An electrolyte supported SOFC cell was tested at $800^{\circ}C$ in air for 3600 h with an applied current density of $200\;mA/cm^2$ to examine possible cathode degradation issues. A scandium- stabilized zirconia (ScSZ) with additional manganese doping (ScSZ: Mn) was used as electrolyte. A strontium and copper-doped lanthanum ferrite (LaSrCuFe) and platinum were used as cathode and quasi-anode material, respectively. The DC resistance was logged over the complete testing period. Additionally, impedance spectroscopy was used from time to time to track changes of the cell in-situ. Post-test analysis of the cell using methods like scanning electron microscopy imaging and other electrochemical testing methods allow the identification of different degradation sources. The results indicate a promising combination of electrolyte and cathode material in terms of chemical compatibility and electrical performance.
Kim, D.K.;Jeon, J.B.;Park, C.B.;Song, M.J.;Kang, Y.C.;Park, H.A.;Soo, B.M.;Kim, T.W.;Kang, D.Y.
Proceedings of the KIEE Conference
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1997.07d
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pp.1573-1576
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1997
Thin films of $BaTiO_3$ system were prepared by radio frequency (rf)/dc magnetron sputtering method. We have investigated crystal structure, surface morphology and PTCR(positive-temperature coefficient of resistance) characteristics of the specimen depending on second heat - treatment temperatures. Scanning electron microscope(SEM) image of $BaTiO_3$ thin films shows that the specimen heat treated in between 900 and 1100[$^{\circ}C$] shows a grain growth. At 1100[$^{\circ}C$], the specimen stops grain-growing and becomes a crystal. A resistivity-temperature characteristics of the specimen depends on the doping concentrations of Mn.
J. Y. Hwang;Kim, M. Y.;K. I. Jun;J. R. Rhee;Lee, S. S.;D. G. Hwang;S. C. Yu;Lee, S. H.
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2002.12a
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pp.64-65
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2002
Recently the synthetic antiferromagnetic layer (SAF) has received much attention because it replaces the pinned layer of the conventional spin valve (CSV) sensors and its overall performance [1], The spin valve (SV) with SAF has the from buffer/F/Cu/APl/Ru/AP2/AF, where F is the soft ferromagnetic layer (typically NiFe with CoFe interfacial doping), AP1 and AP2 are two ferromagnetic layers (typically CoFe alloys) antiferromagnetically coupled through a thin Ru layer. (omitted)
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.22
no.2
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pp.78-83
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2012
The structural change and the electrical conductivity with Sr content in $La_{1-x}Sr_xMn_{0.8}Cu_{0.2}O_3$ (LSMCu) were studied. $La_{0.8}Sr_{0.2}MnO_3$ (LSM) and $La_{1-x}Sr_xMn_{0.8}Cu_{0.2}O_3$ ($0.1{\leq}x{\leq}0.4$) were synthesized by EDTA citric complexing process (ECCP). A decrease in the lattice parameters and lattice volumes was observed with increase of Sr content, and these results were attributed to the increasing $Mn^{4+}$ ions and $Cu^{3+}$ ions in B-site. The electrical conductivity measured from $500^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$ was increased with increase of Sr content in the $0.1{\leq}x{\leq}0.3$ composition range, and it was 172.6 S/cm (at $750^{\circ}C$) and 177.7 S/cm (at $950^{\circ}C$, the maximum value) in x = 0.3. The electrical conductivity was decreased in x = 0.4 because of the presence of the second phase in the grain boundaries. The lattice volume was contracted by increase of $Mn^{4+}$ ions and $Cu^{3+}$ ions in B-site according to increase of Sr content and the electrical conductivity was increased with increase of charge carriers which were involved in the hopping mechanism.
manganese oxides have been prepared by Chimie Douce redox reaction between permanganate and chalcogen element fine powder under acidic condition (pH = 1). According to powder X-ray diffraction analyses, the S- and Se-doped manganese oxides are crystallized with layered birnessite and tunnel-type -MnO2 structures, respectively. On the contrary, Te-doped compound was found to be X-ray amorphous. According to EDS analyses, these compounds contain chalcogen dopants with the ratio of chalcogen/manganese = 4-7%. We have investigated the chemical bonding character of these materials with X-ray absorption spectroscopic (XAS) analysis. Mn K-edge XAS results clearly demonstrated that the manganese ions are stabilized in octahedral symmetry with the mixed oxidation states of +3/+4. On the other hand, according to Se K- and Te L1-edge XAS results, selenium and tellurium elements have the high oxidation states of +6, which is surely due to the oxidation of neutral chalcogen element by the strong oxidant permanganate ion. Taking into account their crystal structures and Mn oxidation states, the obtained manganese oxides are expected to be applicable as electrode materials for lithium secondary batteries.
Layered $Li_{1+x}(Mn_{0.4}Ni_{0.4}Fe_{0.2})_{1-x}O_2$ (0 < x < 0.3) solid solutions were synthesized using solgel method with adipic acid as chelating agent. Structural and electrochemical properties of the prepared powders were examined by means of X-ray diffraction, Scanning electron microscopy and galvanostatic charge/discharge cycling. All powders had a phase-pure layered structure with $R\bar{3}m$ space group. The morphological studies confirmed that the size of the particles increased at higher x content. The charge-discharge profiles of the solid solution against lithium using 1 M $LiPF_6$ in EC/DMC as electrolyte revealed that the discharge capacity increases with increasing lithium content at the 3a sites. Among the cells, $Li_{1.2}(Mn_{0.32}Ni_{0.32}Fe_{0.16})O_2$ (x = 0.2)/$Li^+$ exhibits a good electrochemical property with maximum initial capacity of 160 $mAhg^{-1}$ between 2-4.5 V at 0.1 $mAcm^{-2}$ current density and the capacity retention after 25 cycles was 92%. Whereas, the cell fabricated with x = 0.3 sample showed continuous capacity fading due to the formation of spinel like structure during the subsequent cycling. The preparation of solid solutions based on $LiNiO_2-LiFeO_2-Li_2MnO_3$ has improved the properties of its end members.
Kim, Kyoung-Bum;Jang, Young-Ho;Kim, Chang-Il;Jeong, Young-Hun;Lee, Young-Jin;Paik, Jong-Hoo;Lee, Woo-Young;Kim, Dae-Joon
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.9
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pp.723-727
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2011
0.935Ba$TiO_3$-0.065($Bi_{0.5}Na_{0.5}$)$TiO_3+xmol%MnO_2$ (BBNTM-x) ceramics with $0{\leq}x{\leq}0.05$ were fabricated with muffled sintering by a modified synthesis process. Their microstructure and enhanced positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) characteristics were systematically investigated in order to obtain lead-free high TC PTCR thermistors. All specimens showed a perovskite structure with a tetragonal symmetry and no secondary phase was observed. Grain growth was achieved when the doped MnO2 was increased above 0.02 mol%. This is due to the effect of positive Mn ion doping as an acceptor compensating a Ba vacancy occurred by the higher donor dopant concentration of $Bi^{3+}$ ion. Especially, enhanced PTCR characteristics of the extremely low ${\rho}_{RT}$ of $9\;{\Omega}{\cdot}cm$, PTCR jump of $5.1{\times}10^3$, ${\alpha}$ of 15.5%/$^{\circ}C$ and high $T_C$ of $167^{\circ}C$ were achieved for the BBNTM-0.04 ceramics.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.3
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pp.155-160
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2000
The piezoelectric properties and the doping effect for$0.95Pb(Zr_xTi_{1-x})O_3+0.05Pb(Mn1/3Nb2/3)O_3$ compositions were studied. Also, the heat generation and the change of electromechanical characteristics, the important problem in practical usage, were investigated under high electric field driving. As a experiment results under low electric field, the values of kp and $\varepsilon33T$ were maximized, but Qm was minimized(Kp=0.57, Qm=1550) in the composition of x=0.51. In order to increase the values of Qm $Nb_2O_5$ was used as a dopant. As the result of that, the grain size was suppressed and the uniformity of grain was improved. Also, the values of kp decreased, and the values of Qm increased with doping concentration of $Nb_2O_5$. As a experiment results under high electric field driving, when vibration velocity was lower than 0.6[m/s], the temperature increase was $20[^{\circ}C]$, and the change ratio of mechanical quality factor was less than 10[%]. So, its electromechanical characteristics was very stable. Conclusively, piezoelectric ceramic composition investigated at this paper is suitable for application to high power piezoelectric devices.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.10
no.5
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pp.152-155
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2009
The microstructure and the electrical properties of a ZnO varistor, which was composed of a ZnO-$Bi_2O_3$-$Sb_2O_3$-CoO- $MnO_2$ -NiO-$Nd_2O_3$ system, were investigated at various $Y_2O_3$ addition concentrations. $Y_2O_3$ played a role in the inhibition of the grain growth. As the $Y_2O_3$ content increased, the average grain size decreased from $6.8{\mu}m$ to $4{\mu}m$, and the varistor voltage($V_{1mA}$) greatly increased from 275 to 400 V/mm. The nonlinearity coefficient ($\alpha$) decreased from 72 to 65 with increasing $Y_2O_3$ amount. On the other hand, the leakage current ($I_L$) increased from 0.2 to 0.9 ${\mu}A$. These results confirmed that doping the varistors with $Y_2O_3$ is a promising production route for production of a higher fine-grained varistor voltage ($V_{1mA}$) which can dramatically reduce the size of the varistors.
Son Y.-J.;Hwang D.-Y.;Kim J.-C.;Cho K.-W.;Kim Y.-M.;Ur S.-C.;Kim I.-H.
Korean Journal of Materials Research
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v.14
no.11
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pp.764-768
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2004
Perovskite Pb(Mn_{1/3}Sbu_{2/3})O_2-Pb(Zr,Ti)O_3\;(PMS-PZT) was prepared and ZnO doping effects on its piezoelectric properties were investigated. Pyrochlore phase was not identified in the PMS-PZT ceramics with $0\sim5\;mol\%$ ZnO sintered at $1100^{\circ}C$ for 2 hrs, and maximum sintered density of $7.92 g/cm^3$ was obtained. Piezoelectric charge constant and voltage constant increased to $359{\times}10^{-12}\;C/N\;and\;22.5{\times}10^{-13}\;Vm/N$, respectively, with increasing ZnO content. Mechanical quality factor reduced considerably with increasing ZnO content. When the ZnO content was 3 $mol\%$, electromechanical coupling factor and relative dielectric constant showed maximum values of $56\%$ and 1727, respectively. This should be evaluated by complicated variations of sintered density, tetragonality of lattice, grain size, and A-site vacancy generated by ZnO addition and $Zn^{2+}$ substitution.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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