In this paper, the large data processing and suitable FAT32 file system for industrial system using a PLC and CF memory was implemented. Most of PLC can't save the large data in user data memory. So it's required to the external devices of CF memory or NAND flash memory. The CF memory is used in order to save the large data of PLC system. The file system using the CF memory is NTFS, FAT, and FAT32 system to configure in various ways. Typically, the file system which is widely used in industrial data storage has been implemented as modified FAT32. The conventional FAT 32 file system was not possible for multiple writing and high speed data accessing. The proposed file system was implemented by the large data processing module can be handled that the files are copied at the 40 bytes for 1msec speed logging and creating 8 files at the same time. In a sudden power failure, high reliability was obtained that the problem was solved using a power fail monitor and the non-volatile random-access memory (NVSRAM). The implemented large data processing system was applied the modified file system as FAT32 and the good performance and high reliability was showed.
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2007.06b
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pp.273-278
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2007
검사점 및 복구 도구(Checkpointing & Recovery Facility)를 이용하여 임베디드 시스템에서 결함 허용(Fault Tolerance) 기법을 적용할 경우 쓰기 작업의 오버헤드로 인해 실용성이 크게 떨어지게 된다. 실시간 운영체제와 함께 어떠한 한계 상황에서 결함 허용 및 복구 도구가 오히려 시스템의 성능을 저하시키는 요인으로 작용하게 되면 이는 결국 쓸모없는 도구가 되어 사용되지 않을 것이다. 따라서 프로세스의 복구를 위해 저장하는 프로세스 이미지의 기록에 소요되는 시간을 크게 낮추어야만 비로소 검사점 도구가 그 진가를 발휘하게 될 수 있다. 본 논문에서는 NVSRAM(Non Volatile SRAM)을 검사점 및 복구 도구의 저장 장치로 활용함으로써 기존의 검사점 도구에서 성능을 저하시키는 주원인이었던 검사점 기록의 오버헤드를 개선하기 위한 연구를 수행하였다. 검사점 기록 시간을 줄이기 위한 방법으로 주 메모리에 저장된 프로세스의 복구와 관련된 데이터를 SRAM 특성을 갖는 비휘발성 저장 장치인 NVSRAM에 저장하여 디스크 접근에 소요되는 시간을 최소화시킴으로써 임베디드 시스템에서 실용적으로 사용 가능한 검사점 도구를 구현하였고, 이러한 연구의 결과를 검증하기 위해 기존 시스템에서 저장 장치로 사용되던 플래시 메모리, 주 메모리, 원격 메모리를 사용하는 경우의 성능과 NVSRAM을 활용할 때의 성능을 비교해 보았다. 본 연구에서 제안하는 결함 허용 도구는 실제 시스템에 적용하여 효과적인 성능을 발휘할 수 있을 것이며, 차세대 메모리를 이용한 결함 허용 도구의 연구에 기여를 할 수 있을 것으로 기대된다.ate첨가배지(添加培地)에서 가장 저조(低調)하였다. vitamin중(中)에서는 niacin과 thiamine첨가배지(添加培地)에서 근소(僅少)한 증가(增加)를 나타내었다.소시켜 항이뇨 및 Na 배설 감소를 초래하는 작용과, 둘째는 신경 경로를 통하지 않고, 아마도 humoral factor를 통하여 신세뇨관에서 Na 재흡수를 억제하는 작용이 복합적으로 나타내는 것을 알 수 있었다.으로 초래되는 복합적인 기전으로 추정되었다., 소형과와 기형과는 S-3에서 많이 나왔다. 이상 연구결과에서 입도분포가 1.2-5mm인 것이 바람직한 것으로 나타났다.omopolysaccharides로 확인되었다. EPS 생성량이 가장 좋은 Leu. kimchii GJ2의 평균 분자량은 360,606 Da이었으며, 나머지 두 균주에 대해서는 생성 EPS 형태와 점도의 차이로 미루어 보아 생성 EPS의 분자구조와 분자량이 서로 다른 것으로 판단하였다.TEX>개로 통계학적으로 유의한 차이가 없었다. Heat shock protein-70 (HSP70)과 neuronal nitric oxide synthase (nNOS)에 대한 면역조직화학검사에서 실험군 Cs2군의 신경세포가 대조군 12군에 비해 HSP70과 nNOS의 과발현을 보였으며, 이는 통계학적으로 유의한 차이를 보였다(p<0.05). nNOS와 HSP70의 발현은 강한 연관성을 보였고(상관계수 0.91, p=0.000), nNOS를 발현하는 세포가 동시에 HSP70도 발현함을 확인할 수 있었다. 결론: 우리는 cyclosporin A가 토끼의 25분간의 척수허혈에 대해 척수보호 효과가 있었으며 이는 HSP70의
In this paper, an asynchronous nonvolatile memory module using a self-diagnosis function was designed. For the system to work, a lot of data must be input/output, and memory that can be stored is required. The volatile memory is fast, but data is erased without power, and the nonvolatile memory is slow, but data can be stored semi-permanently without power. The non-volatile static random-access memory is designed to solve these memory problems. However, the non-volatile static random-access memory is weak external noise or electrical shock, data can be some error. To solve these data errors, self-diagnosis algorithms were applied to non-volatile static random-access memory using error correction code, cyclic redundancy check 32 and data check sum to increase the reliability and accuracy of data retention. In addition, the possibility of application to an asynchronous non-volatile storage system requiring reliability was suggested.
This paper discusses the design of 32Mbyte asynchronous nonvolatile memory modules, which includes self-diagnosis and RTC (Real Time Clock) functions to enhance their data stability and reliability. Nonvolatile memory modules can maintain data even in a power-off state, thereby improving the stability and reliability of a system or device. However, due to the possibility of data error due to electrical or physical reasons, additional data loss prevention methods are required. To minimize data error in asynchronous nonvolatile memory modules, this paper proposes the use of voltage monitoring circuits, self-diagnosis, BBT (Bad Block Table), ECC (Error Correction Code), CRC (Cyclic Redundancy Check)32, and data check sum, data recording method using RTC. Prototypes have been produced to confirm correct operation and suggest the possibility of commercialization.
In this paper, the design method of asynchronous nonvolatile memory module that can efficiently process and store large amounts of data without loss when the power turned off is proposed and implemented. PSRAM, which takes advantage of DRAM and SRAM, was used for data processing, and NAND flash memory was used for data storage and backup. The problem of a lot of signal interference due to the characteristics of memory devices was solved through PCB design using high-density integration technology. In addition, a boost circuit using the super capacitor of 0.47F was designed to supply sufficient power to the system during the time to back up data when the power is off. As a result, an asynchronous nonvolatile memory module was designed and implemented that guarantees reliability and stability and can semi-permanently store data for about 10 years. The proposed method solved the problem of frequent data loss in industrial sites and presented the possibility of commercialization by providing convenience to users and managers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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