TaN 게이트 전극을 가진 $HfO_xN_y$ ($HfO_2$ ) 게이트 산화막의 열적 안정성
(Thermal Stability and Electrical Properties of $HfO_xN_y$ ($HfO_2$ ) Gate Dielectrics with TaN Gate Electrode)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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- pp.54-57
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- 2003