• 제목/요약/키워드: N2O

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TaN 게이트 전극을 가진 $HfO_xN_y$ ($HfO_2$) 게이트 산화막의 열적 안정성 (Thermal Stability and Electrical Properties of $HfO_xN_y$ ($HfO_2$) Gate Dielectrics with TaN Gate Electrode)

  • 김전호;최규정;윤순길;이원재;김진동
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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    • pp.54-57
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    • 2003
  • [ $HfO_xN_y$ ] films using a hafnium tertiary-butoxide $(Hf[OC(CH_3)_3]_4)$ in plasma and $N_2$ ambient were prepared to improve the thermal stability of hafnium-based gate dielectrics. A 10% nitrogen incorporation into $HfO_2$ films showed a smooth surface morphology and a crystallization temperature as high as $200^{\circ}C$ compared with pure $HfO_2$ films. The $TaN/HfO_xN_y/Si$ capacitors showed a stable capacitance-voltage characteristics even at post-metal annealing temperature of $1000^{\circ}C$ in $N_2$ ambient and a constant value of 1.6 nm EOT (equivalent oxide thickness) irrespective of an increase of PDA and PMA temperature. Leakage current densities of $HfO_xN_y$ capacitors annealed at PDA temperature of 800 and $900^{\circ}C$, respectively were approximately one order of magnitude lower than that of $HfO_2$ capacitors.

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Synthesis and characterization of noble metal coupled N-TiO2 nanoparticles

  • Lee, Kyusang;Moon, Jiyeon;Kim, Seonmin
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.374.2-374.2
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    • 2016
  • Volatile organic compounds (VOCs) in the atmosphere are harmful materials which influence indoor air environment and human health. Titanium dioxide ($TiO_2$) is photocatalyst extensively used in degradation of organic compound. To improve the photocatalytic activity in the visible light region, doping with non-metals element or loading noble metals on the surface of $TiO_2$ is generally proposed. In this study, N- doped $TiO_2$ having photocatalytic activity in visible light region was attached noble metal such as Pt, Ag, Pd, Au by coupling method. Catalytic activities of Noble metal coupled $N-TiO_2$ powders were evaluated by the improvement of their photocatalytic activities and the degradation of VOC gas. A UV-Vis spectrophotometer was used to measure the diffuse reflectance spectra of coupled $N-TiO_2$ sample. The photocatlytic activities of as prepared samples were characterized by the decoloration of aqueous MB solution under Xenon light source (UV and visible light). To measure of decomposition VOCs, ethylbenzene was selected for target VOC material and the concentration was monitored under UVLED irradiation in a closed chamber system. Adjusting the initial concentration of 10~12 ppm, to evaluate the removal characteristics by using the coupled $N-TiO_2$.

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몰리브덴(Ⅲ) 과 바나듐(Ⅲ) 호모 및 헤테로 이핵 착물의 합성과 특성 (제 4 보) (Synthesis and Characterization of Homo-, Hetero-Dinuclear Mo(Ⅲ) and V(Ⅲ) Complexes (Ⅳ))

  • 오상오;유은영
    • 대한화학회지
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    • 제38권11호
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    • pp.808-818
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    • 1994
  • $MCl_z$(M = Mo; z = 5, M = V; z = 3)과 N,P 주개 리간드를 acetonitrile 용매에서 반응시켜 중성착물 [$MCl_3L_2$(MeCN)] (M = Mo, V: L = $PPh_3$, 1/2 phda)을 합성하였다. Acetone 용액에서 이들 중성 화합물과 $AgClO_4$를 반응시켜 [$MCl_3-_nL_2(MeCN)(S)_n$]$(ClO_4)_n$ (n = 1, 2 : s = solvent)의 양이온 화합물을 얻었다. 2가의 양이온 화합물과 중성 화합물을 반응시켜 염소가 다리 연결된 이핵 화합물 $[(MeCN)(L)_2ClM({\mu}-Cl)_2M'Cl(L)_2(MeCN)](ClO_4)_2$ 및 1가의 양이온 화합물과 pyzidine을 2:1 화학양론으로 반응시켜 pyzidine이 다리 결합된 이핵 화합물 $[(MeCN)(L)_2Cl_2M({\mu}-pyz)M'Cl_2(L)_2(MeCN)](ClO_4)_2$형의 호모(M = M'), 헤테로(M ${\neq}$ M') 화합물을 합성하였다. 합성한 착물들은 원소분석과 적외선, $^1H$, $^{13}C$ 핵자기 공명 및 전자 흡수스펙트럼 등을 이용하여 그 특성을 조사하였다.

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감자 재배 화산회토양에서 질소시비 수준, 강우 및 온도 환경 변화에 따른 아산화질소 배출 특성 (Influence of N Fertilization Level, Rainfall and Temperature on the Emission of N2O in the Jeju Black Volcanic Ash Soil with Potato Cultivation)

  • 양상호;강호준;이신찬;오한준;김건엽
    • 한국토양비료학회지
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    • 제45권4호
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    • pp.544-550
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    • 2012
  • 본 연구는 감자 재배 화산회 토양에서 질소시비 수준 및 강우, 온도 환경 변화에 따른 $N_2O$ 배출량을 측정하고 배출에 영향을 미치는 요인 특성을 구명하기 위하여 제주특별자치도농업기술원 시험포장에서 2년간 (2010~2011년) 수행되었다. 감자 재배기간 동안 $N_2O$ 배출량은 질소시비량이 많을수록 많았다. 재배시기별 $N_2O$ 배출량은 강우량 많은 시기인 재배 초기와 중기에 많았으나, 강우가 적고 한발 시기인 재배 말기에는 매우 적거나 거의 없는 경향을 보였다. $N_2O$ 배출 양상은 강우량 및 토양수분함량 변화와 대체로 유사한 경향을 보였다. $N_2O$ 배출량과 상관관계 (r)를 분석한 결과, '10년도에는 토양수분과 토양온도는 각각 $0.6251^{**}$, $0.6082^{**}$로 고도로 유의성이 인정되었으나, 토양 EC와는 0.1082로 유의성은 인정되지 않았다. '11년도에는 토양온도와는 $0.4879^{**}$로 유의성이 인정되었으나, 토양수분과 토양 EC와는 각각 0.0469, 0.0400으로 유의성은 인정되지 않았다. $NH_4$-N과 는 $0.7476^{**}$로 고도로 유의성이 인정되었으나, $NO_3$-N과 토양 질소 ($NO_3-N+NH_4-N$)와는 각각 0.0843과 0.1797로 유의성이 인정되지 않았다. 질소시비량에 따른 2년 동안의 $N_2O$ 배출량을 배출계수로 환산한 값은 $0.0040\;N_2O-N\;kg\;N^{-1}\;kg^{-1}$로 IPCC 가이드라인의 기본계수인 $0.0100\;N_2O-N\;kg\;N^{-1}\;kg^{-1}$ 보다는 약 2.5배 낮은 것으로 분석되었다.

The Comparison of Property and Visible Light Activity between Bulk and Surface Doped N-TiO2 Prepared by Sol-gel and N2-plasma Treatment

  • Hu, Shaozheng;Li, Fayun;Fan, Zhiping
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제33권1호
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    • pp.199-203
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    • 2012
  • A modified sol-gel method and $N_2$-plasma treatment were used to prepare bulk and surface doped N-$TiO_2$, respectively. XRD, TEM, UV-vis spectroscopy, $N_2$ adsorption, Elemental Analyzer, Photoluminescence, and XP spectra were used to characterize the prepared $TiO_2$ samples. The N doping did not change the phase composition and particle sizes of $TiO_2$ samples, but increased the visible light absorption. The photocatalytic activities were tested in the degradation of an aqueous solution of a reactive dyestuff, methylene blue, under visible light. The photocatalytic activity of surface doped N-$TiO_2$ prepared by $N_2$-plasma was much higher than that of bulk doped N-$TiO_2$ prepared by sol-gel method. The possible mechanism for the photocatalysis was proposed.

Furnace로 $N_2O$ 분위기에서 성장시킨 Oxynitride 절연막 특성 (Characteristics of Oxynitride Dielectics Prepared in $N_2O$ Ambient by Furnace)

  • 이은구;박인길;박진성
    • 한국세라믹학회지
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    • 제32권1호
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    • pp.31-36
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    • 1995
  • (100) Si was oxidized in N2O ambient, and the film properties of oxynitride dielectrics were compared with pure SiO2. The growth rate, after pre-oxidation in O2/N2 ambient with raising temperature, is faster than that of O2/N2O treatment during the same condition. Nitrogen piles up at the interface of SiO2 and Si substrate and the content is about 2atom%. Comparing with pure SiO2, oxynitride dielectrics shows less dielectric breakdown failures and flat-band voltage shift, and good diffusion barrier property to dopant(BF2) is also observed.

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$N_2O$ 추진제 분해 촉매의 고온 내열 특성 연구 (Study on the Characteristics of Thermal-resistance Catalyst for $N_2O$ Propellant Decomposition)

  • 백진오;김태규
    • 한국추진공학회:학술대회논문집
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    • 한국추진공학회 2010년도 제34회 춘계학술대회논문집
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    • pp.373-376
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    • 2010
  • 아산화질소를 추진제로 사용하기 위해 아산화질소의 촉매 분해 특성과 고온 하에서 내열성을 연구하였다. 기존의 Ru 촉매의 내열성을 개선하기 위해 추가적으로 $Al_2O_3$ 지지체에 Si를 담지시킨 후 Ru을 담지하였다. 관형 반응기를 이용하여 반응온도에 따른 아산화질소의 전환율을 측정하고, Si 첨가에 의한 분해특성에 대해서 연구하였다. 반응온도가 높을수록 전환율이 우수했고, Ru/$Al_2O_3$-Si 촉매가 Ru/$Al_2O_3$ 촉매보다 높은 전환율을 보였다.

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DC 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 광촉매박막($TiO_2$, TiO-N)제조 및 오염물질 제거에 관한 연구 (Studies on Photocatalytic Thin Films($TiO_2$, TiO-N) Manufactured by DC Magnetron Sputtering Method and it's Characteristics for Removal of Pollutants)

  • 정원상;박상원
    • 대한환경공학회지
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    • 제27권1호
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    • pp.59-66
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    • 2005
  • [ $TiO_2$ ]박막은 DC 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 다양한 스퍼터링 파라미터(전력 $0.6{\sim}5.2\;kw$, 기판온도 실온${\sim}350^{\circ}C$, 산소량 $0{\sim}50\;sccm$($O_2+Ar$ 90 sccm, 압력은 약 1 mtorr))를 통하여 증착되었다. TiO-N박막도 가스의 유량비를 제외하고는 $TiO_2$박막과 같은 스퍼터링 조건하에서 증착되었다. 이러한 스퍼터링 파라미터에서 증착된 박막의 전기적 특성을 분석하기 위하여 시트저항을 측정하였고, 박막의 두께(${\alpha}$-step), 표면 거칠기(AFM), 형성 조직(FE-SEM, XRD)을 분석하여 최적 스퍼터링 파라미터를 도출하였다. 최적 스퍼터링 파라미터에서 제조된($TiO_2$, TiO-N)박막을 이용하여 광활성도를 평가하기 위하여 VOCs물질 중 toluene, 반응성 염료인 Suncion Yellow를 대상 물질로 선정하여 적용성 연구를 수행하였다. 실험에서 광촉매 박막은 적용물질에 대해서 광활성을 양호하게 보였으며, 특히 TiO-N광촉매 박막은 가시광 영역에서도 최대 33%의 톨루엔(5 ppm) 제거 효율을 나타내었다.

SiO2 콜로이달에 의한 Si3N4 복합 세라믹스의 상온굽힘강도 및 균열치유 현상 (Room Temperature Strength and Crack Healing Morphology of Si3N4 Composite Ceramics with SiO2 Colloidal)

  • 남기우;김종순;이희방
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제33권7호
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    • pp.652-657
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    • 2009
  • Strength characteristics of $Si_3N_4$ composite ceramics has been studied as functions of heat-treatment temperature and additive $SiO_2$. $SiO_2$ colloidal could significantly increase the bending strength. Crack healing temperature decreased 300 K by additive $TiO_2$. Bending strength of specimen added $SiO_2$ is higher than that of non-added $SiO_2$. Moreover, bending strength of specimen with $SiO_2$ colloidal coating is much higher that of non-coated specimen. In in-situ observation, crack-healed specimen at 1,573 K shows phenomenon like a fog on the surface. By SPM, both crack-healed specimen, non-coating and coating of $SiO_2$ colloidal, at 1,273 K were healed completely but both of 1,573 K exist crack. This was made by evaporation of $SiO_2$ at high temperature. Crack-healing materials of $Si_3N_4$ composite ceramics is crystallized $Y_2Si_2O_7$, $Y_2Ti_2O_7$ and $SiO_2$. A large amount of Si and O, and little C were detected by EPMA. Si and O increase but C decreases according to heat treatment temperature. Specimens with additive $SiO_2$ were more detected Si and O than that of non-additive $SiO_2$. Specimen with $SiO_2$ colloidal coatings were much more detected O.

청색광 검출 Si Photodiode에서 $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ 광반사 방지막의 최적두께 설계

  • 서동균;황용운;장지근
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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    • pp.67-71
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    • 2004
  • 400~450nm 파장 범위의 청색광을 검출하는 Si 포토다이오드에서 $SiO_2$, $Si_{3}N_{4}$, $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$를 광반사 방지막으로 사용하는 경우 광반사 방지막의 두께에 따른 표면 광반사 손실을 이론적으로 계산하였다. 400~450nm 청색 파장에서 $SiO_2$, $Si_{3}N_{4}$ 단일막에 대한 최소 광반사 손실은 각각 $d(SiO_2)=700~750{\AA}$$d(Si_{3}N_{4})=500${\AA}$에서 나타났으며, $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ 이중막에 대한 최소 광반사 손실은 $d(SiO_{2}/Si_{3}N_{4})=750{\AA}/(180~200){\AA}$에서 나타났다.

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