• 한국결정성장학회지
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• 제14권5호
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• pp.215-219
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• 2004

ZnO 에피박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF magnetron sputtering 법으로 성장하였다. 박막의 성장속도는 약 0.1~0.2$\mu\textrm{m}$/hr 였으며, 기판온도가 $600^{\circ}C$일 때, 약 400~500nm두께의 단결정상의 박막을 성장할 수 있었다. 성장된 단결정상 박막에 대하여 XRD분석과 TEM을 이용하여 박막의 품질과 미세구조를 평가하였다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권1호
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• pp.94-101
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• 2009

본 논문에서는 RF 집적회로 설계를 위한 $0.13{\mu}m$ RF CMOS용 인덕터 라이브러리를 개발하였다. 스케일러블 모델링을 위해 선폭, 회전수, 내경을 조절하여 다수의 인덕터 패턴을 제작하고, 정확한 패드 효과 보상을 위해 급전 구조를 최적화하였다. 제작된 패턴의 S-파라미터 측정 데이터를 이용하여 각 소자별로 이중-$\pi$ 등가회로 소자값을 추출한 뒤 이 값들을 인덕터의 물리적 설계 변수의 함수로 표현하는 스케일러블 모델링을 수행하였다. 개발된 라이브러리는 표준(standard) 구조와 대칭(symmetric) 구조를 가지는 두 종류의 스케일러블 인덕터 모델을 제공하며, 모델 유효 주파수는 30GHz 또는 자기공진주파수까지이다. 표준구조 인덕터의 경우 $0.12{\sim}10.7nH$의 인덕턴스를, 대칭구조 인덕터의 경우는 $0.08{\sim}13.6nH$의 인덕턴스를 갖는다. 본 연구를 통해 최종적으로 10%이하의 오차를 가지는 RF CMOS용 인덕터 라이브러리를 완성하였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2010년도 춘계학술발표논문집 1부
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• pp.124-127
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• 2010

본 논문에서는 소형 SMD 솔레노이드 형태의 RF 칩 인덕터의 최적 구조를 도출하였다. $1.0\times0.5\times0.5mm^3$ 크기의 96% $Al_2O_3$ 코아는 $40{\mu}m$ 직경의 구리 코일을 4회 권선하여 8.57nH의 인덕턴스, 37.6의 품질계수와 6.05GHz의 SRF를 가진다. $40{\mu}m$ 직경의 구리 코일을 0.35mm 솔레노이드 길이로 중앙에 6회 권선하였을 경우가 250MHz11.2nH의 인덕턴스, 29.8의 품질계수와 5.6GHz의 SRF로 가장 우수하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 추계학술대회
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• pp.402-403
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• 2011

본 논문에서는 LTE-Advanced 시스템에 적용할 수 있는 $0.13-{\mu}m$ CMOS RF Front-end 송신기를 제안한다. 제안하는 RF Front-end 송신기는 3GPP의 E-UTRA Band 7 주파수인 2500 ~ 2570 MHz 대역을 지원하며 +10 dBm의 출력 P1dB 특성을 가지고, 실제 동작에서는 +0 dBm 출력 전력을 제공한다. 회로의 성능은 레이아웃 후 Post Layout Simulation을 통해 검증하였으며, +0 dBm 출력 시 1.2 V의 공급 전압원으로부터 상향주파수변환기는 14 mA, 그리고 구동증폭기는 28 mA를 소모한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권2호
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• pp.159-163
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• 2005

This paper gives characterization of ZnO thin film deposited by RF magnetron sputtering method, which is concerned in deposition process and device fabrication process, to fabricate solidly mounted resonator(SMR)-type film bulk acoustic resonator(FBAR). A piezoelectric layer of 1.1${\mu}{\textrm}{m}$ thick ZnO thin films were grown on thermally oxidized SiO$_2$(3000 $\AA$)/Si substrate layers by RF magnetron sputtering at the room temperature. The highly c-axis oriented ZnO thin film was obtained at the conditions of 265 W of RF power, 10 mtorr of working pressure, and 50/50 of Ar/O$_2$ gas ratio. The piezoelectric-active area was 50 ${\mu}{\textrm}{m}$${\times}$50${\mu}{\textrm}{m}$, and the thickness of ZnO film and Al-3 % Cu electrode were 1.4 ${\mu}{\textrm}{m}$ and 180${\mu}{\textrm}{m}$, respectively. Its series and parallel frequencies appeared at 2.128 and 2.151 GHz, respectively, and the qualify factor of the resonator was as high as 401.8$\pm$8.5.

• Journal of Ginseng Research
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• 제33권1호
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• pp.8-12
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• 2009

진세노사이드 $Rb_1$, $Rg_1$의 경우 인삼의 주요 지표성분으로서 건강기능식품법 등 국내 주요 규격 뿐 만 아니라 Codex 등 국제 규격에서도 주요한 품질지표 인자로 활용되고 있다. 그러나 최근 기술표준원에서 발표한 KS 방법 및 2008년 8월부터 실효된 개정된 건강기능식품법에 제시되어 있는 HPLC를 이용한 $Rb_1$, $Rg_1$ 분석법의 경우 분석시간이 각각 90분, 70분으로 매우 길다는 단점이 있다. 따라서 본 연구에서는 기존에 제시되어 있는 HPLC 방법을 개선하여 진세노사이드 $Rb_1$, $Rg_1$ 및 고려인삼 특이 진세노사이드 겐를 단시간(50분)에 분석할 수 있는 새로운 방법을 개발한 후 개발된 분석법에 대한 평가를 수행하였다. 컬럼은 $\mu$-Bondapak $C_{18}$ column($3.9{\times}300\;mm$, $10{\mu}m$), 이동상 용매는 water, acetonitrile로 기울기 용리를 사용하였으며, 검출파장은 203nm 이동상의 유속은 1.6mL/mm이었으며 분석온도는 $35^{\circ}C$, 시료주입량은 $20{\mu}L$로 설정하여 분석하였다. 확립된 분석조건에서의 각 진세노사이드 머무름 시간(RT)은 $Rg_1$(17.6분), Rf(18.2분), $Rb_1$(39.1분)이었다. 진세노사이드 3종에 대한 표준검정곡선은 $0.01{\sim}1.00\;mg/mL$ 농도범위에서 상관계수가 0.9997 이상의 양호한 직선성을 나타내었다. 회수율은 $0.125{\sim}0.575\;mg/mL$의 농도범위에서 $101.1{\sim}l15.0%$으로 양호하였으며, 일내(intra-day)와 일간 (inter-day) 정밀도(RSD)는 $0.{\sim}2.8%$, $0.7{\sim}3.2%$이었다. 따라서, 확립된 분석방법은 인삼 중의 진세노사이드 $Rb_1$, $Rg_1$, Rf를 신속하고 효과적으로 분석하는데 이용될 수 있을 것으로 사료된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권4호
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• pp.506-517
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• 2015

This paper presents a 1.248 Gb/s - 2.918 Gb/s low-power receiver MIPI-DigRF M-PHY with a fully digital frequency detection loop. MIPI-DigRF M-PHY should be operated in a very short training time which is $0.01{\mu}s$ the for HS-G2B mode. Because of this short SYNC pattern, clock and data recovery (CDR) should have extremely fast locking time. Thus, the quarter rate CDR with a fully digital frequency detection loop is proposed to implement a fast phase tracking loop. Also, a low power CDR architecture, deserializer and voltage controlled oscillator (VCO) are proposed to meet the low power requirement of MIPI-DigRF M-PHY. This chip is fabricated using a $0.11{\mu}m$ CMOS process, and the die area is $600{\mu}m{\times}250{\mu}m$. The power consumption of the receiver is 16 mW from the supply voltage of 1.1 V. The measured lock time of the CDR is less than 20 ns. The measured rms and peak jitter are $35.24ps_{p-p}$ and $4.25ps_{rms}$ respectively for HS-G2 mode.

• 센서학회지
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• 제19권4호
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• pp.320-327
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• 2010

In this paper, electrostatically actuated direct contact type RF MEMS switches have been designed and demonstrated. As driving structures of the switch, cantilever, bridge, and torsion spring beam structures are used and the actuation voltage characteristics of the switches have been compared and discussed. The designed RF switches are fabricated with the surface micromachining technology using the electroplated gold and nickel structures. The characteristics of the fabricated switches are measured and analyzed. The switch, which is fabricated using the 510 ${\mu}m$-length bridge structure with the thickness of 1.5 ${\mu}m$, is actuated with 15 V driving voltage. The insertion losses are less than 0.2 dB over the measured frequency ranges from 0 to 20 GHz and the isolations are more than 30 dB.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권3호
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• pp.51-57
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• 2010

IEEE 802.11n 기반 무선 LAN과 IEEE 802.16e 기반 Mobile WiMAX에 적용할 수 있는 이중모드 직접 변환 수신기를 $0.13\;{\mu}m$ RF CMOS 공정을 이용하여 설계하였다. 설계된 직접 변환 수신기는 2.3-2.7 GHz의 주파수 범위에서 동작을 한다. 저잡음 증폭기에 Current Steering 기술을 사용하여 전체 이득의 크기를 3 단계로 조절이 가능하게 하였다. 플리커 잡음 영향을 낮추기 위해 믹서에 Current Bleeding 기술을 사용하였다. 믹서 LO를 위한 I/Q 위상 신호 발생을 위해 주파수 2-분주회로를 포함하였다. 제작된 직접 변환 수신기는 1.4V의 공급 전원에서 LO 버퍼를 포함하여 56 mA를 사용하며, 32 dB의 전력이득과 4.8dB의 잡음지수, 그리고 +6 dBm의 출력 $P_{1dB}$를 가진다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권11호
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• pp.1037-1041
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• 2001

저온(32$0^{\circ}C$)에서 SiH$_4$와 $N_2$O 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 SiO$_2$후막을 제조하였다. 증착변수가 SiO$_2$후막의 특성에 미치는 영향을 살펴보기 위해 $N_2$O/SiH$_4$flow ratio와 RF power에 변화를 주었다. $N_2$O/SiH$_4$ flow ratio가 감소함에 따라 증착속도는 2.9 $mu extrm{m}$/h), 굴절률은 thermal oxide의 굴절률(n=1.46)에 근접하였다.