Keewon Kim;Jonghyun Kim;Kyungmin Park;Tae-Keun Park
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.28
no.12
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pp.105-114
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2023
In this paper, we propose a deployment and operation scheme of UxNB network toward mobile IAB. By operating a UxNB network based on SDN(Software Defined Network), UxNBs are deployed in areas where mobile communication services are desired. After deploying UxNB in the service area, IAB can be set up to perform mobile communication services. For this purpose, this paper first proposes a UxNB Network Controller consisting of a UAV Controller and an SDN Controller, and proposes the necessary functions. Next, we present a scenario in which a UxNB network can be deployed and operated in detail step by step. We also discuss the location of the UxNB network controller, how to deliver control commands from the UAV controller to the UxNB, how to apply IAB for UxNB networks, optimization of UxNB networks, RLF(radio link failure) recovery in UxNB networks, and future research on security in UxNB networks. It is expected that the proposed UxNB Network Controller architecture and UxNB network deployment and operation will enable seamless integration of UxNB networks into Mobile IAB.
A comparative study on crystal structures and UV-visible diffuse reflectance spectra for Nb-containing oxyfluorides was performed to probe the relationship between energy band gap and local structure. The oxyfluorides, RbSrNb2O6F, RbCaNb2O6F and RbNb2O5F are commonly composed of the corner-sharing NbO5F octahedra as structural building units. The average Nb-O(F)-Nb bond angles, which can be a measure of the structural distortion, are 158.6° for RbSrNb2O6F, 149.6° for RbCaNb2O6F and 139.5° for RbNb2O5F. As the bond angle decreases, the band gap increases: 3.48eV for RbSrNb2O6F, 3.75eV for RbCaNb2O6F and 4.03 eV for RbNb2O5F. This experimental result implies that the band gap can be controlled with a range of 0.6 eV through a variation of local structure for the Nb-containing oxyfluorides.
Cho, Min-Ho;Kim, Sung-Jun;Kang, Hyun-Ji;Oh, Sung-Tag;Kim, Young Do;Lee, Seong;Suk, Myung Jin
Journal of Powder Materials
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v.26
no.4
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pp.299-304
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2019
Nb-Si-B alloys with Nb-rich compositions are fabricated by spark plasma sintering for high-temperature structural applications. Three compositions are selected: 75 at% Nb (Nb0.7), 82 at% Nb (Nb1.5), and 88 at% Nb (Nb3), the atomic ratio of Si to B being 2. The microstructures of the prepared alloys are composed of Nb and $T_2$ phases. The $T_2$ phase is an intermetallic compound with a stoichiometry of $Nb_5Si_{3-x}B_x$ ($0{\leq}x{\leq}2$). In some previous studies, Nb-Si-B alloys have been prepared by spark plasma sintering (SPS) using Nb and $T_2$ powders (SPS 1). In the present work, the same alloys are prepared by the SPS process (SPS 2) using Nb powders and hypereutectic alloy powders with composition 67at%Nb-22at%Si-11at%B (Nb67). The Nb67 alloy powders comprise $T_2$ and eutectic ($T_2+Nb$) phases. The microstructures and hardness of the samples prepared in the present work have been compared with those previously reported; the samples prepared in this study exhibit finer and more uniform microstructures and higher hardness.
The mechanical and electrical properties of Cu-Nb filamentary nanocomposite fabricated by the bundling and drawing process were examined. The strength increased gradually with increasing Nb content while the ductility was insensitive to Nb content. The ratio of yield stresses at 293K and 75K are found to be 치ose to that of Young's moduli in various Cu-Nb nanocomposites, suggesting that athermal obstacles primarily control the strength. The fracture morphologies show ductile fractures irrespective of Nb contents. Secondary cracking along the interfaces between subelemental wires was occasionally observed and the frequency of secondary cracking increased with increasing Nb content. The conductivity and the resistivity ratio decreased with increasing Nb content. The decrease of the conductivity and the resistivity ratio(${\rho}_{293k}$/$\{rho}_{75k}$) can be explained by the increasing contribution of interface scattering.
3원계 Al-Nb-Zr의 용응 합금을 스프렛 ?봬?(splat-quenching) 방법을 이용하여 급속냉각응고 한 후, 응고된 시편을 698K에서 200시간까지 열처리하여 상전이를 연구하였다. 급속응고 및 열처리된 시편의 미세구조는 X-선 회절 및 투과전자 현미경으로 분석하였다. Al-1.95Nb-0.65Zr, Al-1.3Nb-1.3Zr, 및 Al-0.65Nb-1.95Zr (at%) 3원 합금계를 연구하였다. 각 합금의 조성은 Vegard's 법칙을 적용하여 Al(${\alpha}$)의 기지조직과 $L1_2-Al_3(Nb,Zr)$의 석출상들이 정합을 이루도록 선택되었다. 급속응고된 후 각 합금은 과고용된 Al(${\alpha}$)의 고용상을 형성하였다. Al-1.3Nb-1.3Zr, 및 Al-0.65Nb-1.95Zr의 급속응고된 상태의 시편을 698K에서 열처리하여 알루미늄 기지와 정합의 계면을 갖는 $L1_2-Al_3(Nb_{0.5}Zr_{0.5})$와 $L1_2-Al_3(Nb_{0.25}Zr_{0.75})$의 상을 각각 석출하였다. 반면 Al-1.95Nb-0.65Zr 합금은 평형상인 $D0_{22}-Al_3(Nb_{0.75}Zr_{0.25})$ 상을 석출하였다. 준안정상의 정합 $Al_3(Nb,Zr)$ 미세 분산상 석출은 입자의 조대화를 억제하고 재료의 고온 강도를 증가될 것으로 사료된다.
The electrical properties of heavily drawn bundled Cu- Nb filamentary microcomposite wires were examined and correlated with the microstructural changes caused by thermomechanical treatments. The cross sectional shape of Nb filaments in wires fabricated by bundling and drawing appear straight or slightly curved. The different shape of Nb filaments is attributed to the break- up and cylinderization of Nb filaments during the bundling process at high temperatures. The resistivity of Cu-Nb microcomposites is predominantly controlled by electron scattering at Cu-Nb interfaces. The decrease of the conductivity below the annealing temperature of $400^{\circ}C$ is due to the increasing contribution of the scattering associated with coherency strains of needle- shaped precipitates. The slight decrease of the resistivity ratio (${\rho}_{295K}/{\rho}_{75K}$) is also due to the precipitation of Nb atoms. The increase in conductivity in Cu-Nb microcomposites at an annealing temperature of 50$0^{\circ}C$ is due to the coarsening and spheroidization of Nb filaments.
We present an experimental investigation of the superconducting transition temperatures, $T_c$, of superconductor/ferromagnet bilayers with varying the thickness of ferromagnetic layer. FeN was used for the ferromagnetic (F) layer, and NbN and Nb were used for the superconducting (S) layer. The results were obtained using three different-thickness series of the S layer of the S/F bilayers: NbN/FeN with NbN thickness, $d_{NbN}{\approx}9.3nm$ and $d_{NbN}{\approx}10nm$, and Nb/FeN with Nb thickness $d_{Nb}{\approx}15nm$. $T_c$ drops sharply with increasing thickness of the ferromagnetic layer, $d_{FeN}$, before maximal suppression of superconductivity at $d_{FeN}{\approx}6.3nm$ for $d_{NbN}{\approx}10nm$ and at $d_{FeN}{\approx}2.5nm$ for $d_{Nb}{\approx}15nm$, respectively. After shallow minimum of $T_c$, a weak $T_c$ oscillation was observed in NbN/FeN bilayers, but it was hardly observable in Nb/FeN bilayers.
We manufactured CoNbZr/Cu/CoNbZr multi-layer films by rf magnetron sputtering methods and formed the patterns on the deposited multi-layer films. In this study, we fabricated a new etchant for forming the patterns by the wet etching with etchant and we searched for the best etching conditions and the etchant composition. Cu was etched selectively independent on the concentration of iron chloride solution, but amorphous CoNbZr thin film did not. The etchant was achieved by iron chloride solution(17.5 mol%) mixed with HF (20 mol%) during 150 sec, which etched CoNbZr/Cu/CoNbZr multi-layer films at the same time. Also, the etchant etched CoNbZr/Cu/CoNbZr multi-layer films by the three-step. It was shown that the cross-section had the isotropic structure and excellent etching characteristics with the above etchant.
Kim, Jongmin;Jung, Young Hee;Kwak, Jun Young;Kim, Yeong Il
Journal of the Korean Chemical Society
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v.63
no.2
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pp.94-101
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2019
Nb, Mo-doped and Nb/Mo-codoped $VO_2(M)$ nanocrystallites with various doping levels were synthesized for the first time by a hydrothermal and post thermal transformation method. The reversible phase transition characteristics of those doped $VO_2(M)$ was comparatively investigated. Nb-doping of $VO_2(M)$ by this method resulted in a very efficient lowering of the transition temperature ($T_c$) with a rate of $-16.7^{\circ}C/at.%$ that is comparable to W-doping, while Mo-doping did not give a serious reduction of $T_c$ with only a rate of $-5.1^{\circ}C/at.%$. Nb/Mo-codoping gave a similar result to Nb-doping without a noticeable difference. The thin films of Nb-doped and Nb/Mo-codoped $VO_2(M)$ with a thickness of ca. 120 nm were prepared by a wet-coating of the nanoparticle-dispersed solutions. Those films showed a good thermochromic modulation of near infrared radiation with 30-35% for Nb-doped $VO_2(M)$ and 37-40% for Nb/Mo-codoped ones. Nb/Mo-codoped $VO_2(M)$ film showed slightly enhanced thermochromic performance compared with Nb-doped $VO_2(M)$ film.
We studied the optical and structural properties of conventional and ion-beam-assisted-deposition (IBAD) Nb$_2$O$_{5}$ films which were evaporated by an electron beam gun. The vacuum-to-air spectral shift and the cross sectional SEM images of the Nb$_2$O$_{5}$ films were investigated. The results show that the IBAD Nb$_2$O$_{5}$ films have a higher packing density than the conventional Nb$_2$O$_{5}$ films. The average refractive index of IBAD Nb$_2$O$_{5}$ films was increased, while the extinction coefficient was decreased compared with the conventional films. As the oxygen flow was increased, the average refractive index and extinction coefficient of the conventional and IBAD films decreased. Both the conventional and IBAD Nb$_2$O$_{5}$ films showed inhomogeneity in refractive index, and the degree of inhomogeneity of the IBAD Nb$_2$O$_{5}$ films became larger as the ion current density was increased. All Nb$_2$O$_{5}$ films were found to be amorphous by x-ray diffraction (XRD) analysis, and hence the crystal structure of Nb$_2$O$_{5}$ films was not changed by IBAD.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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