본 연구에서는 벼 재배 부문 질소 비료 시용에 따른 N2O 배출량 평가를 위해 경기도 화성시 경기도농업기술원 내 벼논에서 폐쇄형 챔버법으로 측정하였으며, 미량의 N2O 배출량이 과소평가되지 않도록 현장 측정 플럭스 자료에 대한 방법검출한계(MDL; Method Detection Limit)와 실용정량한계(PQL; Practical Quantitation Limit)를 산정하고 이를 바탕으로 QA/QC 방법을 설정하여 원시자료와 QA/QC 방법을 수행한 N2O 배출량을 비교하였다. 벼 재배 표준시비량인 3요소 N-P2O5-K2O = 90-45-57 kg ha-1 기준 질소 0배, 1배, 1.5배, 2배로 4처리하여 평가한 N2O 배출량 변화에서는 N2O 배출량이 가장 적었던 질소 0배 처리구 외에는 원시자료와 QA/QC 방법을 수행한 자료 모두 유의한 차이가 없었으며, 질소 비료 시용량이 많을수록 N2O 배출량이 높게 나타나 질소 1배 처리구 대비 질소 2배 처리구는 191% 높게 나타났다. 질소 시비량에 따른 N2O 배출량의 회귀관계 분석에서는 지수회귀모형에서 결정계수가 가장 높았으며, 선형회귀모형으로 산정한 기본배출계수는 IPCC에서 제공하는 기본배출계수 값과 동일하게 나타났다. 본 연구결과는 농업부문 온실가스 배출량 산정을 위해 보편적으로 사용하고 있는 폐쇄형 챔버법의 플럭스 자료에 대한 QA/QC 방법을 제시하고, 원시자료와의 비교분석을 통해 질소 비료 시비에 따른 벼논에서 발생하는 N2O 배출량에 대한 신뢰성 있는 평가가 가능한 것으로 판단할 수 있다.
Fe-Hf-N 연자성 박막의 물리적, 자기적 특성에 미치는 열처리 영향에 대하여 고찰하였다. Fe-Hf-N 연자성 박막을 질소분위기에서 열처리 할 경우 표면에 Fe$_2$O$_3$-Fe$_3$O$_4$으로 구성된 산화층이 생성되었고, 이 산화층 아래 Fe-Hf-O-N층이 생성되었다. 열처리 온도의 증가에 따라 Fe$_2$O$_3$-Fe$_3$O$_4$ 산화층과 Fe-Hf-O-N 층의 두께가 증가하였고, Fe$_2$O$_3$-Fe$_3$O$_4$산화층을 제외한 박막의 두께는 열처리전과 같았다. 열처리한 박막에서 표면에 생성된 Fe$_2$O$_3$-Fe$_3$O$_4$산화층의 두께를 제외하고 계산한 박막의 연자기 특성은 열처리 전의 연자기 특성에 비해 약간 떨어지는 것으로 나타났다. 그러므로, Fe-Hf-O-N층은 박막 전체의 연자기 특성을 크게 떨어뜨리지 않으며, 열처리 후 박막 전체의 연자기 특성은 Fe-Hf-O-N과 Fe-Hf-N의 다층막의 연자기 특성을 나타내는 것으로 생각된다.
Al, N-codoped ZnO(ZnO:N,Al) thin films were deposited on n-type Si(100) substrate at $450^{\circ}C$ with various conditions of ambient gas$(N_2:O_2)$ by DC magnetron sputtering method using ZnO:$Al_2O_3$(2wt%) as a target, and then were annealed at 500, 700, $800^{\circ}C$ in $N_2$ gas for one hour. XRD patterns showed that all of the ZnO:N,Al thin films annealed at $80^{\circ}C$ grew with two peaks, which means poor crystallinity of the thin films deposited. Hall effects in Van der Pauw configuration proved that after annealing the films deposited showed low resistivity and high carrier concentration. While the films annealed at $800^{\circ}C$ showed low resistivity of $\sim10^{-2}\Omega$ cm and high carrier concentration of $\sim10^{19}cm^{-3}$.
플라즈마 화학적 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition)공정 중 NH3 gas flow rate, RF power, SiH4 gas flow rate을 고정시키고 N2O gas flow rate을 0 sccm부터 250 sccm까지 변화시키는 조건 하에 SiON박막을 증착한 후 그 투과율, 굴절률을 측정하고 분석하였다. N2O gas flow rate조건별 시편들은 증착율을 계산하여 350 nm 두께로 동일하게 SiON을 증착하였고, borofloat위에 SiON을 증착한 샘플은 투과율을, 실리콘기판 위에 SiON을 증착한 샘플로는 굴절률을 측정하였다. 투과율의 경우는 UV/Vis spectrometer를 이용해 633 nm, 1550 nm 두 가지 파장 대 모두에서 N2O gas flow rate이 가장 큰 250 sccm일 때 가장 높은 것을 알 수 있었고 N2O gas flow rate이 낮아질수록 투과율 또한 작아지는 경향을 보였다. 굴절률은 ellipsometer를 이용해 측정하였으며 633 nm 파장에서 N2O gas flow rate가 가장 낮은 0 sccm일 때 굴절률이 가장 큰 값을 가지고 N2O gas flow rate이 커질수록 굴절률은 지수함수적으로 감소되었다(n=1.837~1.494). 이는 N2O gas flow rate이 낮을수록 SiN계열에 커질수록 SiO2계열에 가까워지는 현상으로 이해된다. 이러한 실험분석 결과는 향후 실리카 도파로의 설계 및 최적화를 위해 사용될 수 있다.
An annular denuder filter pack sampling system (ADS) was used to collect acidic air pollutants in Pusan. During the study period (from June 1995 to November 1995), forty eight samples were collected every 12 hours starting from 6:00 in the morning. These samples were devided into two sets of data for day (6:00 a.m.-6:00 p.m.) and night (6:00 p.m.-6:00 a.m.). The chemical species were analyzed for HN $O_3$, HN $O_2$, S $O_2$ and N $H_3$ in the gas Phase, and N $O_3$$^{[-10]}$ , S $O_4$$^{2-}$ and N $H_4$$^{+}$ in the particulate phase. The mean concentrations measured from this study were 0.24, 1.91, 30.07 and 4.24 $\mu\textrm{g}$/㎥ for HN $O_3$, HN $O_2$, S $O_2$ and N $H_3$, respectively. The mean concentrations of N $O_3$$^{[-10]}$ , S $O_4$$^{2-}$ and N $H_4$$^+{\ulcorner}$ were 1.95, 7.36 and 3.48 $\mu\textrm{g}$/㎥, respectively. The mean concentrations of gaseous species except for HN $O_2$ were higher in daytime than in nighttime, but the reverse was true in the particulates except for N $H_4$$^{+}$. +/..
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제12권4호
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pp.169-173
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2011
In this study, Al-N codoped p-type zinc oxide (ZnO) thin films were deposited on Si and homo-buffer layer templates in a mixture of $N_2$ and $O_2$ gas with ceramic ZnO:(2 wt% $Al_2O_3$) as a sputtering target using DC- magnetron sputtering. X-ray diffraction spectra of two-theta diffraction showed that all films have a predominant (002) peak of ZnO Wurtzite structure. As the $N_2$ fraction in the mixed $N_2$ and $O_2$ gases increased, field emission secondary electron microscopy revealed that the surface appearance of codoped films on Si varied from smooth to textured structure. The p-type ZnO thin films showed carrier concentration in the range of $1.5{\times}10^{15}-2.93{\times}10^{17}\;cm^{-3}$, resistivity in the range of 131.2-2.864 ${\Omega}cm$, and mobility in the range of $3.99-31.6\;cm^2V^{-1}s^{-1}$ respectively.
This paper is studies the addition effects of $La_2O_3$ on the magnetic properties of Sr ferrite. Compositions were chosen according to the formula $[SrO{\cdot}nFe_2O_3]_{100-x}(La_2O_3)_x$. where n was varied between 5.8~6.1 and x between 0~3. The composition of the best value $(BH)_{max}$=1.48MGOe was n=6(stoichiometric composition) and x=2 at $La_2O_3$ addition. This value was higher than that of ordinary isotropic strontium ferrite.
TiCrAlSiN films were developed in order to improve the high-temperature oxidation resistance, corrosion resistance, and mechanical properties of conventional TiN films that are widely used as hard films to protect and increase the lifetime and performance of cutting tools or die molds. In this study, a nano-multilayered TiAlCrSiN film was deposited by cathodic arc plasma deposition. It displayed relatively good oxidation resistance at $700-900^{\circ}C$, owing to the formation protective oxides of $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$, and $SiO_2$, and semiprotective $TiO_2$. At $1000^{\circ}C$, the increased temperature led to the formation of the imperfect oxide scale that consisted primarily of the outer ($TiO_2$,$Al_2O_3$)-mixed scale and inner ($TiO_2$, $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$)-mixed scale.
The effect of sintering atmosphere on the grain sizes and phase distributions in 3Y-ZrO2 and 8Y-ZrO2 was investigated O2 and N2 were used as sintering atmospheres. In the case of 3Y-ZrO2 the sintered density was higher in N2 than in O2 while in the case of 8Y-ZrO2 contrary results were obtained. The observation can be explained by the nitrogen solubility into the zirconia lattice. That is nitrogen gas can behave as a diffusive gas contrary to the behavior in other oxides depending on the amount of Y2O3. In 3Y-ZrO2 tetragonal phase was retained at room temperature irrespective of sintering atmospheres. Grain sizes of two specimens were below 2㎛ and larger in O2 thin in N2 Under a given stress the transformability of tetragonal phase into monoclinic phase was higher in O2 than N2. The results are discussed on the basis of an effect of the grain size and non-transformable ttragonal(t') phase.
밭에서 $N_2O$ 배출에 영향을 주는 요인 중 토양온도의 특성을 파악하고, 이러한 요인들이 $N_2O$ 배출에 얼마나 영향을 주는지를 정량적으로 밝히고자, 수원시에 위치한 국립농업과학원 기후변화생태과 시험포장에서 $N_2O$ 배출 시험을 수행하였다. 배추 재배에서 경운 유 무와 재배시기에 따라 NPK, 헤어리베치+N, 돈분퇴비를 처리하여 $N_2O$ 배출에 미치는 영향을 조사하고, 이에 대한 결과를 배출계수로 산출하여 IPCC default 값 (기후변화에 관한 정부간 협의체; Intergovernmental Pannel on Climate Change)과 비교 결과는 다음과 같다. 1) 질소질원별 재배기간 2년 평균 (2009~2010) $N_2O$의 총 배출량은 돈분퇴비>NPK>헤어리베치+N 비료 처리 순으로 나타났으며, 경운 유 무에 따른 $N_2O$ 배출은 경운에 비해 무경운에서 33.7~51.8% (봄재배) 그리고 31.4~76.7% (가을재배)가 저감되었다. 2) 재배시기별로는 가을배추재배는 봄재배 보다 $N_2O$ 배출량이 경운처리 NPK 49.6%, 헤어리베치+N 비료 39.0%, 돈분퇴비 처리에서 60% 감소하였고, 무경운 처리에서는 각각 59.5%, 70.6, 58.7%가 감소하였다. 3) 봄과 가을배추 재배지에서 측정한 모든 처리의 $N_2O$ 배출계수가 IPCC default 값인 0.0125 kg $N_2O$-N/kg N (현재 우리나라 온실가스 배출량 산정에 적용)보다 15.2~86.4% 적었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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