• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권10호
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• pp.829-838
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• 2007

The stochiometric mix of evaporating materials for the $CdGa_2Se_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $CdGa_2Se_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $630^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD).The carrier density and mobility of $CdGa_2Se_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $8.27{\times}10^{17}\;cm^{-3},\;345\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K. respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CdGa_2Se_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $Eg(T)\;=\;2.6400\;eV\;-\;(7.721{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T+399\;K)$. After the as-grown single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films were annealed in Cd-, Se-, and Ga -atmospheres, the origin of point defects of single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films has been investigated by PL at 10 K. The native defects of $V_{Cd}$, $V_{Se}$, $Cd_{int}$, and $Se_{int}$ obtained by PL measurements were classified as donors or accepters. We concluded that the heat-treatment in the Cd-atmosphere converted single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that Ga in $CdGa_2Se_4/GaAs$ did not form the native defects because Ga in single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films existed in the form of stable bonds.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권5호
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• pp.146-153
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• 2009

현재, 3GPP, IETF 등에서 차세대 네트워크(NGN, Next Generation Network)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 다양한 생활 패턴에 따른 빈번한 이동성에도 불구하고, 원하는 서비스를 항상 원하는 시간, 장소에 구애받지 않고 자기가 소유하고 있는 단말을 이용하여 서비스를 받기를 원하는 사용자의 요구사항을 반영하기 위해 차세대 네트워크(NGN)는 다양해지는 어플리케이션 개발에 대응하기 위해 IMS(IP Multimedia Subsystem)가 구축되고 있으며, 또한 펨토셀/WiBro/3G등의 다양한 무선 억세스 네트워크로 구성된 계층적 네트워크 구축되고 있다. 이와 같이 무선 멀티 억세스 네트워크로 구성된 계층적 네트워크에서의 사용자가 네트워크 선택하기 위해서는 기존 무선품질 이외에 사용자 프로파일과 네트워크 부하량 등을 고려한 최적의 네트워크 선택 기준이 필요하다. 또한 핸드오버의 판단을 멀티모드 단말에서 수행하는 기존 방법 사용할 경우 발생할 수 있는 핸드오버 핑퐁현상을 억제하고, 보다 정확한 계층적 핸드오버를 수행하기 위한 방법이 필요하다. 본 논문에서는 멀티모드 단말 개발의 용이성과 다양한 억세스 네트워크의 선택 및 등록에 관한 고려사항을 검토하여, 사용자 프로파일을 반영하여 IMS를 포함한 계층적 네트워크에서의 SIP-MIH(Session Initiation Protocol-Media Independent Handover)를 기반으로 하는 무선 멀티 억세스 네트워크의 선택 기법과 계층적 핸드오버 절차에 대해 제안한다.

• 한국지구과학회지
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• 제28권4호
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• pp.393-404
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• 2007

본 연구의 목적은 우리나라 10학년 과학 교과서 지구 분야에 등장하는 과학적 모델을 분류해 보는 것이었다. 과학적 모델을 표상 매체, 표상 방법, 모델의 가동성이라는 세 가지 차원에서 검토할 수 있도록 개발된 분류틀을 이용하여 11종 교과서의 지구과학 관련 단원을 분석하였다. 연구의 결과, 과학 교과서들은 지구과학의 세부 영역의 본성이 반영된 영역-특이적인 모델들을 수록하고 있는 것을 알 수 있었다. 즉, '지구의 변동' 단원은 접근이 용이하지 않은 지구의 내부 구조나 판들의 운동을 표상하는 모상 모델을 많이 포함하고 있었는데, 이들은 대부분 평면적 그림 모델과 정적 모델에 속하였다. '대기와 해양' 단원에서는 일기도나 해수의 온도와 염분을 나타낸 등치선도 등을 포함한 기호모델과 도해적 모델이 많이 등장하였다. '태양계와 은하' 단원에서는 규모가 큰 천체나 그들의 운동을 표상하는 모상 모델이나 유비 모델의 비율이 상대적으로 높게 나타났다. 이러한 분석 결과가 지구과학 교육과 관련 연구에 시사하는 바를 논의하였다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제23권2호
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• pp.97-102
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• 1998

한국 토양에 존재하는 $^{137}Cs$ 방사능 분포에 관한 연구를 수행하였다. $^{137}Cs$ 방사능 농도를 결정하기 위하여 남한지역 17개 지점에 대하여 20cm 깊이로 토양을 채취한 후 감마스펙트로메타를 이용하여 $^{137}Cs$ 방사능 농도를 결정하였다. 야산지역과 숲속에 대한 $^{137}Cs$의 평균 농도는 각각 $1,058{\pm}322$ Bq $m^{-2}$ 및 $2,501{\pm}499$ Bq $m^{-2}$로, 숲속의 $^{137}Cs$의 농도가 야산지역보다 약 두배정도 높은 수치를 보였다. 인위적 교란이 없는 지역에서 토양깊이 변화에 따른 $^{137}Cs$ 분포는 토양깊이가 증가할수록 지수함수적으로 감소경향성을 나타내었다. $^{137}Cs$ 농도 분포에 영향을 미치는 여러인자를 조사한 결과 유기물 함량이 $^{137}Cs$의 토양 침적에 중요한 작용을 함을 알 수 있었고 강수량, 점토의 함량 및 pH과 같은 인자들은 $^{137}Cs$의 토양 침적과 상관관계가 거의 없슴을 발견 할 수 있었다.

• 한국조리학회지
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• 제22권2호
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• pp.234-251
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• 2016

본 연구는 스마트폰 맛집 앱에 대한 서비스품질(정보성, 유용성, 이동성, 신뢰성, 공감성)과 사용후기 특성(사용후기 동의성, 사용후기 유용성)이 맛집 앱을 이용한 후의 만족과 재이용의도에 미치는 영향관계를 검증하여 외식업체들이 스마트폰 앱을 통해 효과적인 마케팅 전략을 구축할 수 있도록 유용한 정보를 제공하고자 한다. 본 연구의 자료수집을 위해 2015년 9월 15일부터 10월 30일까지 설문조사를 실시하였으며, 편의표본추출법에 의해 스마트폰 맛집 앱 이용자를 대상으로 조사를 진행하였다. 설문지는 312부를 배포하였으며, 이 중 유효한 자료 295부를 분석에 사용하였고, 가설검증을 위해 구조모형분석을 실시하였다. 분석결과, 첫째, 맛집 앱에 대한 서비스품질 중 신뢰성, 공감성, 유용성이 맛집 앱만족에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타난 반면, 정보성과 이동성은 맛집 앱만족에 유의한 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다. 둘째, 사용후기 특성 중 사용후기 동의성만이 맛집 앱만족에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났으며, 사용후기 유용성은 맛집 앱만족에 유의한 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다. 셋째, 맛집 앱만족은 재이용의도에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다.

• 대한치과보철학회지
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• 제50권3호
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• pp.176-183
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• 2012

연구 목적: 부분 무치악 환자에서 Mg titanate implant (M Implant system, Shinhung, Korea)의보철 후 1년간의 방사선사진을 이용한 변연골 흡수량과 Osstell$^{(R)}$을 이용한 임플란트 안정성 평가 결과를 분석하여 임상적인 성공률에 대해 알아보고자 한다. 연구 재료 및 방법: 38명의 환자에 79개의 임플란트를 식립하여 보철 후 1년 동안 변연골 흡수량, 임플란트의 동요도, 임플란트 식립 위치에 따른 분포 및 성공률, 보철 전후에 따른 성공률을 분석했다. 결과: 변연골의 흡수량은 보철물 장착 후 1년간의 평가에서 상악에서는 평균 1.537 mm, 하악에서는 평균 1.172 mm의 변연골 흡수가 관찰되었으며, 전체적인 상하악의 평균 변연골 흡수량은 1.255 mm로 관찰되었다. 수술 후 시간이 경과함에 따라 ISQ값은 미약하게 감소하였다가 증가하는 경향을 보였으나, 상악과 하악 모두에서 식립 당일 이후 예비 인상일, 최종 보철물의 장착일과 주기적인 평가 기간 동안 ISQ값의 큰 증가나 감소를 나타내지는 않았다. 성공률은 상악에서의 94.12%였고, 하악에서의 98.39%였다. 결론: 본 실험의 결과로 미루어 Mg titanate implant는 임상적으로 양호한 결과를 보여주었다.

• Archives of Reconstructive Microsurgery
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• 제19권1호
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• pp.12-20
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• 2010

Purpose: Industrial punch accidents involving fingers cause segmental injuries to tendons and neurovascular bundles. Although multiple-level segmental amputations are not replanted to regain function, most patients with an amputated finger want to undergo replantation for cosmetic as much as functional reason. The authors describe four cases of digital amputation by an industrial punch that involved the reinstatement of the amputated finger involving a joint and neurovascular bundle. Amputated segments were replanted to restore amputated surfaces and distal segments. Methods: A single institution retrospective review was performed. Inclusion criteria of punch injuries requiring replantation were applied to patients of all demographic background. Injury extent (size, tissue involvement), operative intervention, pre- and postoperative hand function were recorded. Result: Four cases of amputations were treated at our institute from 2004 to 2008 from industrial punch machine injury. Average patient age was 32.5 years (25~39 years) and there were three males and one female. Sizes of amputated segments ranged from $1.0{\times}1.0{\times}1.2\;cm^3$ to $3{\times}1.5{\times}1.6\;cm^3$. Tenorrhaphy was conducted after fixing fractured bone of the amputated segments with K-wire. Proximal and distal arteries and veins were repaired using the through & through method. The average follow-up period was thirteen months (2~26 months), and all replanted cases survived. Osteomyelitis occurred in one case, skin grafting after debridement was performed in two cases. Because joints were damaged in all four cases, active ranges of motion were much limited. However, a secondary tendon graft enhanced digit function in two cases. The two-point discrimination test showed normal values for both static and dynamic tests for three cases and 9 mm and 15 mm by dynamic and static testing, respectively, in one case. Conclusion: Though amputations from industrial punch machines are technically challenging to replant, our experience has shown it to be a valid therapy. In cases involving punch machine injury, if an amputated segment is available, the authors recommend that replantation be considered for preservation of finger length, joint mobility, and overall functional recovery of the hand.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권1호
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• pp.18-24
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• 2002

본 논문에서는 서로 다른 dose를 갖는 이중 노광 방법을 사용한 전자빔 묘화 방법을 이용하여 0.2 ㎛의 wide-head T-게이트를 갖는 PHEMT를 제작하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 1.3 ㎛의 게이트 머리의 크기를 갖는 wide-head T-게이트를 형성하기 위하여 PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA의 3층 레지스트 구조를 사용하였다. 0.2 ㎛의 게이트 길이와 80 ㎛의 단위 게이트 폭 및 4개의 게이트 핑거를 갖는 PHEMT의 DC 특성으로 323 ㎃/㎜의 드레인 전류 밀도 및 232 mS/㎜의 최대 전달 컨덕턴스를 얻었다. 또한 동일한 소자의 RF 특성으로 40 ㎓에서 2.91 ㏈의 S/sub 21/ 이득과 11.42 ㏈의 MAG를 얻었으며, 전 이득 차단 주파수와 최대 공진 주파수는 각각 63 ㎓와 150 ㎓였다.

• 한국결정학회지
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• 제12권4호
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• pp.197-206
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• 2001

수평 전기로에서 AgInS₂ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 AgInS₂ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. AgInS₂ 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 680℃, 기판의 온도 410℃였고 성장 속도는 0.5㎛/hr였다. AgInS₂ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence)스펙트럼이 597.8 nm(2.0741 eV)에서 exciton emission스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 박폭치(FWHM)도 121 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 9.35×10/sup 16/㎤, 294㎠/V·s 였다. AgInS₂ /SI(SEmi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap E/sub g/(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 2.1365eV-(9.89×10/sup-3/eV/K/)T²(T+2930K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamiltopn matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting Δcr값이 0.1541eV이며 spin-orbit Δso 값은 0.0129eV임을 확인하였다. 10K일때 광전류 봉우리들은 n=1 일때 A₁-, B-₁와 C₁-exction 봉우림을 알았다.

• 한국결정학회지
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• 제12권3호
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• pp.127-136
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• 2001

ZnGa₂Se₄단결정 박막은 수평 전기로에서 함성한 ZnGa₂Se₄다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 610℃, 450℃로 고정하여 단결정 박막을 성장하였다. 10 K에서 측정한 광발광 exciton 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반치폭(FWHM)을 분석하여 단결정 박막의 최적 성장 조건을 얻었다. Hall효과는 van der Pauw방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서 각각 9.63×10/sup 17/㎤, 296 ㎠/V·s였다. 광전류 봉우리의 10 K에서 단파장대의 가전자대 갈라짐(splitting)에의해서 측정된 Δcr (crystal field splitting)은 183.2meV, △so (spin orbit splitting)는 251.9meV였다. 10K의 광발광 측정으로부터 고품질의 결정에서 볼 수 있는 free exciton 과 매우 강한 세기의 중성 받개 bound exciton등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 받개 bound exciton등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 반개 bound excition의 반치폭과 결합에너지는 각각 11meV와 24.4meV였다. 또한 Hanes rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 122meV였다.