The personal workspace consists of user- specified computing environment such as user profile, applications and their configurations, and user data. Mobile computing devices (i.e., cellular phones, PDAs, laptop computers, and Ultra Mobile PC) are getting smaller and lighter to provide personal work-space ubiquitously. However, various personal work-space mobility solutions (c.f. VMWare Pocket ACE[1], Mojopac[2], u-PC[3], etc.) are appeared with the advance of virtualization technology and portable storage technology. The personal workspace can be loaded at public PC using above solutions. Especially, we proposed a framework called ubiquitous personal computing environment (u-PC) that supports mobility of personal workspace based on wireless iSCSI network storage in our previous work. However, previous u-PC could support limited applications, because it uses IRP (I/O Request Packet) forwarding technique at filter driver level on Windows operating system. In this paper, we implement OS-level virtualization technology using system call hooking on Windows operating system. It supports personal workspace mobility and covers previous u-PC limitation. Also, it overcomes personal workspace loading overhead that is limitation of other solutions (i.e., VMWare Pocket ACE, Mojopac, etc). We implement a prototype consisting of Windows XP-based host PC and Linux-based mobile device connected via WiNET protocol of UWB. We leverage several use~case models of our framework for proving its usability.
An asymmetry in dose profile of a $^{60}Co$ teletherapy unit was found by means of water-phantom measurement. The reason of that trouble was confirmed to be the abnormal 'ON' position of the source, which is resulted from the high friction between contiguous surfaces of the spring for driving the source to 'OFF' position. Lubrication in the spring improved the mobility a little, but was not a radical repair. The radical repair was to replace the old spring by new one. Periodic maintenance for source driving system and periodic measurement of field symmetry are required for prevention of abnormal 'ON' position of $^{60}Co$ source.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.27
no.3
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pp.326-333
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2003
In the measurement using DMA and CPC in series, there is some time delay for particles classified in DMA to detect in CPC. During this time, the DMA time-response changes due to the velocity profile of sampling tube and the diffusion of particles in the volume that exists between the DMA exit and the detector of ultra-fine CPC. This is called mixing effect. In the accelerated measurement methods like the TSI -SMPS, the size distribution is obtained from the correlation between the time-varying electrical potential of the DMA and the corresponding particle concentrations sampled in DMA. If the DMA time -response changes during this delay time, this can cause the error of a size distribution measured by this accelerated technique. The kernel function considering this mixing effect using the residence time distribution is proposed by Russell et al. In this study, we obtained a size distribution using this kernel to compare to the result obtained by the commercial accelerated measurement system, TSI -SMPS for verification and considered the errors that result from the mixing effect with the geometric mean diameters of originally sampled particles, using virtually calculated responses obtained with this kernel as input data.
Kim, Zin-Sig;Ahn, Hokyun;Lim, Jong-Won;Nam, Eunsoo
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.292-292
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2014
Wide band gap semiconductors, such as III-nitrides (GaN, AlN, InN, and their alloys), SiC, and diamond are expected to play an important role in the next-generation electronic devices. Specifically, GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) have been targeted for high power, high frequency, and high temperature operation electronic devices for mobile communication systems, radars, and power electronics because of their high critical breakdown fields, high saturation velocities, and high thermal conductivities. For the stable operation, high power, high frequency and high breakdown voltage and high current density, the fabrication methods have to be optimized with considerable attention. In this study, low ohmic contact resistance and smooth surface morphology to AlGaN/GaN on 2 inch c-plane sapphire substrate has been obtained with stepwise annealing at three different temperatures. The metallization was performed under deposition of a composite metal layer of Ti/Al/Ni/Au with thickness. After multi-layer metal stacking, rapid thermal annealing (RTA) process was applied with stepwise annealing temperature program profile. As results, we obtained a minimum specific contact resistance of $1.6{\times}10^{-7}{\Omega}cm2$.
This study was to demonstrate a rapid novel method for detection of adulterated cow milk in goat milk using modified staining protocol after native polyacrylamide gel electrophoresis (PAGE). Samples of cow milk and goat milk containing 0, 0.5, 1.0 and 2.0% (v/v) of cow milk were analyzed. Low levels of cow milk mixed in goat milk were identified by the presence of higher mobility of $\beta$-lactoglobulin A ($\beta$-Lg A) in cow milk. By mini-gel electrophoresis, a distinguishable protein profile was visualized in 25 min using the modified Coomassie blue staining solution, in which methanol (50%) was replaced with ethanol (20%) and the concentrations of Coomassie blue and acetic acid were reduced from 2 to 0.13% and 10 to 5%, respectively. To visualize the milk proteins, gels in the staining solution were water-bathed in boiling water for 5 min and then cooled down immediately for 3-5 min. The sensitivity of this method is relatively high, allowing examination of 1% cow milk in goat milk. The procedure presented here is also very cost-effective due to less reagents needed. This simplified method would be useful and applicable to dairy industry for routine examination of goat milk.
Observed results of the adsorption between two competing anions for the shared sorption sites represent that the adsorption phenomena may depends on the characteristics of anion and available sorption sites in a given conditions. In binary systems, adsorption of one species can significantly influence the fate of the other anion, resulting in control of the extent of solute-adsorbate distributions throughout soil profile. And the proton-donation mechanisms by organic anions having a carboxyl as a functional group can also influence the adsorption of inorganic anions onto the hydroxylated sites of Fe and Al oxides. However, study of competitive adsorption of specifically adsorbed anions illustrates some of difficulties which arise in interpretation of reactions at oxide/aqueous solution interfaces. At least two factors prevented a simple analysis of reactions. First, at any pH value the maximum amount of adsorbate taken up at the surface depends on the identity of the anion. Second, it was necessary to postulate the sorption sites where the anion can be adsorbed. Hence, anions having non-specific adsorption characteristics are less capable for sorption sites, compared to those of specific adsorption characteristics, even though competition complies both ordinary and electrostatic interactions for sorption sites. Therefore, competition among chemical species in soil matrix can be of major significance in determining the effective mobility of any reactive anions with sorption sites.
Journal of Satellite, Information and Communications
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v.6
no.2
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pp.84-90
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2011
Handling paging mechanism at the IP layer (i.e., IP paging) makes it possible to support heterogeneous wireless access technologies, providing energy-saving and reduced location registration signaling overhead over IP-based mobile networks. However, IP paging may rather cause adverse effects under active communication environments because of significant paging signaling overhead and frequent paging delay. Therefore, in order to solve these problems, a cost-effective IP paging scheme is proposed in this paper, which enables a mobile node to perform selective registration and paging based on its profile information. Numerical results indicate that the proposed scheme has apparent potential to mitigate considerable paging signaling overhead and frequent paging delay in IP-based hierarchical mobile networks.
The Journal of the Korean Society for Microbiology
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v.22
no.3
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pp.267-273
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1987
In the analysis of plasmid profile obtained by agarose gel electrophoresis, the strain harvoring multiple reference plasmids of known molecular weight were needed to estimate the size of unknown molecular weight plasmids. Six strains of E. coli isolated from clinical specimens carried multiple plasmids and these strains could be available as a reference plasmids harvoring strain. These E. coli strains showed 4 to 9 plasmids of various size ranging 2.5 to 94.3 megadalton (Mdal). The correlation coefficients of linear regression between the relative mobility and molecular weight were 0.99966 to 1.00000. Among them, E. coli KE327 from throat which contained 7 plasm ids as follows: 79 Mdal, 46 Mdal, 33 Mdal(pKY3027 C), 4.9Mdal, 3.8Mdal(pKY3027 E), 3.5Mdal, and 2.7 Mdal. Relative amount of the pKY3027 C was the smallest(7.09%) and that of the pKY3027 E was the largest (24.24%) among the plasmid fractions of E. coli KE327.
Kim, Je-Won;Ryu, Jung-Hee;Na, Seong-Jun;Seong, Seong-Cheol
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.50
no.12
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pp.899-907
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2022
According to the Unmanned aircraft system Traffic Management (UTM), drones are permitted to fly up to 150m above ground, which is located in the atmospheric boundary layer where there is considerable wind fluctuation due to turbulence. Although it is difficult to predict when turbulence will occur drone aviation safety could be enhanced by having a better understanding of the characteristics of vertical profile of wind in the flight area. We used wind lidar (WIndMast 350M) to observe vertical profiles of wind at the test site for aviation meteorological observation equipment located near Incheon International Airport in July and September, 2022. In this study, we utilized the observed wind profile data to propose a technique for obtaining information that could help improve the drone aviation safety. The Fourier transform analysis is used to evaluate the temporal characteristics of the horizontal wind speed at various vertical levels up to 350m. We also examined the relative contribution of the variance of wind having scales of less than an hour, a crucial scale for drone flight, to the variance of wind having all scales at each vertical altitude for days with and without precipitation.
Seo, Dong Hyeok;Kang, Sung Min;Lee, Dong Wha;Ahn, Du Jin;Park, Hee Bin;Ahn, Youn Jun;Kim, Min Soo;Kim, Yu Kyeong;Lee, Ho Jae;Song, Dong Hun;Kim, Jae Hee;Bae, Jin Su;Cho, Hoon Young
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.420-420
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2013
We investigated oxygen plasma effect on defect states near the interface of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) structure grown on a silicon substrate. After the plasma treatment, electrical properties were evaluated using a frequency dependant Capacitance-Voltage (C-V) and a temperature dependant C-V measurements, and a deep level transient spectroscopy (DLTS) method to study the change of defect densities. In the depth profile resulted from the temperature dependant C-V, a sudden decrease in the carrier concentration for two-dimensional electron gas (2DEG) nearby 250 K was observed. In C-V measurement, the interface states were improved in case of the oxygen-plasma treated samples, whereas the interface was degraded in case of the nitrogen-plasma treated sample. In the DLTS measurement, it was observed the two kinds of defects well known in AlGaN/GaN structure grown on sapphire substrate, which have the activation energies of 0.15 eV, 0.25 eV below the conduction band. We speculate that this defect state in AlGaN/GaN on the silicon substrate is caused from the decrease in 2DEG's carrier concentrations. We compared the various DLTS signals with filling pulse times to identify the characteristics of the newly found defect. In the filling pulse time range under the 80 us, the activation energies changed as the potential barrier model. On the other hand, in the filling pulse time range above the 80 us, the activation energies changed as the extended potential model. Therefore, we suggest that the found defect in the AlGaN/GaN/Si structure could be the extended defect related with AlGa/N/GaN interface states.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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