In this paper, friction and wear behaviors between monocrystalline, defect-free copper and carbon on the atomic scale are investigated by using 2-dimensional molecular dynamics simulation. It is assumed that all interatomic forces are given by Morse potential. The deformation of carbon is assumed to be neglected and vacuum condition is also assumed. Average friction and normal forces for various surface conditions, various scratch speeds and scratch depths are obtained from simulations. Changes of wear behaviors for various scratch speeds and surface conditions are investigated by observing snapshots in scratch process. The effects of surface conditions, scratch speeds, and scratch depths on the friction force, normal force, and friction coefficient are also investigated.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제6권2호
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pp.119-123
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2006
This work presents the fabrication and characteristics of $Bi_2O_3/Si$ heterojunction prepared by rapid thermal oxidation technique without any postdeposition annealing condition. The bismuth trioxide film was deposited onto monocrystalline Si and glass substrates by rapid thermal oxidation of bismuth film with aid of halogen lamp at $500^{\circ}C/\;45$ s in static air. The structural, optical and electrical properties of $Bi_2O_3$ film were investigated and compared with other published results. The structural investigation showed that the grown films are polycrystalline and multiphase (${\alpha}-Bi_2O_3$ and ${\beta}-Bi_2O_3$). Optical properties revealed that these films having direct optical band gap of 2.55 eV at 300 K with high transparency in visible and NIR regions. Dark and illuminated I-V, CV, and spectral responsivity of $Bi_2O_3/Si$ heterojunction were investigated and discussed.
Details are given of an study of the characteristics of field-induced electron emission from hydrogen-free high $sp^3$ content(>90%) amorphous diamond (a-D) film deposited on heavily doped ($\rho$<0.01 $\Omega\cdot\textrm{cm}$) n-type monocrystalline Si(111) substrate. It is demonstrated that a-D film has excellent electron field emission properties. Emission current can reach 0.9 $\mu$A at applied field as low as 1 V/$\mu\textrm{m}$, and emission current density can be obtained about several mA/$\textrm{cm}^2$. The emission current is stable when the beginning current is at 50 $\mu$A within 72 hours. Uniform fluorescence display of electron emission from whole face of the a-D film under the electric field of 10~20 V/$\mu\textrm{m}$ was also observed. It can be considered that the contribution of excellent electron emission property results from its smooth, uniform, amorphous surface and high $sp^3$ content of the a-D films.
The synthesis of glass-ceramic materials from glasses based on industrial wastes or natural rocks their physical properties were studied. Glasses of composition, CaO14.7∼16.1, MgO7.4∼9.0, Al2O38.3∼19.3, SiO2 48.9∼51.0wt% were prepared from domestic blast furnace slag, serpentine, sea sand and etc. with additions of chromic oxide, and fluoride as nucleating agent. The glasses were subjected to controlled heat treatments and yielded fine microstructure of glass-ceramics which were composed of monocrystalline phase of aluminous diopside. X-ray diffraction techniques were adopted to identify the crystalline phases and to determine the degree of crystallization quantitatively. Density, coefficient of thermal expansion, young's modulus, microhardness and modulus of rupture were measured and the resulting properties were discussed in terms of the heat-treatment conditions, the degree of crystallization, species of crystaline phase, the microstructures formed in glass-cramics and the chemical compositions of mother glasses.
본 연구에서는 태양전지 표면에 입사된 빛의 반사율을 최소화하기 위해서 단결정 실리콘 기판 표면에 다공성 실리콘층을 적용하여 반사방지막(Anti-Reflection Coating, ARC)을 형성하는 실험을 하였다. 다공성 실리콘(Porous silicon, PSi)은 실온에서, 기판 성질에 따라 일정 비율로 만든 전해질 용액($HF-C_2H_5OH-H_2O$)을 사용하여 실리콘 표면에 양극산화처리 함으로써 단순 공정만으로 실리콘 기판의 반사율을 낮출 수 있다. 본 연구는 일정한 면저항을 가지는 단결정 실리콘 기판에 다공성 실리콘층을 여러 조건으로 형성하여 반사방지막으로써의 특성을 비교 분석하였다.
We have studied methods to save Si source during the fabrication process of crystalline Si solar cells. One way is to use a thin silicon wafer substrate. As the thickness of the wafers is reduced, mechanical fractures of the substrate increase with the mechanical handling of the thin wafers. It is expected that the mechanical fractures lead to a dropping of yield in the solar cell process. In this study, the mechanical properties of 220-micrometer-solar grade Cz p-type monocrystalline Si wafers were investigated by varying saw-damage etching conditions in order to improve the flexural strength of ultra-thin monocrystalline Si solar cells. Potassium hydroxide (KOH) solution and tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) solution were used as etching solutions. Etching processes were operated with a varying of the ratio of KOH and TMAH solutions in different temperature conditions. After saw-damage etching, wafers were cleaned with a modified RCA cleaning method for ten minutes. Each sample was divided into 42 pieces using an automatic dicing saw machine. The surface morphologies were investigated by scanning electron microscopy and 3D optical microscopy. The thickness distribution was measured by micrometer. The strength distribution was measured with a 4-point-bending tester. As a result, TMAH solution at $90^{\circ}C$ showed the best performance for flexural strength.
법랑질 탈회는 교정 치료 중에 발생하는 대표적인 부작용으로서 특히 교정용 브라켓에 대한 세균 부착이 그 원인이 될 수 있다. 본 연구의 목적은 서로 다른 표면 특성을 가진 세 종류의 브라켓을 구강 내 장착했을 때 각 재료의 표면에 대한 mutans streptococci 부착 정도를 측정하여 브라켓 재료에 따른 법랑질 탈회 및 치아 우식 발생 가능성을 분석하는 것이었다. 상하악 및 치아 부위별 mutans streptococci 부착 정도의 차이를 배제하고 브라켓 원재료에 따른 차이만을 검출하기 위하여 균형완전블록 실험계획을 설계하였다. 피실험자인 30세 여성의 구강 내에 장착할 수 있는 tooth positioner 형태로 3세트의 플라스틱 맞춤 트레이를 제작하였으며, 이 트레이에 직육면체의 형태($4{\times}3{\times}2\;mm$)로 제작한 stainless steel, monocrystalline sapphire, polycrystalline alumina 조각을 세트마다 서로 다른 순서로 전치부와 구치부 순면에 부착하였다 이렇게 제작된 3종류의 실험장치를 12시간 동안 피 실험자의 구강 내에 장착한 후, 각 브라켓 재료 표면에 형성된 치태를 채취하여 bacitracin이 포함된 mitis salivarius배지에서 48시간 배양 후 colony counting을 통해 그 표면에 부착된 mutans streptococci 양을 비교하였다. 이와 같은 방법으로 3세트의 실험장치에 대해서 각각 5회씩 총 15회의 실험을 시행하였다. 그 결과 상하악 및 치아 부위별 및 브라켓 재료별 세균 부착 정도는 모두 유의한 차이를 보이지 않았다. 결론적으로 본 연구의 결과 in vivo condition에서 브라켓 재료의 차이는 mutans streptococci 부착에 영향을 미치지 못하는 것으로 보였다.
단결정 실리콘 태양전지 공정에서 이방성 습식 식각 용액을 이용하여 기판 표면에 피라미드 구조를 형성하는 것을 텍스쳐링이라고 한다. 실리콘 기판의 표면을 식각하여 요철구조를 만들어줌으로써 셀 내부로 입사되는 광량을 증가시켜 태양전지의 단락 전류 및 효율 향상 효과를 얻을 수 있다. 일반적인 태양전지 공정에서는 요철구조를 형성할 시 따로 마스크를 사용하지 않으며, 태양전지 급 웨이퍼를 절삭손상층 식각 한 후, 강염기성 용액과 알코올의 혼합용액에 담가서 이방성 식각을 실시하여 요철 구조를 형성한다. 본 연구는 기존의 텍스쳐링 공정에서 사용되는 대표적인 용액인 수산화칼륨(potassium hydroxide, KOH)과 알코올의 혼합용액과 사메틸수산화암모늄(Tetramethylammonium Hydroxide, TMAH)과 알코올의 혼합용액에 Triton X-100 계면활성제를 각각 첨가하여 실험을 진행하였다. 식각된 태양전지용 실리콘 기판의 표면은 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope)을 통하여 관찰하였고, 분광광도계(UV/VIS/NIR Spectrophotometer)로 반사도 값을 측정하여 기판의 특성을 평가하였다.
We have investigated the effect of plasma nitridation of atomic layer deposited-Al2O3 films of monocrystalline Si wafers and the thermal properties of nitridated Al2O3 films. Nitridation was performed on Al2O3 to form aluminum oxynitride (AlON) using NH3 plasma treatment in a plasma-enhanced chemical vapor deposition and it was conducted at temperature of $400^{\circ}C$ with various plasma power condition. After nitridation, we performed firing and forming gas annealing (FGA). For each step, we have observed the minority carrier lifetime and the implied Voc by using quasi-Steady-State photoconductance (QSSPC). We confirmed a tendency to increase the minority carrier lifetime and the implied Voc after the nitridation. On the other hand, the minority carrier lifetime and the implied Voc was decreased after Firing and forming gas annealing (FGA). To get more information, we studied properties of the plasma treated Al2O3 films by using Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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