Electrical Properties of poly Si layers embedded in metal-oxide-semiconductor structure by using atomic-layer-deposited alumina layers as blocking oxide
(원자층 증착법으로 형성된 $Al_{2}O_{3}$ 층을 이용한 MOS 구조에서 폴리 실리콘 층의 전기적 특성에 관한 연구)
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- Proceedings of the KIEE Conference
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- 2007.07a
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- pp.1353-1354
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- 2007