• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제55권1호
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• pp.16-19
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• 2006

The characteristic of negative differential resistance(NDR) is decreased current when the applied voltage is increased. The NDR is potentially very useful in molecular electronics device schemes. Here, we investigated the NDR characteristic of self-assembled 4,4'-di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-benzenethiolate, which has been well known as a conducting molecule. Self-assembly monolayers(SAMs) were prepared on Au(111), which had been thermally deposited onto $pre-treatment(H_2SO_4:H_2O_2=3:1)$ Si. The Au substrate was exposed to a 1 mM/1 solution of 1-dodecanethiol in ethanol for 24 hours to form a monolayer. After thorough rinsing the sample, it was exposed to a 0.1 ${\mu}M/l$ solution of 4.4'-di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-(thioacetyl)benzene in dimethylformamide(DMF) for 30 min and kept in the dark during immersion to avoid photo-oxidation. After the assembly, the samples were removed from the solutions, rinsed thoroughly with methanol, acetone, and $CH_2Cl_2,$ and finally blown dry with N_2. Under these conditions, we measured electrical properties of self-assembly monolayers(SAMs) using ultra high vacuum scanning tunneling microscopy(UHV-STM). The applied voltages were from -2 V to +2 V with 298 K temperature. The vacuum condition was $6{\time}10^{-8}$ Torr. As a result, we found the NDR voltage of the 4,4'-di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-benzenethiolate were $-1.61{\pm}0.26$ V(negative region) and $1.84{\pm}0.33$ V(positive region). respectively.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1844-1846
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• 2005

The characteristic of negative differential resistance(NDR) is decreased current when the applied voltage is increased. The NDR is potentially very useful in molecular electronics device schemes. Here, we investigated the NDR property of self-assembled 4,4- Di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-(thioacetyl)benzene, which has been well known as a conducting molecule. Self-assembly monolayers(SAMs) were prepared on Au(111), which had been thermally deposited onto pre-treatment$(H_2SO_4:H_2O_2=3:1)$ Si. The Au substrate was exposed to a 1mM/l solution of 1-dodecanethiol in ethanol for 24 hours to form a monolayer. After thorough rinsing the sample, it was exposed to a $0.1{\mu}M/l$ solution of 4,4-Di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-(thioacetyl)benzene in dimethylformamide(DMF) for 30 min and kept in the dark during immersion to avoid photo-oxidation. After the assembly, the samples were removed from the solutions, rinsed thoroughly with methanol, acetone, and $CH_2Cl_2$, and finally blown dry with $N_2$. Under these conditions, we measured electrical properties of self-assembly monolayers(SAMs) using ultra high vacuum scanning tunneling microscopy(UHV-STM). The applied voltages were from -2V to +2V with 299K temperature. The vacuum condition is $6{\times}10^{-8}$ Torr. As a result, we found the NDR voltage of the nitro-benzene is $-1.61{\pm}0.26$ V(negative region) and $1.84{\pm}0.33$ (positive region), respectively.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1532-1534
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• 2003

We attempted to fabricate a dendrimer Langmuir-Blodgett(LB) films containing 48 pyridinepropanol functional end group. As the pyridinepropanol functional group could form a complex structure with metal ions. In this study the samples for electrical measurement were fabricated to two types metal complexes with $Pt^{4+}$ ions by LB method. And we have investigated the surface activity at the air-water interface as well as the electrical properties for the monolayers of G4-48PyP dendrimer complex with metal ions($Pt^{4+}$ ions) by different method. In the surface pressure-area(${\pi}$-A) isotherms of the dendrimers, the stable condensed films formed at the air-water interface and the different method of metal complex showed the difference on molecular behavior. We have studied the electrical properties of the ultra thin dendrimer LB films investigated by the current-voltage (I-V) characteristics of metal/dendrimer LB films/metal(MIM) structure. In conclusion, it is demonstrated that the metal ion around G4-48PyP dendrimer can contribute to make formation of network structure among dendrimers and it result from the change of electrical properties.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.16-18
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• 2002

We attempted to fabricate a dendrimer Langmuir-Blodgett(LB) films containing 48 pyridinepropanol functional end group. As the pyridinepropanol functional group could form a complex structure with metal ions. In this study the samples for electrical measurement were fabricated to two types metal complexes with $Pt^{4+}$ and $Fe^{2+}$ ions by LB method. And we have investigated the surface activity at the air-water interface as well as the electrical properties for the monolayers of pure G4-48PyP dendrimer and its complex with metal ions($Pt^{4+}$ and $Fe^{2+}$ ions). In the surface pressure-area($\pi-A$) isotherms of the dendrimers, the stable condensed films formed at the air-water interface and the metal ions effect showed the difference on molecular behavior. We have studied the electrical properties of the ultra thin dendrimer LB films investigated by the current-voltage(I-V) characteristics of metal/dendrimer LB films/metal(MIM) structure. In conclusion, it is demonstrated that the metal ion around G4-48PyP dendrimer can contribute to make formation of network structure among dendrimers and it result from the change of electrical properties.

• Macromolecular Research
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• 제16권4호
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• pp.337-344
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• 2008

The following series of blue EL polymers was synthesized using the Suzuki polymerization method: poly(3',6'-bis(3,7-dimethyloctyloxy)-9,9'-spirobifluorene-2,7-diyl) poly[$(OC_{10})_2$-spirobifluorene], poly{3',6'-bis(3,7-dimethyloctyloxy)-9,9'-2,7-diyl-co-4-(3,7-dimethyloctyloxy) phenyl-diphenylamine-4',4'-diyl} poly[$(OC_{10})_2$-spirobifluorene-TPA] (5:1, 9:1) and poly{3',6'-bis(3,7-dimethyloctyloxy)-9,9'-spirobifluorene-2,7-diyl-co-4-(6-((3-methyloxetan-3-yl)methoxy)hexyloxyphenyl-bisphenylamine-4',4'-diyl) poly[$(OC_{10})_2$-spirobifluorene-TPA-oxetane]. The weight average molecular weight (Mw) and polydispersity of the resulting polymers ranged from $1.6{\times}10^4-1.5{\times}10^5$ and 1.77-2.31, respectively. The resulting polymers were completely soluble in common organic solvents and were easily spin-coated onto an indium tin oxide (ITO) substrate. The polymers exhibited strong blue emission peaking at 450 nm. The maximum brightness and luminance efficiency were $9,960\;cd/m^2$ and 1.2 cd/A, respectively.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.37-42
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• 2019

본 논문에서는 부호 길이 내에서 1개의 오류를 정정할 수 있는 해밍 부호(Hamming code)에 대해 2 개의 오류를 정정할 수 있는 신드롬 복호 기법을 제안하였다. 본 논문에서 제안한 복호 기법은 복호 복잡도를 거의 증가시키지 않으면서도 다중 오류를 정정함으로서 복호 복잡도 대비 오율 성능을 크게 개선할 수 있는 장점을 갖는다. 본 논문에서 제안한 복호 기법은 IoT 기기들 간의 통신이나 분자 통신과 같이 부/복호기에서 에너지의 사용이 극히 제한된 환경에서 부 복호기의 에너지 사용이 적으면서도 우수한 오율 성능이 요구되는 경우에 적합하다. 본 논문에서 제안한 복호 기법이 적용된 해밍 부호의 오율 성능이 개선되었음을 보이기 위해 BPSK 변조 방식과 AWGN 채널 환경에서 부호 길이가 짧은 다수의 해밍 부호에 대해 시뮬레이션을 수행하였으며, 수행 결과 해밍 부호의 부호 길이에 무관하게 제안한 복호 방식은 기존 복호 방식에 비해 약 1.1[dB] ~ 1.2[dB] 정도의 성능 개선을 확인할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제4권8호
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• pp.895-905
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• 1994

비정질 $Si_{1-x}Ge_{x}$(X=0, 0.14, 0.34, 0.53)합금박막의 결정화거동을 X-ray diffractometry(XRD)와 투과전자현미경(transmission electron microscopy, TEM)을 이용하여 조사하였다. 비정질 박막은 열산화막(thermal oxide, $SiO_{2}$)이 입혀진 Si기판위에 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 $300^{\circ}C$에서 증착하였으며 각 Ge조성에 해당하는 기편들을 $500^{\circ}C$ ~ $625^{\circ}C$에서 열처리한 다음 XRD를 이용하여 결정화분율과 결정화후 박막의 우선순방위(texture)경향ㅇ르 조사하였다. 또한 TEM을 사용하여 열처리한 박막의 미세구조를 분석하였다. XRD분석결과 박막내의 Ge함량의 증가는 결정화에 대한 열처리시간을 크게 감소시키는 것으로 밝혀졌다. 또한 결정화후 강한(111) 우선방위를 나타내는 Si박막과는 달리 $Si_{1-x}Ge_{x}$합금은 (311)우선방위를 가지는 것을 알았으며 이는 비정질 Si박막과 $Si_{1-x}Ge_{x}$박막의 결정화기구에 현저한 차이가 있음을 암시한다. TEM관찰에서, 순수한 Si박막은 결정화후 결정립이 타원형이나 수지상(dendrite)형태를 취하고 있었으며 결정립내부에 미페쌍정이나 적층결함들의 많은 결정결함들이 존재하고, 결정립의 성장이 이들 결함을 따라 우선적으로 성장함을 알 수 있었다. 반면에 $Si_{0.47}Ge_{0.53}$의 경우에서는 결정립모양이 원형에 가까운 동축정(dquiaxed)형상을 하며 결정립내부의 결함밀도도 매우 낮았다. 특히 Si에서 보았던 결정립성장의 방향성은 관찰되지 않았다. 이상의 결과에서 비정질 $Si_{1-x}Ge_{x}$(합금박막의 결정화는 Ge이 포함되지 않은 순수한 Si의 twin assisted growth mode에서 Ge 함량의 증가에 따라 \ulcorner향성이 없는 random growth mode로 전개되어간다고 결론지을수 있다.

• Composites Research
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• 제30권5호
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• pp.323-330
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• 2017

본 연구에서는 폴리프로필렌 내에 투입된 탄화규소 나노 입자들의 군집현상이 나노복합재의 역학적 거동에 미치는 영향을 고찰하기 위해 분자동역학 전산모사를 통해 얻은 정보를 연속체 역학 수준에 적용시키는 멀티스케일 해석을 수행하였다. 입자 간의 거리에 따른 계면 물성의 하락을 반영하는 모델을 이용하여, 다양한 군집 상황에 따른 고분자 나노복합재의 탄성거동 변화를 관찰하였다. 또한, 나노복합재의 기계적 거동에 영향을 미치는 주요 요인을 파악하여 군집밀도라는 새로운 지표를 정의하였다. 나노 입자의 군집밀도와 나노복합재의 탄성거동 간의 상관관계를 파악한 결과, 군집밀도의 값이 증가할수록 계면효과가 저하되어 최종적으로 나노복합재의 기계적 물성 상승이 억제되었다. 나노 입자의 랜덤분포를 고려한 해석을 통해, 동일한 군집밀도의 수치에 대해 나노복합재가 가질 수 있는 탄성계수의 범위를 파악할 수 있었다. 상관관계는 지수 함수형태로 표현될 수 있었으며, 이를 통해 나노 입자의 군집밀도를 이용하여 고분자 나노복합재의 기계적 거동을 효과적으로 예측 가능하다.

• 한국광학회지
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• 제7권3호
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• pp.213-218
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• 1996

액정셀에서 액정분자의 선경사각과 액정층의 두께를 함께 결정하며 측정범위와 정밀도를 높이는 개선된 결정회전법을 고안하고 그 타당성을 실험으로 확인하였다. 이 방법은 종래의 입사각에 따른 편광투과율의 변화를 재는 대신, 직교하는 두 선편광이 액정셀을 지나올 때의 위상차를 재고 그 결과를 바탕으로 액정층의 두께와 선경사각을 결정한다. 아울러 굴절율이 유리기판과 비슷한 액체가 채원진 액체통에 액정셀을 넣고 실험하여 유리판 표면에서의 빛의 반사를 줄이고 액정층에서의 굴절각의 범위를 늘려서 측정의 정밀도를 높였다. 이 방법을 쓰면 액정층의 두께가 10.mu.m보다 적거나 선경사각이 10.deg. 이상인 액정셀에 대해서도 선경사각과 액정층의 두께를 동시에 잴 수 있다.

• 미생물학회지
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• 제43권1호
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• pp.19-22
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• 2007

Acetohydroxylacid synthase (E.C.2.2.1.6.,AHAS)는 박테리아, 곰팡이, 식물 등에서 필수 아미노산중 세 가지 아미노산(Val, Leu, Ile)의 생합성에 관여하는 효소중 하나이다. Haemophilus influenzae에 대한 AHAS의 효소특성을 규명하기 위하여 H. influenzae의 AHAS catalytic subunit 유전자(TIGR access code HI2585)를 pET28a 발현 벡터에 삽입시켰고, 대장균 BL21(DE3)에서 C-말단에 일련의 histidine을 갖는 재조합 단백질로 발현시켰고, Histidine-tag affinity chromatography 및 gel filtration chromatography를 이용하여 단일 단백질로 정제하였다. 정제하여 얻은 단백질은 최대 15 mg/ml까지 농축이 가능하였다. 정제된 단백질의 분자량은 SDS-PAGE 전기 영동법을 이용하여 약 63.9 kDa의 분자량을 확인하였다. AHAS 효소 활성은 discontinuous colorimetric assay방법을 이용하여 측정하였다. H. influenzae AHAS catalytic subunit의 specific activity는 3.22 U/mg 이었다. 또한AHAS의 최적 활성 온도와 pH는 각각$37^{\circ}C$와 pH 7.5이었다. AHAS 효소 활성은buffer의 종류에 따라 차이가 있었으며, 유기용매가 증가함에 따라 효소 활성도 감소하였다.