Study on the Electrical Stability of poly-Si TFT through the Passivation Treatment with $NH_3$ or $N_2$ Precursors
($NH_3$ 및 $N_2$ 활성기 처리를 통한 Poly-SiliconTFT의 전기적 안정도에 관한 연구)
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- Proceedings of the KIEE Conference
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- 1996.07c
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- pp.1443-1445
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- 1996