논문에서는 손의 사용이 부자연스러운 장애인이나 일반인이 컴퓨터상의 프로그램을 자연스럽게 제어할 수 있는 카메라 기반 정보통신 보조기기 시스템을 제안한다. 기존의 컴퓨터 보조기기의 경우 특수한 하드웨어를 사용하거나 높은 가격으로 인해 장애인들의 이용률이 매우 낮으며 대부분 외국산 제품에 의존하는 실정이다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 논문에서는 저가의 웹캠을 활용하여 기존의 마우스 기능을 대신할 수 있고, 장애인들의 컴퓨터 접근성을 높일 수 있는 경제적이고 효과적인 인터페이스를 제안한다. 실험 결과를 통해 제안하는 시스템이 기존의 방법에 비해 가격이나 성능 면에서 뛰어난 결과를 보임을 확인할 수 있다.
이온주입으로 비정질화된 실리콘의 재결정화 및 활성화에 대한 실험을 전기로를 이용하여 수행하였다. 비정질 실리콘이 결정화 및 활성화가 이루어지면 전계효과 이동도가 좋아진다. 이동도가 향상되면 저항이 작아지고, 이로 인하여 소자의 크기가 작아질 수 있어 소형화가 가능해진다. 결정화 정도를 확인하는 방법으로 Four point probe를 이용한 면저항 측정과 라만 peak 측정을 이용하였다. 이온주입 후 비정질화된 실리콘의 재결정화를 통해서는 $600\;^{\circ}C$에서 1시간 열처리한 값이 가장 많이 결정화가 되었다는 것을 알 수 있었다.
Park, Ju-Derk;Choi, Byeong-Cheol;Kim, Nam;Jung, Young-Bae
ETRI Journal
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제38권5호
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pp.879-884
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2016
In this paper, an ultra-small marker beacon antenna operated in the VHF-band is proposed. This antenna has a modified linear IFA structure with a lumped capacitor and a capacitive plate for frequency tuning and impedance matching. The capacitive plate is directly connected to the end of a linear radiator and is separated from the antenna ground by 1 mm. The main operating frequency is mainly controlled by the size and dielectric constant of the capacitive plate. The lumped capacitor is useful for fine frequency tuning. Using the proposed structure, an ultra-small marker beacon antenna can be realized with a length of 0.04 ${\lambda}_0$.
본 논문에서는 레이저 포인터를 이용하여 지능형 오피스 환경을 자유롭게 제어 할 수 있는 지능형 정보처리 시스템을 제안한다. 저가의 웹캠을 이용하여 카메라로부터 입력된 레이저 포인터 스팟의 위치를 자동 검출한 후 검출된 위치좌표정보를 컴퓨터상의 제어 명령 이벤트와 매칭 시킨다. 매칭이 이루어 진 후 사용자는 레이저 포인터를 이동시키면서 보조자의 도움 없이 자유롭게 디스플레이 화면을 제어할 수 있다. 사용자는 화면상의 임의의 영역을 특정 명령영역으로 지정할 수 있는 가상 키패드 인터페이스를 통해 특정 프로그램이나 가전 기기를 제어할 수 있다. 실험 결과를 통해 제안한 시스템이 기존의 원격 제어 방법에 비해 가격이나 성능 면에서 뛰어난 결과를 보임을 확인할 수 있다.
초기 전자악기를 만드는 사람들은 자신들이 직접 만든 터치 장치를 사운드 조절에 이용하였다. 1982년에 첫 멀티터치 시스템이 개발되었고 21세기 초까지 많은 연구와 멀티터치 시스템의 성능 향상에도 불구하고 대중화의 길은 요원해 보였다. 그러나 2007년 애플의 아이폰을 시작으로 멀티터치 인터페이스는 큰 인기를 끌게 되었고 스마트폰을 통해서 대중들이 멀티터치 인터페이스의 특징을 보다 쉽게 체험 할 수 있게 되었다. 이러한 흐름 속에서 멀티터치 인터페이스는 자연스럽게 사람들의 주목을 받으며 다양한 가능성을 보이고 있지만 관련 콘텐츠의 부재와 개발 인프라의 부족으로 인해 대중화의 길로 다가서기에는 여전히 부족한 현실이다. 본 논문에서는 현재의 멀티터치 인터페이스의 문제점을 지적하고 멀티터치 인터페이스 시장의 활성화와 멀티 터치 관련 콘텐츠 제작자를 위한 범용 멀티터치 인터랙션 시스템을 제안한다. 실험을 통해 제안한 시스템의 효율성을 입증하고 나아가 멀티터치 콘텐츠 시장이 발전할 수 있는 방안을 제시한다.
This paper proposes a novel control strategy of SVC(Static var compensator) using cascade multilevel inverter. To control the reactive power instantaneously, the dq-dynamic system model is described and analyzed. A single pulse pattern based on the SHE(Selective Harmonic Elimination) technique is determined from the look-up table to reduce the line current harmonics and a rotating fundamental frequency switching scheme is applied to adjust the DC capacitor voltage at the scheme level. From the simulation, it is verified that this proposed control scheme make the dynamic control response of SVC fast, the current harmonics low, and the DC capacitor voltage balanced.
It is usually the contractual responsibility of HRSG(Heat Recovery Steam Generator) supplier to limit combustion turbine exhaust noise at cogeneration sites. Thus, it is necessary to predict the noise level from HRSG at the stage of preliminary design. HRSG is usually composed of inlet duct, main casing, outlet duct, stack. To satisfy the noise limit level, additional equipments are sometimes required - duct shroud, silencer. We develop algorithms for predicting the noise emission from all these equipments of HRSG units. For the convenience of user, we develop the GUI window version program, named NP-HRSG program. To evaluate the accuracy of this program, predicted noise levels from a real HRSG model are compared with measured data. Through this comparison, we observe that the maximum error is just about 3dB.
실제 대화에서는 다양한 화자와 청자간의 사회적 위치와 관계 등의 사회적 변인에 따라 다양한 상대높임법이 존재한다. 제안하는 상대높임법 중심의 대화시스템 아키텍처를 설명하기에 앞서 배경지식 및 관련연구로 규칙/코퍼스 기반 대화시스템을 소개하고, 상대높임법을 포함하는 공손법처리에 대한 기존 연구들의 제약사항을 논의한다. 본 연구에서는 한국어 상대높임법을 정의 및 사회적 변인 모델링하고 이를 구현하기 위한 대화시스템 아키텍처 방안을 제안한다.
P-type Si(111)기판 위에 3C-SiC박막 성장시 TMS(tetramethylsilane)유량, 반응온도, 반응압력, 가스공급방법등 다양한 성장변수에 따른 박막의 결정성변화를 연구하였다. 증착된 막은 모두 (111)방향성만을 나타내었고, free Si, C의 존재는 관찰할 수 없었다. TMS 유량 0.5 sccm에서, 1100-120$0^{\circ}C$의 반응온도에서 , 반응압력 12-50Torr 조건에서 비록 dislocation과 twin등이 발결되었으나 단결정 3C-SiC 박막을 성장시킬 수 있었으며, 박막의 결정성은 기판에 흡착된 Si-종과 C-종이migration할 수 있는 시간과 에너지에 크게 영향 받음을 확인할 수 있었다. 또한 SiC/Si계면에서 carbonization공정에서 관찰되는 것으로 알려진 void를 관찰할 수 있었으며, 이러한 void의 발생은 기체공급방법을 달리함으로서 제거할 수 있음을 확인할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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