Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

The Effect of Growth Parameters on Crystal Quality of 3C-SiC(111) Thin Film

성장변수가 3C-SiC(111) 박막의 결정성에 미치는 영향

  • 서영훈 (전북대학교 화학공학부) ;
  • 김광철 (전북대학교 반도체 과학기술학과, 반도체 물성 연구소) ;
  • 남기석 (전북대학교 화학공학부) ;
  • 김동근 (전남대학교 금속공학과) ;
  • 이병택 (전남대하교 금속공학과) ;
  • 서은경 (전북대학교 반도체 과학기술학과) ;
  • 이형재 (전북대학교 반도체 과학기술학과)
  • Published : 1997.08.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

P-type Si(111)기판 위에 3C-SiC박막 성장시 TMS(tetramethylsilane)유량, 반응온도, 반응압력, 가스공급방법등 다양한 성장변수에 따른 박막의 결정성변화를 연구하였다. 증착된 막은 모두 (111)방향성만을 나타내었고, free Si, C의 존재는 관찰할 수 없었다. TMS 유량 0.5 sccm에서, 1100-120$0^{\circ}C$의 반응온도에서 , 반응압력 12-50Torr 조건에서 비록 dislocation과 twin등이 발결되었으나 단결정 3C-SiC 박막을 성장시킬 수 있었으며, 박막의 결정성은 기판에 흡착된 Si-종과 C-종이migration할 수 있는 시간과 에너지에 크게 영향 받음을 확인할 수 있었다. 또한 SiC/Si계면에서 carbonization공정에서 관찰되는 것으로 알려진 void를 관찰할 수 있었으며, 이러한 void의 발생은 기체공급방법을 달리함으로서 제거할 수 있음을 확인할 수 있었다.

Keywords

References

  1. Ceramic Bulletin v.62 no.495 K.Miyoshi;D.H.Buckley;M.Srinivasan
  2. Proceedings of the IEEE v.76 no.677 R.F.Davis;G.Kelner;M.Shur;J.W.Palmour;J.A.Edmond
  3. IEEE Circuits and Devices v.23 M.M.Rahman;S.Furukawa
  4. Polymorphism and polytypism in crystals R.Verma;P.Krishna
  5. J.Electrochem.Soc. v.134 no.2545 T.Sugii;T.Ito;Y.Furumura;M.Doki;F.Mieno;M.Maeda
  6. J. Appl. Phys. v.76 no.1363 H.Morkoc;S.Strite;G.B.Gao;M.E.Lin;B.Sverdlov;M.Burns
  7. amorphous and crystalline silicon carbide v.34 no.2 J.A.Powell;L.G.Matus;G.L.Harris(ed.);C.Y.-W.Yang(ed.)
  8. Appl. Phys. Lett. v.42 no.460 S.Nishino;J.A.Powell;H.A.Will
  9. J.Electrochem.Soc. v.142 no.634 J.P.Li;A.J.Steckl
  10. J.Electrochemical Soc. v.142 no.565 N.Nordell;S.Nishino;J.-W.Yang;C.Jacob;P.Pirouz
  11. Appl. Phys. Lett. v.60 no.1703 I.Golecki;F.Reidinger;J.Marti
  12. J. Crystal Growth v.24 no.25 Y.Avigal;M.Schieber;R.Levin
  13. J. Crystal Growth v.110 no.528 A.Figueras;S.Garelik;R.Rodriguez-Clemente;B.Armas;C.Combescure;C.Dupuy
  14. 6th international Conference on Silicon Carbide and Related Materials-1995 Y.H.Seo;K.S.Nahm;E.-K.Suh;Y.H.Lee;H.J.Lee;Y.G.Hwang
  15. Handbook of deposition technologies for films and coatings R.F.Bunshah
  16. J.Electrochemical Society Y.H.Seo;K.C.Kim;H.W.Shim;K.S.Nahm;E.-K.Suh;H.J.Lee;D.K.Kim;B.T.Lee
  17. Korean J.of Chem. Eng. v.13 no.522 Y.H.Seo;K.S.Nahm;E.K.Suh;H.J.Lee
  18. J.Mater.Res. v.9 no.104 C.Y.Tsai;S.B.Desu;C.C.Chiu
  19. J.Appl.Phys. v.61 no.4889 S.Nishino;H.Suhara;H.Ono;H.Matsunami
  20. J.Crystal Growth v.115 no.607 Y.Hattori;T.Suzuki;T.Murata;T.Yabumi;K.Yasuda;M.Saji
  21. J. Appl.Phys. v.45 no.1075 C.J.Mogab;H.J.Leamy