• 자연과학논문집
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• 제14권2호
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• pp.41-54
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• 2004

$LaMnO_3$(a=$5.51\AA$, c=$13.33\AA$) 페로브스카이트형 복합산화물에서 A site인 La자리에 Sr을 치환시킨 $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_3$(a=$5.33\AA$, c=$13.27\AA$)와 B site인 Mn을 Cu로 치환시킨 $LaMn_{0.9}Cu_{0.1}O_3$(a=$5.52\AA$, c=$13.31\AA$) 복합산화물을 Citrate sol-gel법을 이용하여 합성하였으며 분말 X-ray회절 분석기(XRD)을 이용하여 Rhombohedral의 페로브스카이트 구조임을 확인하였다. 수소 환원분위기에서의 TRR결과에 의하면 이들 산화물의 산소 화학양론은 $LaMnO_{3.16}$, $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_{3.10}$, $LaMn_{0.9}Cu_{0.1}O_{3.14}$의 조성을 갖는다. $LaMnO_3$는 2단계 환원반응을 일으키지만 각 자리를 치환시킨 $LaMnO_3$ 복합산화물은 3단계 환원반응을 일으켰다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권4호
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• pp.286-291
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• 2000

수직 Bridgman법으로 $Cd_{1-x}Mn_{x}Te$ 단결정을 성장시켜 자기장과 파장을 변화시키면서 Faraday회전을 측정하였다. Verdet 상수값은 포톤의 에너지가 높은 쪽으로 이동함에 따라 흡수단 근처에서 최대였고, 조성비 x에 따라 증가하다가 x=0.40 이상에서 감소하였다. $Cd_{1-x}Mn_{x}Te$ 단결정을 Faraday 소자로 이용할 경우, 흡수단 근처에서 Faraday 회전이 가장 크게 일어나는 $Cd_{0.60}Mn_{0.38Te}$ 단결정이 적합하고,광원으로 He-Ne레이저를 사용할 경우에는 $Cd_{0.62}Mn_{0.40}Te$ 단결정이 유용함을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.310-310
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• 2010

ZnO 바리스터는 정전기 (ESD) 및 순간적인 써지(surge)로부터 전자기기 및 전자회로 등을 보호하기 위해 개발된 전자 세라믹스 소재이다. 최근 전자기기 등의 고속통신 추세에 따라 ZnO 바리스터는 높은 비선형 특성과 함께 보다 낮은 유전율 및 유전손실 특성이 특별히 요구되고 있다. 본 연구에서는 현재 양산되고 있는 Bi-계와 Pr-계 ZnO 바리스터가 아닌 새로운 조성계에 $Mn_3O_4$를 0.0~3.0 at% 첨가하여 소결 및 전기적 특성들 살펴보았다. 시편은 일반적인 세라믹 공정에 따라 제조하여 $1200^{\circ}C$에서 1 시간 공기 중에서 소결하였으며, 소결 및 전기적 특성과 유전 특성(밀도, 미세구조, I-V 특성, 유전율, 유전손실, ZnO 비저항)은 FE-SEM, Keithley237, Agilent 4294a 및 Agilent 4991a 장비를 사용하여 첨가제에 따른 ZnO 바리스터의 특성 변화를 관찰하였다. 그 결과 Mn이 0.2 at% 첨가한 계의 바리스터의 상대밀도는 95%, 비선형계수는 14, 유전율은 140 (at 1MHz), 손실값은 0.147 (at 1 MHz)를 나타내었다. 이를 통하여 새로운 바리스터 조성계에서 Mn의 첨가에 따른 효과에 대하여 논하였다.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.15-19
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• 2002

BaTiO$_3$계 PTC 서미스터의 조성개발을 위해 (Ba$_{0.95-x}$S $r_{0.05}$C $a_{x}$)$TiO_3$-$0.01TiO_2$-$0.01SiO_2$-$\alpha$MnCO_3$-$\beta$Nb_2$o_{5}$와 같은 실험조성식을 설정한 후 최적 조건하에서 적층형 PTC시편을 제작하여 실험하였다. 실험 결과, 시편제조시의 최적 소결온도와 냉각속도는 각각 $1350^{\circ}C$-2 hour및 $100^{\circ}C$/h였다. 또한 상온저항을 낮추는 효과가 있는 Dopant로서의 Ca와 Mn 그리고 피크(peak)저항값을 높일 수 있는 Nb를 Ca:5 mol%, Mn:0.08 mol%, Nb:0.18 mol%로 함으로써 비교적 낮은 상온저항과 높은 피크(peak)저항 및 양호한 온도계수 특성이 나타났으며, 화재감지센서로서의 활용 가능성을 확인하였다.다.다.

• 공학논문집
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• 제5권1호
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• pp.63-72
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• 2004

Mn-Co-Ni 3성분계에 Fe의 첨가량을 변화시켜 따른 산화물 서미스터소결체(Mn-Co-Ni-Fe oxide)를 소성온도 1200~$1400^{\circ}C$에서 제조하여 전기저항특성을 조사한 결과, 결정상은 단일입방정 스피넬형 결정구조였고, 소성온도에 따른 전기전도도는 $1300^{\circ}C$에서 4시간 소결한 시미스터가 가장 높았다. 대체로 F-2를 제외하고는 Fe의 첨가량이 증가할 때 비저항은 증가하고 상대적으로 전기전도도는 감소한다. 특히 F-2의 조성에 있어서는 전기전도도가 1.4${\times}$$10^-3$${\ textohm}cm로 높았고 상대적으로 B정수는 2906K로 낮았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권1호
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• pp.151-159
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• 1998

자동차 모터 작동시에 사용되는 전류 제어 소자의 써미스터 조성을 개발하기 위하여 $BaTiO_3$에 첨가제로써 $Y_{2}O_{3}CaO,SiO_{2}$ 및 Mn을 선정하여 실험하였다. 0.2mol%의 $Y_{2}O_3$, 첨가에서 가장 낮은 상온 저항 16.5${\Omega}{\cdot}$cm를, 1.6mol% $SiO_2$ 첨가에서 50${\Omega}{\cdot}$cm를 보였다. 5mol%의 Ca를 Ba와 치환한 조성에서는 결정립의 크기가 34.95${\mu}$m에서 13.4${\mu}$m로 감소하였으며, 0.04mol% Mn에서 상온저항 및 ${\rho}_{max}/{\rho}_{min}$가 각각 30~40${\Omega}{\cdot}$cm, $1.5{\times}10^5$의 우수한 특성을 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제5권1호
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• pp.36-41
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• 1995

$(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$계에서의 조성 x=0.38의 $(Pb_{0.62}Ca_{0.38})ZrO_{3}$에 Mn 성분을 첨가하여 $1300^{\circ}C$에서 2시간 소결한 세라믹스의 소결성 및 고주파 유전특성을 연구하였다. Mn의 첨가로 소결온도가 낮아지며 치밀한 소결체를 얻을 수 있었다. 하소온도가 높아짐에 따라 하소과정에서 합성반응이 충분히 이루어져 소결체의 최종 소결과정에 영향을 미처 유전체의 유전상수와 품질계수 Q값이 증가하였다. Mn의 첨가량에 따른 물성변화는 Mn의 첨가량이 0.15wt%까지의 첨가범위에서는 $Mn^{4+}$가 $Mn^{3+}$ 또는 $Mn^{2+}$로 환원됨에 따라 산소공공이 생성되며, 억셉터로 작용하여 품질계수 Q값이 1300정도까지 증가하였고, 유전율은 90-100 정도로 변화가 없었다. 그러나 Mn 첨가량이 0.5 wt%이상일때 유전손실이 매우 증가되며 동시에 품질계수 Q값이 점차 감소하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.19-19
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• 2003

The injection of spins into nonmagnetic semiconductors has recently attracted great interest due to the potential to create new classes of spin-dependent electronic devices. A recent strategy to achieve control over the spin degree of freedom is based on dilute ferromagnetic semiconductors. Ferromagnetism has been reported in various semiconductor groups including II-Ⅵ, III-V, IV and II-IV,-V$_2$, which will be reviewed. On the other hand, to date the low solubility of magnetic ions in non-magnetic semiconductor hosts and/or low Curie temperature have limited the opportunities. Therefore the search for other promising ferromagnetic semiconducting materials, with high magnetic moments and high Curie temperatures (Tc), is of the utmost importance. In this talk, we also introduce new pure ferromagnetic semiconductors, MnGeP$_2$ and MnGeAs$_2$, exhibiting ferromagnetism and a magnetic moment per Mn at 5K larger than 2.40 ${\mu}$B. The calculated electronic structures using the FLAPW method show an indirect energy gap of 0.24 and 0.06 eV, respectively. We have observed spin injection in MnGeP$_2$ and MnGeAs$_2$ magnetic tunnel junctions through semiconducting barriers.

• 한국표면공학회지
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• 제30권1호
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• pp.57-62
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• 1997

Green-emitting $ZnGa_2O_4$ : Mn phosphors were synthesized by a thermal method and their low-voltage cathodoluminescent characteristics were examined for the field emitter display (FED) application. Low efficiency of $ZnGa_2O_4$ : Mn phosphors could be ascribed to the low penetration depth of into phosphors, which might results in charge accumulation on the phosphors screen. For increasing cathodoluminescent of $ZnGa_2O_4$ : Mn under low voltage excitation, wide band-gap oxide materials were added to the $ZnGa_2O_4$: Mn powder. It is found that the luminance can be increased by 20%. Measurement of leakage current on the phosphor screen shows that the enhancement of low-voltage cathodoluminescent by additive materials is mainly due to the consumption of surface charges on the phosphor.

• 한국자기학회지
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• 제5권3호
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• pp.197-202
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• 1995

고주파용 전원의 필요성이 대두되면서 고주파에서 낮은 자기손실을 가진 재료의 개발이 요구되고 있다. Mn-Zn 페라이트의 자기손실은 전기비저항의 증거나 소결시 미세구조의 제어로 줄일 수 있다. 본 연구에서는 연쇄고온합성법(Self-propagation High- temperature Synthesis)에 의해 제조된 $_Mn_{0.72}$Z $n_{0.22}$)$_{0.94}$ (F $e_{2}$ $O_{3}$)$_{1.06}$ 조성의 Mn-Zn페라이트에서 첨가물이 미세구조와 자기적 성질에 미치는 영향에 대해 조사하였다. $SiO_{2}$와 Ca $Co_{3}$의 복합첨가에 의해 미세구조의 미세화와 아울러 낮은 자기손실 특성을 얻을 수 있었다. 그러나 첨가 물의 과다 첨가시에는 비정상입자성장 조직이 나타났으며 자기적 성질이 현저히 저하 하였다. 전기비저항, 자기손실의 주파수 의존 결과에 근거하여 주된 자기손실기구 및 이에 미치는 첨가물 효과에 대해 논하였다.