International Journal of Fuzzy Logic and Intelligent Systems
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v.2
no.3
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pp.215-220
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2002
This paper proposes a method to apply the Backpropagation(BP) algorithm of MVL(Multi-Valued Logic) Neural Network to pattern recognition. It extracts the property of an object density about an original pattern necessary for pattern processing and makes the property of the object density mapped to MVL. In addition, because it team the pattern by using multiple valued logic, it can reduce time f3r pattern and space fer memory to a minimum. There is, however, a demerit that existed MVL cannot adapt the change of circumstance. Through changing input into MVL function, not direct input of an existed Multiple pattern, and making it each variable loam by neural network after calculating each variable into liter function. Error has been reduced and convergence speed has become fast.
Kim, Kyung Rok;Jeong, Jae Won;Choi, Young-Eun;Kim, Woo-Seok;Chang, Jiwon
Journal of Semiconductor Engineering
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v.1
no.1
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pp.57-63
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2020
Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology is now facing a power scaling limit to increase integration density. Since 1970s, multi-valued logic (MVL) has been considered as promising alternative to resolve power scaling challenge for increasing information density up to peta-scale level by reducing the system complexity. Over the past several decades, however, a power-scalable and mass-producible MVL technology has been absent so that MVL circuit and system implementation have been delayed. Recently, compact MVL device researches incorporating multiple-switching characteristics in a single device such as 2D heterojunction-based negative-differential resistance (NDR)/transconductance (NDT) devices and quantum-dot/superlattices-based constant intermediate current have been actively performed. Meanwhile, wafer-scale, energy-efficient and variation-tolerant ternary-CMOS (T-CMOS) technology has been demonstrated through commercial foundry. In this review paper, an overview for MVL development history including recent studies will be presented. Then, the status and its future research direction of MVL technology will be discussed focusing on the T-CMOS technology for peta-scale information processing in semiconductor chip.
본 논문에서는 CM-MVL(Current Mode Multi-Valued Logic)을 이용한 Host와 LCD Controller 간에 인터페이스 회로를 제안한다. 제안한 회로는 기존의 LVDS(Low Voltage Differential Signaling)과 TMDS(Transition Minimized Differential Signaling)와 같은 전류 특성을 가지며, 3비트 동시 전송이 가능하여 동일한 전송 속도 하에서 보다 많은 데이터를 전송할 수 있다. 그리고 전류에 의한 데이터 전송을 통하여 노이즈에 강한 특성을 나타낸다. 제안한 회로는 HSPICE 시뮬레이션을 통해서 회로의 동작을 확인하였다.
This paper describes the design techniques of the data converters for Multiple-Valued Logic(MVL). A 3.3V low power 4 digit CMOS analog to quaternary converter (AQC) and quaternary to analog converter (QAC) mainly designed with the neuron MOS down literal circuit block has been introduced. The neuron MOS down literal architecture allows the designed AQC and QAC to accept analog and 4 level voltage inputs, and enables the proposed circuits to have the multi-threshold properity. Low power consumption of the AQC and QAC are achieved by utilizing the proposed architecture.
Proceedings of the Korean Institute of Intelligent Systems Conference
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2002.05a
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pp.241-244
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2002
본 논문은 다치(MVL : Multiple Valued Logic) 신경망의 BP 알고리즘을 이용하여 패턴 인식에 응용하는 방법을 제안한다. 패턴처리에 필요한 원 패턴에 대한 물체 농도의 특징을 추출하고, 물체 농도의 특징을 다치로 사상시킨다. 또한 다치 신경망을 이용하여 원 패턴을 학습을 시킨 다음, 노이즈 패턴을 제거하여 원 패턴에 근접한 패턴을 인식하게 되므로, 패턴에 필요한 시간 및 기억 공간을 최소화할 수 있다.
A multi-valued logic(MVL) pass gate is an important element to configure multi-valued logic. In this paper, we designed the Quaternary MIN(QMIN)/negated MIN(QNMIN) gate, the Quaternary MAX(QMAX)/negated MAX(QNMAX) gate using double pass-transistor logic(DPL) with neuron $MOS({\nu}MOS)$ threshold gate. DPL is improved the gate speed without increasing the input capacitance. It has a symmetrical arrangement and double-transmission characteristics. The threshold gates composed by ${\nu}MOS$ down literal circuit(DLC). The proposed gates get the valued to realize various multi threshold voltages. In this paper, these circuits are used 3V power supply voltage and parameter of 0.35um N-Well 2-poly 4-metal CMOS technology, and also represented HSPICE simulation results.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.40
no.10
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pp.52-62
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2003
This paper discusses ternary logic gate, ternary D flip-flop, and ternary four-digit parallel input/output register. The ternary logic gates consist of n-channel pass transistors and neuron MOS(νMOS) threshold inverters on voltage mode. They are designed with a transmission function using threshold inverter that are in turn, designed using Down Literal Circuit(DLC) that has various threshold voltages. The νMOS pass transistor is very suitable gate to the multiple-valued logic(MVL) and has the input signal of the multi-level νMOS threshold inverter. The ternary D flip-flop uses the storage element of the ternary data. The ternary four-digit parallel input/output register consists of four ternary D flip-flops which can temporarily store four-digit ternary data. In this paper, these circuits use 3.3V low power supply voltage and 0.35m process parameter, and also represent HSPICE simulation result.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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