We fabricated photonic crystals on GaAs and GaN substrates. After anodizing the aluminium thin film in electrochemical embient, the porous alumina was implemented to the mask for reactive ion beam etching process of GaAs wafer. And photonic crystals in GaN wafer were also fabricated using electron beam nano-lithography process. The coated PMMA thin film with 200 nm-thickness on GaN surface was patterned with triangular lattice and etched out the GaN surface by the inductively coupled plasma source. The fabricated GaAs and GaN photonic crystals provide the enhanced intensities of light emission for the wavelengths of 858 and 450 nm, respectively. We will present the detailed dimensions of photonic crystals from SEM and AFM measurements.
Aluminum hydroxides were synthesized by a simple electrolytic reaction of aluminum plates. The aluminum hydroxide, boehmite (AlO(OH)), was predominantly formed in the application of electrical potential at and above 30V, while the mixture of bayerite ($Al(OH)_3$) and boehmite (AlO(OH)) phases were formed below 20V. The boehmite has a clear fibrous structure controlled on nanometer scale. On the contrary, the bayerite consists of the typical hourglass or semi-hourglass shaped coarse crystals as a result of aggregation of various crystals stacked together. The specific surface area of the boehmite nanofiber was markedly high, approaching at about $302\;m^2/g$.
Recently, interest in making nanocomposite materials for construction utilizing the excellent physical properties of nano materials is increasing. In this study, basic properties of mortar were evaluated by the dispersion condition of cellulose nano-crystals (CNCs) extracted from nanocellulose and the feasibility of the study was examined. As a result, it was confirmed that the flexural strength and the compressive strength were increased by increasing the dispersion time of the CNCs and by using the ultrasonic dispersing device and the magnetic stirrer together.
Nano- and microstructured indium nitride crystals were synthesized by the reaction of indium oxide ($In_2O_3$) powder and its pellet with ammonia in the temperature range 580-700 ${^{\circ}C}$. The degree of nitridation of $In_2O_3$ to InN was very sensitive to the nitridation temperature. The formation of zero- to three-dimensional structured InN crystals demonstrated that $In_2O_3$ is nitridated to InN via two dominant parallel routes (solid ($In_2O_3$)-to-solid (InN) and gas ($In_2O$)-to-solid (InN)). The growth of InN crystals with such various morphologies was explained by the vapor-solid (VS) mechanism where the degree of supersaturation of In vapor determines the growth morphology and the vapor was mainly by the reaction of $In_2O$ with ammonia and partially by sublimation of solid InN. The pellet method was proven to be useful to obtain homogeneous InN nanowires.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.1394-1397
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2006
Polymer Dispersed Liquid Crystal (PDLC) films, of which the liquid crystal has negative dielectric anisotropy, were prepared from the phase separation between MJ001317 and a variety of compositions of resins by common polymerization induced phase separation method. In this work, the effects of resin compositions have been systematically investigated and it was found that the morphology and size of droplet, which is closely related to electro-optic properties, mainly depend on the rate of polymerization and cross-linking density for each resin composition. The reverse mode PDLC films from this newly developed formulation containing TPGDA/EHA/HMPPO showed the good off-state transmittance, contrast ratio (19/1), and relatively low driving voltage(10V).
Photonic crystals, periodic structure with a high refractive index contrast modulation, have recently become very interesting platform for manipulation of light. The existence of a photonic bandgap, a frequency range in which propagation of light is prevented in all direction, makes photonic crystal very useful in application where spatial localization of light is required for waveguide, beam splitter, and cavity. But fabrication of 3 dimensional photonic crystal is still difficult process. a concept that has recently attracted a lot of attention is a planar photonic crystal based on a dielectric membrane, suspended in the air, and perforated with 2 dimensional lattice of hole. We show that the polymer slabs suspended in air with triangular lattice of air hole can exhibit the in-plane photonic bandgap for TE-like modes. The fabrication of Si master with pillar structure using hot embossing process was investigated for 2 dimensional low-index-contrast photonic crystal waveguide.
Previous studies to enhance optical properties of opto-electronic devices involve patterning of inorganic materials. Patterning of inorganic material usually encompasses vacuum process that hinders productivity and increases cost. In this research, we successfully formed nano patterns with polymer matrix and fabricated photonic crystals. This process is anticipated to increase the performance of opto-electronic devices without any vacuum process. Moreover, nano imprint technology reduces cost and bolsters productivity.
The alternating current (AC) conductivity in semiconductor crystals with an open-core screw dislocation is studied in the current work. The screw dislocation in crystalline media results in an effective potential field which affects the electronic transport properties of the system. Therefore, from a technological view point, it is interesting to investigate properties of AC conductivity at frequencies of a few terahertz. To quantify the screw-induced potential effect, we calculated the AC conductivity of dislocated crystals using the Kubo formula. The conductivity showed peaks within the terahertz frequency region, where the amplitude of the AC conductivity was large enough to be measured in experiments. The measurable conductivity peaks did not arise in dislocation-free crystals threaded by a magnetic flux tube. These results imply different conductivity mechanisms in crystals with a screw dislocation than those threaded by a magnetic flux tube, despite the apparent similarity in their electronic eigenstates.
The effects of oxidation on the order-disorder transition in NiPt bimetallic alloy crystal have been investigated using in-situ synchrotron x-ray scattering technique. The temperature dependence of the crystal structure and the order parameter were measured during in-situ heating and cooling under vacuum and oxygen environments. The order-disorder transition temperature of NiPt alloy crystals in vacuum was between $615^{\circ}C$ and $627^{\circ}C$. On the other hand under oxygen environment, the transition temperature decreases by about $31^{\circ}C$ after the oxidation. The change of the transition temperature can be explained by the formation of NiO crust on the surface of NiPt crystal, which alters the composition of the Ni and Pt atoms. Since the transition temperature depends sensitively on the Ni-Pt composition, the transition temperature changes as Ni atoms diffuse out to form NiO.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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