• Korean Chemical Engineering Research
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• 제46권3호
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• pp.498-505
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• 2008

천연망간광석과 천연망간광석에 금속산화물을 $Al_2O_3$와 $TiO_2$에 담지한 촉매을 이용하여 저온 선택적 산화 반응에 대하여 연구하였다. 망간계 금속산화물은 낮은 온도에서 우수한 암모니아 전환율을 나타내었다. NMO 존재하의 저온에서의 $O_2$와 $NH_3$의 흡착 활성화에너지는 각각 10.5와 22.7 kcal/mol 임을 밝혔다. 망간광석에 미량의 Ag를 함침함으로써 활성온도를 크게 낮출 수 있었다. 티타니아 담체의 경우 저온활성이 우수하게 나타나는 특성을 보였다. 또한 구리와 망간을 사용하면 망간을 단독으로 사용한 경우보다는 저온의 활성이 우수하게 나타난다. 망간이 5 wt.% 이상에서는 동일한 전환율을 나타내고 있으며, 저온 활성이 15 wt.%까지 약간 증가함을 알 수 있으며, 20 wt.%에서는 오히려 감소하는 것으로 나타나 있다. 황산화물의 피독실험 결과 본 연구에서는 최종적으로 망간에 조촉매의 첨가에 의한 내피독성의 향상은 공정의 복잡성과 비용면에서 망간의 단독 사용보다 낮게 나타났다.

• 지구물리와물리탐사
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• 제6권2호
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• pp.71-76
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• 2003

정확한 초동 발췌는 고해상 속도 토모그램 도출에 중요한 요소이다. 주시 발췌의 정확도에 영향을 주는 2가지 요인은 지질학적 요인과 기계적인 요인이 있다. 중요한 기계적인 요인은 발파시간 제어이다. 임펄시브형 시추공 탄성파 송신원에 의한 기록에서 다음과 같은 문제가 확인되었다. 즉, 불규칙한 발파시간 제어 문제와 기록에 나타난 발파시간의 불확실성이다. 이러한 발파시간 문제는 발췌된 초동에 정확도를 저하시키게 되며, 따라서 속도 토모그램을 왜곡시키게 된다. 본 연구에서는 수평방향의 속도와 NMO 속도를 반복적으로 비교함으포써 최적의 발파시간을 산출하는 방법을 제시하였다.

• 한국재료학회지
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• 제1권3호
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• pp.132-138
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• 1991

2충의 BPSG를 사용하는 서브마이크론 CMOS DRAM에 있어 전기적 특성에 관한 BPSG flow온도의 영향을 비교하였다. BPSG flow온도를 $850^{\circ}C/850^{\circ}C,\;850^{\circ}C/900^{\circ}C,\;900^{\circ}C/900^{\circ}C$의 3가지 다른 조합을 적용하여 문턱전압, 파괴전압, Isolation전압과 더불어 면저항과 접촉 저항을 조사하였다. $900^{\circ}C/900^{\circ}C$ flow의 경우 NMOS에서 문턱전압은 $0.8\mu\textrm{m}$ 미만의 채널길이에서 급격히 감소하나 PMOS 경우는 차이가 없었다. NMOS와 PMOS의 파괴전압은 각각 $0.7\mu\textrm{m}$와 $0.8\mu\textrm{m}$ 이하에서 급격히 감소하였다. 그러나 $850^{\circ}C/850^{\circ}C$ flow의 경우에는 NMOS와 PMOS모두 문턱전압과 파괴전압은 채널길이 $0.7\mu\textrm{m}$까지 감소하지 않았다. Isolation전압은 BPSG flow온도 감소에 따라 증가하였다. 면저항과 접촉 저항은 BPSG flow온도가 $900^{\circ}C$에서 $850^{\circ}C$로 감소됨에 따라 급격히 증가되었다. 이와 같은 결과는 열처리 온도에 따라 dopant의 확산과 활성화에 관련 있는 것으로 생각된다. 접촉 저항 증가에 대한 개선 방법에 대하여 고찰하였다.

• 발명특허
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• 제10권8호통권114호
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• pp.64-64
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• 1985

금성반도체(대표 : 구자두)는 미국, 일본에 이어 세계 3번째로 첨단반도체제품인 CMOS 64K SRAM을 자체개발하는데 성공했다. 국내 최초로 개발된 금성반도체의 CMOS 64K SRAM은 우리나라의 반도체 기술수준을 선진국 수준으로 성큼 다가서게 했다. CMOS 64K SRAM은 NMOS의 256K DRAM에 비해 작동속도가 2배이상 빠를 뿐만 아니라 재충전이 필요없는 완전한 스태틱(static) RAM으로 대용량$\cdot$고속$\cdot$고신뢰성을 요하는 고성능 컴퓨터, 통신장비등 첨단 산업용 기기의 기억장치에 주로 사용된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제2권1호
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• pp.157-163
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• 1998

아날로그와 디지틀 합산 가능한 신경회로망회로를 제안한다. 제안된 회로는 Hopfield 신경회로망 모델을 사용하였으며, 연결강도들은 에너지함수를 이용해서 구하였다. NMOS를 이용하여 뉴론을 만들었고, 시뮬레이션결과는 거의 대부분의 경우가 전체 최소점으로 수렴함을 보였다.

• 공업화학
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• 제9권2호
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• pp.278-285
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• 1998

배출가스중의 $SO_2$ 제거를 위하여 다양한 금속산화물로 구성된 천연망간광석, 철광석, $CuO/{\gamma}-A1_2O_3$ 등을 흡착제로 사용하여 고정층반응기에서 흡착용량실험을 하였다. 또한 흡착제중 흡착용량이 떨어지는 철광석을 제외한 두 가지 흡착제를 이용하여 유동층반응기에서 유속, 온도, 입자크기 등의 조업조건에 따른 $SO_2$ 흡착실험을 수행하였다. 모든 흡착제에서 온도가 증가할수록 흡착량이 증가하는 화학흡착반응을 보였고 유동층반응기에서 $U_o/U_{mf}$ 및 $U_o-U_{mf}$와 같은 유속조건에 따라 입자 크기에 따른 흡착량의 변화가 다르게 나타났으며 유동층반응기 성능식으로부터 반응속도상수를 얻었다. 이 실험을 통하여 천연망간광석이 유동층반응기에서 $SO_2$ 흡착제로의 사용가능성을 확인할 수 있었다.

• 한국항행학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.211-216
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• 2003

본 논문에서는 오래 전부터 NMOS의 게이트 전극으로 사용된 폴리실리콘을 대체할 수 있는 Ta-Ti 합금의 특성에 대해 연구하였다. 실리콘 기판 위에 열적으로 성장된 $SiO_2$ 위에 Ta과 Ti의 두 타깃을 사용하여 co-sputterring 방법으로 Ta-Ti 합금을 증착하였다. 각각의 타깃은 100W의 sputtering power로 증착하여 시편을 제작하였다. 또한 비교 분석을 위하여 Ta을 100W의 sputtering power로 증착한 시편도 제작하였다. 제작된 Ta-Ti 합금 게이트의 열적/화학적 안정성을 검토하기 위하여 $600^{\circ}C$에서 급속열처리를 수행한 결과 소자의 성능 저하는 나타나지 않았다. 또한 전기적 특성 분석 결과 Ta-Ti 합금은 NMOS에 적합한 일함수인 4.13eV를 산출해 낼 수 있었고, 면저항 역시 폴리실리콘에 비해 낮은 값을 얻을 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권7호
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• pp.5-12
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• 2005

본 논문에서는 결합된 슈뢰딩거-푸아송 방정식과 전류연속방정식을 셀프-컨시스턴트하게 계산함으로써, 나노-스케일 center-channel (CC) double-gate (DG) MOSFET 디바이스의 전기적 특성 및 구조해석에 관한 연구를 시행하였다. 10-80 nm 게이트 길이의 조건에서 수행한 CC-NMOS의 시뮬레이션 결과를 DG-NMOS 구조에서 시행한 시뮬레이션 결과와의 비교를 통하여 CC-NMOS 구조에서 나타나는 CC 동작특성 메커니즘과, 이로 인한 전류 및 G$_{m}$의 상승을 확인하였다. 문턱 전압 이하 기울기, 문턱 전압 롤-오프, 드레인 유기 장벽 감소의 파라미터를 통하여 단채널 효과를 최소화하기 위한 디바이스 최적화를 수행하였다. 본 나노-스케일 전계 효과 트랜지스터를 위한 2차원 양자역학적 수치해석의 관한 연구를 통하여, CC-NMOS를 포함한 DG-MOSFET 구조가 40나노미터급 이하 MOSFET 소자의 물리적 한계를 극복하기 위한 이상적인 구조이며, 이와 같은 나노-스케일 소자의 해석에 있어서 양자역학적 모델링 및 시뮬레이션이 필수적임을 알 수 있었다.

• 지질공학
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• 제16권2호
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• pp.161-169
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• 2006

곰소만의 기반암과 상부 층서들을 규명하기 위해 짧은 측선의 탄성파 반사법탐사가 수행되었다. 이 연구는 주로 자료 처리에서 신호대잡음을 높임으로써 기반암을 규명하는데 초점을 두었다. 자료처리의 주요과정은 종합 전후과정에서 모두 큰 진폭의 잡음에 가려진 신호성분을 향상시키는데 중점을 두었으며 시변필터, 불량 트레이스 제거, f-k 필터와 NMO 보정 후의 뮤팅 등이 이에 포함된다. 이 연구에서 규명된 기반암과 상부 층서들은 이전에 수행된 MT자료의 결과와 대체로 일치하며 당시에 자료질의 한계로 규명되지 못한 측선 중앙부근에서 기반암 표면이 약 30m 깊이의 수평층으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.191-191
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• 2007

유효 산화막 두께가 약 2.0nm 정도의 $ZrO_2$ 절연막 위에 Ta-Mo 금속 합금과 Ru-Zr 금속 합금을 Co-sputtering 방법을 이용하여 여러 가지 일함수를 갖는 MOS capacitor를 제작하여 전기적 재료적 특성에 관하여 연구를 하였다. 그 결과 각각의 금속 합금 게이트는 4.1eV 에서 5.1eV 사이의 다양한 일함수를 나타냈으며, $400^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $600^{\circ}C$, $700^{\circ}C$, $800^{\circ}C$ RTA 후의 C-V특성 곡선 및 I-V 측정을 통하여 누설전류를 확인하였다. 그 결과 Ta-Mo 금속 합금의 경우 스퍼터링 파워가 100W/70W에서 NMOS에 적합한 일함수를 가졌으며, Ru-Zr 금속 합금의 경우 스퍼터링 파워가 50W/100W에서 NMOS에 적합한 일함수를 가졌다. 열처리 후의 C-V특성 곡선에서도 정전용랑 값이 거의 변하지 않았으며 평탄 전압의 변화도 거의 없었다. 누설전류 특성에서는 물리적 두께가 비슷한 기존의 $SiO_2$ 절연막에서 실험결과와 비교하여 약 100배 정도 감소되었음을 알 수 있었다. 또한 기존의 실험들에서 나타난 열처리 후의 $ZrO_2$ 절연막과 Si 기판 사이의 Interfacial layer 의 동반 두께 증가로 인한 전기적 특성 저하가 나타나지 않는 줄은 특성을 보여준다.