Tolerance design has been identified as an important research area and a number of models have been proposed in the literature. This paper investigates the effect of limited capacity on tolerance design for products with nominal-the-best type (N-type) quality characteristics. The model is developed under the assumption that the reprocessed and nonreprocessed items are produced by the same manufacturing process and therefore their quality characteristics are identically and independently distributed. Profit models are constructed which involve four price/cost components; selling price, cost incurred by imperfect quality, reprocessing and quality inspection costs. Methods of finding the optimal tolerance limits are presented, and a numerical example is given. Sensitivity analyses are also performed to study the effect of a process standard deviation on this model.
An analysis of groundwater quality is significant for monitoring and managing water contamination and groundwater system. For the purpose of those, the geochemical characteristics of groundwater were studied over the concern for water quality, water type and origin of nitrate nitrogen. Total colony counts were detected in 11 out of 20 samples, and the average value was 31.73 CFU/ml. Range and average of NO3-N concentrations were 0.9~24.0 mg/L and 8.3 mg/L. All groundwater types were found to be Ca2+-HCO3-. The range and average of NO3-N were 0.2~17.4 mg/L and 8.7 mg/L, and those of δ15N were 1.7~8.9‰, and 5.0‰. Careful consideration is required for evaluating the origin of nitrogen when NO3-N concentration is low. In general, noticeable difference between rockbed and alluvial water was not found. The ranges of nitrate origins by chemical fertilizer, livestock manure and domestic sewage, and natural soil were 29.6~76.4%, 14.2~58.9% and 2.6~7.0%, and the average values of those were 57.4%, 37.4%, and 5.3%, respectively. Origin of nitrate was affected by more chemical fertilizer than the other parameters. Rockbed water was more affected by chemical fertilizer than alluvial water.
This study was carried out to investigate the effect of yucca extract on the quality characteristics of Chungkookjang using Bacillus subtilis p01. The changes in the contents of amino-type N, ammonia type N, volatile compounds and organic acids, and those in the activities of ${\alpha}-amylase$ and protease were also determined during aging of Chungkookjang. The amount of amino-type N increased gradually with time for aging. The content of amino-type N was slightly higher in Chungkookjang fermented by adding yucca extract than in the control without yucca extract. The content of ammonia-type N was slightly lower in Chungkookjang with yucca extract than in the control without yucca extract. The activities of amylase and protease were higher in Chungkookjang with yucca extract than in the control and the highest in Chungkookjang containing 0.5 mg/g of yucca extract. Organic acid contents in Chungkookjang was the highest at the initial period of fermentation. The contents of organic acids in Chungkookjang with yucca extract was higher than that in control for 48 hr of aging. The amounts of 2,5-dimethylpyrazine were increased by addition of yucca extract, while those of cis-3-hexanol were decreased.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.10
no.3
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pp.89-92
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2009
High-quality Al-N doped p-type ZnO thin films were deposited on Si and buffer layer/Si by DC magnetron sputtering in a mixture of $N_2$ and $O_2$ gas. The target was ceramic ZnO mixed with $Al_2O_3$ (2 wt%). The p-type ZnO thin films showed a carrier concentration in the range of $1.5{\times}10^{15}{\sim}2.93{\times}10^{17}\;cm^{-3}$, resistivity in the range of 131.2${\sim}$2.864 ${\Omega}cm$, mobility in the range of 3.99${\sim}$31.6 $cm^2V^{-1}s^{-l}$, respectively. It was easier to dope p-type ZnO films on Si substrates than on buffer layer/Si. The film grown on Si showed the highest quality of photoluminescence (PL) characteristics. The Al donor energy level depth $(E_d)$ of Al-N codoped ZnO films was reduced to about 50 meV, and the N acceptor energy level depth $(E_a)$ was reduced to 63 meV.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.2
no.4
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pp.295-301
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2002
In this paper, solenoid-type 3-D passives (inductors and transformers) have been designed, fabricated, and characterized by using electroplating techniques, wire bonding techniques, multi-layer thick photoresist, and low temperature processes which are compatible with semiconductor circuitry fabrication. Two different fabrication approaches are performed to develop the solenoid-type 3-D passives and relationship of performance characteristics and geometry is also deeply investigated such as windings, cross-sectional area of core, spacing between windings, and turn ratio. Fully integrated inductor has a quality factor of 31 at 6 GHz, an inductance of 2.7 nH, and a self resonant frequency of 15.8 GHz. Bonded wire inductor has a quality factor of 120, an inductance of 20 nH, and a self resonant frequency of 8 GHz. Integrated transformers with turn ratios of 1:1 and n:l have the minimum insertion loss of about 0.6 dB and the wide bandwidth of a few GHz.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.419-420
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2008
In this study, high quality (Al,N)-codoped p-type ZnO thin films were obtained by DC magnetron sputtering. The film on buffer layer grown in 80% $N_2$ ambient shows highest hole concentration of $2.93\times10^{17}cm^{-3}$. The films show hole concentration in the range of $1.5\times10^{15}$ to $2.93\times10^{17}cm^{-3}$, resistivity of 131.2 to 2.864 $\Omega$cm, mobility of 3.99 to 31.6 $cm^2V^{-1}s^{-1}$. The films on Si show easier p-doping in ZnO than those on buffer layer. The film on Si shows the highest quality of optical photoluminescence (PL) characteristics. The donor energy level $(E_d)$ of (Al,N)-codoped ZnO films is about 50 meV and acceptor energy level $(E_a)$ is in the range of 63 to 71 meV. It will help to improve p-type ZnO films.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.3
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pp.139-143
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2017
N-type crystalline silicon solar cells have high metal impurity tolerance and higher minority carrier lifetime that increases conversion efficiency. However, junction quality between the boron diffused layer and the n-type substrate is more important for increased efficiency. In this paper, the current status and prospects for boron diffused layers in N-type crystalline silicon solar cell applications are described. Boron diffused layer formation methods (thermal diffusion and co-diffusion using $a-SiO_X:B$), boron rich layer (BRL) and boron silicate glass (BSG) reactions, and analysis of the effects to improve junction characteristics are discussed. In-situ oxidation is performed to remove the boron rich layer. The oxidation process after diffusion shows a lower B-O peak than before the Oxidation process was changed into $SiO_2$ phase by FTIR and BRL. The $a-SiO_X:B$ layer is deposited by PECVD using $SiH_4$, $B_2H_6$, $H_2$, $CO_2$ gases in N-type wafer and annealed by thermal tube furnace for performing the P+ layer. MCLT (minority carrier lifetime) is improved by increasing $SiH_4$ and $B_2H_6$. When $a-SiO_X:B$ is removed, the Si-O peak decreases and the B-H peak declines a little, but MCLT is improved by hydrogen passivated inactive boron atoms. In this paper, we focused on the boron emitter for N-type crystalline solar cells.
Purpose: The purpose of this study was to identify levels of health literacy and examine the effects of health literacy and self-care activities on quality of life of patients with type 2 diabetes. Methods: A cross sectional design was used. Questionnaires were administered via the Gallup to 500 Korean patients with diabetes in Seoul and Gyeonggi areas. The data were analyzed using descriptive statistics, independent t tests, one way ANOVA, and hierarchical regression. Results: Of 500 patients, 12.4% (n=62) indicated 'inadequate' health literacy, and 43.8% (n=219) reported 'marginal' or 'adequate' health literacy. Levels of health literacy significantly differed by demographic characteristics, self-care activities, and quality of life. The factors that had a significant effect on quality of life included inadequate health literacy (B=3.63, p=.042) and marginal health literacy (B=3.84, p=.002); however, no significant relationship was found for self-care activities (B=0.01, p=.827). Conclusion: The results of this study demonstrate a need for further research with large samples using Korean Health Literacy Scale for Diabetes Mellitus to establish the relationships between health literacy, diabetes self-care activities, and quality of life.
Most high-efficiency n-type silicon solar cells are based on the high quality surface passivation and ohmic contact between the emitter and the metal. Currently, various metalization methods such as screen printing using metal paste and physical vapor deposition are being used in forming electrodes of n-type silicon solar cell. In this paper, we analyzed the degradation factors induced by the front electrode formation process using e-beam evaporation of double passivation structure of p-type emitter and $Al_2O_3/SiN_x$ for high efficiency solar cell using n-type bulk silicon. In order to confirm the cause of the degradation, the passivation characteristics of each electrode region were determined through a quasi-steady-state photo-conductance (QSSPC).
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.1
no.3
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pp.182-188
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2001
A solenoid-type MEMS inductor with a quality factor over 10 at 2 GHz has been developed using an electroplating technique. The integrated spiral inductor has a low Q factor due to substrate loss and skin effects. It also occupies a large area compared to the solenoid-type inductor. The direction of flux of the solenoid-type inductor is parallel to the substrate, which can lower the substrate loss and other interference with integrated passive components. To estimate the characteristics of the proposed inductor over a high frequency range, the 3D FEM (Finite Element Method) simulation is used by using the HFSS at the Ansoft corporation. The electroplated solenoid-type inductor is fabricated on a glass substrate step by step by using photolithography and copper electroplating. The fabrication process to improve the quality factor of the inductor is also developed. The achieved inductance varies within a range from 0.5 nH to 2.8 nH, and the maximum Q factor is over 10.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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