rather close to a pitchstone than a perlite in water contents. Petrographic comparison between perlite and associated volcanic to volcaniclastic rocks indicates that pumiceous welded tuff and rhyodacite seem to be Protolith of the Perlite. A Zr/$TiO_{2}$-Nb/Y diagram and field occurrence of perlite and their protolithic rocks also conforms the above interpretation. Kn addition, remnant vesicles in perlite strongly reflect that the precursor of perlitic glass appeared to be pumice fragment as well as volcanic glass. The perlite was diagenetically formed by way of a pervasive water-rock interaction at the deposition of the Manghaesan Formation in lacustrine environment. During perlitization, $SiO_{2}$ and alkali tend to be consistently depleted. Preexisting system of the Beomgockri Group based on the perlite formation should be corrected, because the perlite was formed diagenetically without lateral persistence in its occurrence.
In this study, in using a piezoelectric material of $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbTiO_3$ (PMN-PT), which has a high electromechanical coupling coefficient, we have tried to study about this material can be practically available as a new biosensor to detect protein by using surface acoustic wave (SAW). As the results, the filtering of the center frequency of the PMN-PT substrate is a superior result to that of the $LiTaO_3$ (LT) substrate, but the result was not completely satisfactory. Also this study attempts to develop a sensing method to detect mismatched DNA in order to diagnose cancer. We could directly immobilize the MutS to the NTA using the EDC solution. But, we immobilized MutS using nickel and it is judged that is more effective method to detect mismatched DNA.
For the commercialization of all-solid-state batteries, it is essential to develop a solid electrolyte that can be operable at room temperature, and it is necessary to manufacture all-solid-state batteries by adopting materials with high ionic conductivity. Therefore, in order to increase the ionic conductivity of the existing oxide-based solid, Li7La3Zr2O12 (LLZO) doped with heterogeneous elements was used as a filler material (Al and Nb-LLZO). An electrolyte with garnet-type inorganic filler doped was prepared. The binary metal element and the polymer mixture of poly(ethylene oxide)/poly(propylene carbonate) (PEO/PPC) (1:1) are uniformly manufactured at a ratio of 1:2.4, The electrochemical performance was tested at room temperature and 60 ℃ to verify room temperature operability of the all-solid-state battery. The prepared composite electrolyte shows improved ionic conductivity derived from co-doping of the binary elements, and the PPC helps to improve the ionic conductivity, thereby increasing the capacity of all-solid-state batteries at room temperature as well as 60 ℃. It was confirmed that the capacity retention rate was improved.
In this paper, an optical switch/modulator is designed and its light propagating characteristics analyzed using a simplified BPM. The distinctive feature of this switch/modulator is that all its waveguide branches are designed as single-mode. The principle of the device is based on the coupled mode theory in the Y-junction interconnecting waveguide. In spite of the fact all waveguides are designed as single-mode, by adjusting the interconnecting waveguide length'of the device the same characteristics as existing up to date devices are obtainable. Numerical results show that the switching characteristics periodically depend upon an interconnecting waveguide length with a spatial of about $150^{{\mu}m}$ in the $Ti:LiNbO_3$ step index waveguide. The design concept would therefore be utilized effectively in fabricating a monolithic high density optical integrated circuit.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.59
no.6
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pp.1083-1086
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2010
The $Sr_{0.7}Bi_{2.3}Nb_2O_9$ thin films were deposited on Si substrate using RF magnetron sputtering method. And the SBN thin films were annealed at 650~800$[^{\circ}C$]. The surface rougness showed about 0.42[nm] in annealed thin film at $650[^{\circ}C$]. The dielectric constant(150) of SBN thin film was obtained by annealing temperature above $700[^{\circ}C$]. The voltage dependence of dielectric loss showed a value within 0.02 in voltage ranges of -10~+10[V]. The dielectric constant characteristics showed a stable value with the increase of frequency. Also, the SBN thin films annealed at $750[^{\circ}C$] showed a fatigue-free characteristics up to $1.0\times10^8$ cycles.
Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.31
no.1
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pp.1-10
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2011
Nonlinear harmonic waves generated at cracked interfaces are investigated both experimentally and theoretically. A compact tension specimen is fabricated and the amplitude of transmitted wave is analyzed as a function of position along the fatigued crack surface. In order to measure as many nonlinear harmonic components as possible a broadband Lithium Niobate ($LiNbO_3$) transducers are employed together with a calibration technique for making absolute amplitude measurements with fluid-coupled receiving transducers. Cracked interfaces are shown to generate high acoustic nonlinearities which are manifested as harmonies in the power spectrum of the received signal. The first subharmonic (f/2) and the second harmonic (2f) waves are found to be dominant nonlinear components for an incident toneburst signal of frequency f. To explain the observed nonlinear behavior a partially closed crack is modeled by planar half interfaces that can account for crack parameters such as crack opening displacement and crack surface conditions. The simulation results show reasonable agreements with the experimental results.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.5
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pp.410-416
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2001
KLN thin films were fabricated on Pt coated Si(100) wafer using an rf-magnetron sputtering method. The grown KLN thin film consists of 4-fold grains. In this experiment, the structure of 4-fold grained thin film was investigated using XRD and SEM measurements. Pt layer was also deposited using the rf-magnetron sputtering method,. XRD measurement showed that he Pt thin film has Gaussian distribution form with strong (111) direction orientation. The KLN thin film has preferred-orientation of (001) direction, and the peak consists of 2 separate peaks; one with broad FWHM and the other with narrow FWHM. The sharp peak is due to single crystal, and combining with Em results, the 4-fold grain consists of singel crystals with c-axis normal to substrate.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.11
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pp.926-929
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2012
The $Sr_{0.7}Bi-{2.3}Nb_2O_9$(SBNO) thin films were deposited on Si substrate by RF magnetron sputtering method at $300^{\circ}C$ of substrate temperature. And the SBNO thin films were annealed at $650{\sim}800^{\circ}C$ using RTA (rapid thermal annealing). The grain of SBNO thin films were increased with the increase of annealing temperature. The dielectric constant (100) of SBNO thin film was obtained by RTA above $750^{\circ}C$. The voltage dependence of dielectric loss showed a value within 0.03 in voltage ranges of -5~+5 V. Also, the dielectric constant characteristics showed a stable value with the increase of frequency.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.22-23
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2000
GaAs/AlGaAs나 InGaAs/InGaAsP와 같은 반도체 기판을 이용한 전계광학 광변조기는 LD나 SOA와 같은 광소자와 단일기판 집적이 가능하고 낮은 chirping과 높은 변조대역폭을 갖는 외부광변조기로서의 장점으로 인하여 마이크로파 대역의 초고속광통신소자로 각광을 받아왔다. 특히 진행파의 속도가 정합된 traveling-wave 전극 구조를 갖는 경우 변조대역폭은 30-400Hz에 달하고 있다$^{(1)}$ . 그러나 한편으로는 반도체의 전계광학계수(electro-Optic Coefficient)가 LiNbO$_3$에 비해 10분의 1정도로 작아 상대적으로 동작전압이 커지는 단점이 대두되며 실제 구동전압이 수십 V에 이르고 있다. 이런 단점을 극복하기 위하여 p-i-n 구조를 이용하여 전계 집속도를 높이는 방법이 제안되어 동작전압이 2 V/mm 정도까지 감소하였다$^{(2)}$ . 본 논문에서는 이와 같은 반도체 전계광학 광변조기에서의 소신호 및 대신호 광변조특성을 분석함으로써 보다 높은 변조대역폭과 보다 낮은 동작전압을 갖는 구조를 연구하였다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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