• 제목/요약/키워드: NB

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$LiNbO_{3}$ 단결정 성장과 결정의 특성에 대한 화학양론성과 첨가물$(Mg^{2+})$의 영향 (Single crystal growth and effects of stoichiometry and dopant $(Mg^{2+})$ on the properties in $LiNbO_{3}$)

  • 한지웅;주경;심광보;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.20-22
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    • 1999
  • 본 연구에서는 floating zone 법에 의해서 고융조성의 순수한 $LiNbO_{3}$와 MgO가 5 mol% 첨가된 $LiNbO_{3}$ 단결정을 육성하였다. 화학양론조성의 $LiNbO_{3}$는 순수한 $LiNbO_{3}$를 VTE(vapor transport equilibration) 법에 의해 처리하여 준비하였고 위의 세 결정을 기본으로 하여 결정의 화학양론비와 첨가물($Mg^{2+}$)에 따른 $LiNbO_{3}$의 물성변화를 조사하였다. 공융조성의 $LiNbO_{3}$에서 높은 농도의 MgO 첨가는 화학양론조성 $LiNbO_{3}$와 유사한 특성을 보였다. Curie 온도는 공융조성의 순수한 $LiNbO_{3}$$1145^{\circ}C$에서 $1200^{\circ}C$ 이상으로 상승되었고 가시광선 영여그이 흡수단의 위치도 단차장쪽으로 10 nm 이상 이동하였다. MgO가 첨가된 결정의 $OH^{-}$ 흡수밴드의 위치는 40 nm 정도 단파장 영역으로 크게 이동하였다.

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Low Temperature Sintering and Dielectric Properties of BiNbO4 and ZnNb2O6 Ceramics with Zinc Borosilicate Glass

  • Kim, Kwan-Soo;Kim, Shin;Yoon, Sang-Ok;Park, Jong-Guk
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제8권5호
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    • pp.201-205
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    • 2007
  • Low temperature sintering behavior and microwave dielectric properties of the $BiNbO_{4^-}$ and the $ZnNb_2O_{6^-}zinc$ borosilicate glass(ZBS) systems were investigated with a view to applying the composition to LTCC technology. The addition of $10{\sim}30$ wt% ZBS in both systems ensured successful sintering below $900^{\circ}C$. For the $BiNbO_{4^-}ZBS$ system, the sintering was completed when 15 wt% ZBS was added whereas 25 wt% ZBS was necessary for the $ZnNb_2O_{6^-}zinc$ system. Secondary phase was not observed in the $BiNbO_{4^-}ZBS$ system but a small amount of $ZnNb_2O_6$ with the willemite structure as the secondary phase was observed in the $ZnNb_2O_{6^-}ZBS$ system. In terms of dielectric properties, the application of the $BiNbO_{4^-}$ and the $ZnNb_2O_{6^-}ZBS$ systems sintered at $900^{\circ}C$ to LTCC were shown to be appropriate; $BiNbO_{4^-}15$ wt% ZBS($\varepsilon_r=25,\;Q{\times}f\;value=3,700GHz,\;\tau_f=-32ppm/^{\circ}C$) and $ZnNb_2O_{6^-}25$ wt% ZBS($\varepsilon_r=15.8,\;Q{\times}f\;value=5,400GHz,\;\tau_f=-98ppm/^{\circ}C$).

Si Nanodot 배열의 형성을 위한 NbOx 나노기둥 마스크의 식각 특성 (Etch Characteristics of NbOx Nanopillar Mask for the Formation of Si Nanodot Arrays)

  • 박익현;이장우;정지원
    • 공업화학
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    • 제17권3호
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    • pp.327-330
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    • 2006
  • Si nanodot 배열을 형성하기 위하여 $NbO_{x}$ nanopillar를 건식식각 공정의 식각마스크로써 이용하기 위한 가능성이 조사되었다. $NbO_{x}$ nanopillar는 Al과 Nb의 양극산화 공정을 이용하여 준비되었다. $NbO_{x}$ nanopillar의 식각속도와 식각프로파일은 고밀도 플라즈마를 이용한 반응성 이온 식각법에 의해서 식각가스의 농도와 coil rf power, 그리고 dc bias voltage를 각각 변화시키면서 조사 되었다. $Cl_{2}$ 가스의 농도가 증가할수록 $NbO_{x}$ nanopillar의 식각속도는 감소하였고 coil rf power와 dc bias voltage의 증가는 식각속도의 상승을 초래했다. 선택된 식각조건에서 식각시간을 변화하여 $NbO_{x}$ nanopillar의 식각특성 및 식각메커니즘이 조사되었다.

LPE법으로 성장시킨 $Zn:LiNbO_3/Mg:LiNbO_3$ 단결정 박막의 구조적 특성 (Structural properties of $Zn:LiNbO_3/Mg:LiNbO_3$ single crystal thin films grown by LPE method)

  • 이호준;신동익;이종호;윤대호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.120-123
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    • 2005
  • [ $Li_2CO_3-V_2O_5$ ], flux를 사용한 liquid phase epitaxy(LPE) 법을 사용하여 $LiNbO_3$ (001) 기판위에 5 mol% ZnO가 첨가된 $LiNbO_3$, 박막과 2 mol% MgO가 첨가된 $LiNbO_3$, 박막을 성장시켰다. $Zn:LiNbO_3$, 막과 $Mg:LiNbO_3$, 막과의 결정성과 격자 부정합은 x-ray rocking curve(XRC)로 분석되었다. 그리고 다층 박막의 단면에서의 ZnO와 MgO의 분포가 electron probe micro analyzer(EPMA)를 사용하여 관측되었다.

특집 : 극한환경재료기술 - Nb 소재 및 부품 적용 기술

  • 권용남
    • 기계와재료
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    • 제21권4호
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    • pp.74-81
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    • 2010
  • Nb 및 Nb합금은 과거 냉전시대에 우주 군사용 고온재료 중 하나로 각광을 받으며 활발한 연구개발이 이루어졌으나 고온 산화에 취약한 특성으로 인해 실제로는 크게 적용되지는 않았다. 이후 Nb은 주로 고강도 철강 및 내열합금의 합금원소로 사용되고 있다. 일부에서 Nb이 가지는 초전도 특성을 활용한 부품 개발이 진행되고 있다. 본고에서는 국내에서 많이 연구되지 않은 Nb소재의 일반적인 특징 및 공업적 응용사례에 대해 간략하게 소개를 하고자 한다. 또한, Nb이 가지는 초전도특성을 이용하여 고에너지입자 가속기의 핵심부품인 radio-frequency cavity의 개발에 대해서도 소개를 하고자 한다.

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Co/Nb 이중층 구조의 막역전을 이용한 박막 $CoSi_2$의 형성 (Formation of Thin $CoSi_2$by Layer Inversion of Co/Nb bi-layer)

  • 이종무;권영재;이병욱;김영욱;이수천
    • 한국재료학회지
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    • 제6권8호
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    • pp.779-785
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    • 1996
  • Co/Nb 이중층 구조의 RTA처리에 따른 층역전 현상을 이용하여 ${CoSi}_{2}$를 형성하였다. 중간에 삽입된 Nb층은 산화성향이 매우 커서 Si와 Co의 균일한 반응을 방해하는 Si 기판 표면의 산화막을 충분히 제거해 줄 수 있을 뿐만아니라 Co 의 실리사이드화 반응시에 Co와 결합하여 안정한 화합물을 형성해서 기판 Si의 과잉 소모를 막아 줌으로써 실리사이드화 반응을 제어하는 역할을 하는 것으로 나타났다. Co/Nb이중층 구조를 $800^{\circ}C$에서 열처리하여 얻은 최종 구조는 ${NB}_{2}{O}_{5}$/${Co}_{2}$Si.CoSi/${NbCo}_{x}$/Nb(O,C)/${CoSi}_{2}$/Si으로 이층들간의 역전과 안정한 ${CoSi}_{2}$상의 형성은 비교적 고온인 약 $700^{\circ}C$부터 시작되었으며, 전 열처리 온도구간에서 Nb의 실리사이드가 발견되지 않았는데, 이러한 점들은 모두 Nb 산화물이나 Co-Nb합금층과 같은 매우 안정한 중간 구조상들이 Co와 Si의 원활한 이동을 제한하기 때문으로 보인다.

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(1-x)BiNbO4-xCaNb2O6 세라믹스의 마이크파 유전특성 및 적층체 특성 (Microwave Dielectric Properties and Multilayer Characteristics of (1-x)BiNbO4-xCaNb2O6 Ceramics)

  • 김응수;최웅;김종대;강승구;심광보
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권12호
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    • pp.1190-1196
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    • 2002
  • $(1-x)BiNbO_4-xCaNb_2O_6$ (0${\le}$x${\le}$1.0) 세라믹스의 조성 변화에 따른 마이크로파 유전 특성 및 적층체 특성을 연구하였다.0.25${\le}$x${\le}$0.75의 조성 범위에서 stibotantalate 구조를 갖는 $BiNbO_4$와 columbite 구조를 갖는 $CaNb_2O_6$의 혼합상으로 존재하였으며, 이차상의 형성이나 상전이는 관찰할 수 없었다. $(1-x)BiNbO_4-xCaNb_2O_6$ 세라믹스의 유전상수(K)는 조재상의 유전 특성에 크게 의존하여 Maxwell 관계식으로부터 계산된 유전체 혼합법칙으로 정량화가 가능하였다. $0.5BiNbO_4-0.5CaNb_2O_6$$CuV_2O_6$를 0.8 wt% 첨가하여 1000${\circ}C$에서 3시간 소결한 결과, 유전상수 26, 품질계수(Qf) 43000 GHz 및 공진주파수 온도계수(TCF) -18 ppm/${\circ}C$의 마이크로파 유전특성을 얻을 수 있었다. $0.5BiNbO_4-0.5CaNb_2O_6$ 그린쉬트(green sheet)를 850∼900${\circ}C$에서 20분간 소결하여 얻은 적층체의 X-Y 수축율 편차와 캠버 값은 $BiNbO_4$ 적층체 보다 작게 나타났다.

Zr-Nb 합금의 산과거동 및 Oxide 분석

  • 주기남;권상철;김성수;안상복;김영석
    • 한국원자력학회:학술대회논문집
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    • 한국원자력학회 1998년도 춘계학술발표회논문집(2)
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    • pp.99-104
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    • 1998
  • 40$0^{\circ}C$ $H_2O$ steam 분위기에서 Zr-2,5wt%Nb 및 Zr-20wt%Nb 합금의 산화거동을 열처리조건에 따른 미세조직 관점에서 고찰하였으며, 형성된 oxide를 분석하여 산화기구를 규명하고자 하였다. Zr-Nb 합금의 산화거동은 열처리에 따라 협성된 조직상에 매우 민감하였는데, 주 조직인 a-Zr 상 보다는 $\beta$상들에 ($\beta$-Zr, $\beta$-Nb) 보다 큰 영향을 받는 것으로 보인다. $\beta$-Zr 상은 $\alpha$-Zr 상에 비해 부식저항성이 낮으며, 그 양에 관계없이 유사한 정도의 부식거동을 보인다. $\beta$-Nb 상의 경우, 미세한 크기로 적은양이 존재하는 경우 부식저항성에 별다른 영향이 없어 보이는 반면, 상당량의 $\beta$-Nb 상이 조대한 크기로 (약 0,2$\mu\textrm{m}$) 존재하는 경우 매우 불안정한 부식거동을 보였다. 이들 $\beta$상들의 낮은 산화저항성은 Nb$_2$O$_{5}$ 을 포함한 Nb 계 oxide의 형성에 주로 기인한 것으로 추정된다.

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(Y,Nb)-TZP/${Al_2}{O_3}$복합체의 결함 저항성 (Flaw Tolerance of (Y,Nb)-TZP/${Al_2}{O_3}$Composites)

  • 이득용;김대준;이명현;장주웅
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권1호
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    • pp.56-60
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    • 2001
  • 90.24 mol% ZrO$_2$-5.31 mol% $Y_2$O$_3$-4.45 mol% Nb$_2$O$_{5}$ 조성의 (Y,Nb)-TZP와 (Y,Nb)-TZP/Al$_2$O$_3$복합체를 155$0^{\circ}C$~1$600^{\circ}C$에서 1~2시간 소결하여 제조하였다. 시편의 결함에 대한 저항성을 조사하기 위하여 R-curve, Weibull modulus, slow crack growth 변수 등을 조사하였다. 실험결과, (Y,Nb)-TZP와 (Y,Nb)-TZP/Al$_2$O$_3$복합체 모두 상용 3Y-TZP 보다 우수한 결함 저항성이 관찰되었다. (Y,Nb)-TZP/Al$_2$O$_3$복합체의 결함 저항성은 $Al_2$O$_3$첨가에 의한 결정립 가교 인화, 분산강화, R-curve 효과에 의한 것으로 추정된다.

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Untersuchungen zur Kohlenstoffloslichkeit in Molybdan und Molybdan-Va-Metall-Legierungen

  • Klaus Schulze;Kim, Hyung-Jin;Hermann Jehn
    • 한국표면공학회지
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    • 제16권3호
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    • pp.108-123
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    • 1983
  • 순수 Mo와 Mo-Nb, Mo-Ta($\leq$10 at% Nb. Ta)합금을 1,500-2,06$0^{\circ}C$ 범위에서 탄소의 고용도를 연구하였다. 특수한 침탄방법으로 C2H2를 시편에 침탄한후 열처리하여 부분적으로 석출하거나 완전석출에 관계없는 화학적 분석방법으로 행하였다. 순수 Mo에서 최대탄소 고용도는 logCCmax = 7.02-9,490/T이다. Nb, Ta를 미량첨가하여 탄소의 최대 고용도는 Arrhenius 식을 적용할 수 없다. Nb-, Ta- 농도와 온도에 따라 Mo2C와 Nb-,Ta-를 함유한 여러 가지 탄화물상을 만들거나 $\alpha$고용체와 Mo가 포함된 NbC, TaC와 평형상태를 나타나기 때문이다. 실험온도 범위에서 Nb, Ta를 첨가량을 증가하면 탄화물 내부에 NbC, TaC로 석출된다. 고온에 용해된 a-고용체는 150-200 oK/Min으로 냉각하면 석출물은 결정입계나 결정내부에 나타난다. 순수 Mo에 Nb, Ta를 첨가하여도 경도, 파괴실험에서와 같이 인장강도는 크게 증가하지 않는다.

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