• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.350-356
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• 2005

We report the space charge and the surface potential of the interface between metal and copper(Ⅱ)-phthalocyanine(CuPc) thin films by measuring the microwave reflection coefficients S/sub 11/ of thin films using a near-field scanning microwave microscope(NSMM). CuPc thin films were prepared on Au and Al thin films using a thermal evaporation method. Two kinds of CuPc thin films were prepared by different substrate heating conditions; one was deposited on preheated substrate at 150。C and the other was annealed after deposition. The microwave reflection coefficients S/sub 11/ of CuPc thin films were changed by the dependence on grain alignment due to heat treatment conditions and depended on thickness of CuPc thin films. Electrical conductivity of interface between metal and organic CuPc was changed by the space charge of the interface. By comparing reflection coefficient S/sub 11/ we observed the electrical conductivity changes of CuPc thin films by the changes of surface potential and space charge at the interface.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권6호
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• pp.641-646
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• 2004

We report the changes of the microwave reflection coefficients S$_{11}$ of copper(II)-phthalocyanine (CuPc) thin films by using a near-field microwave microscope(NSMM) in order to understand the phase transition of CuPc. For a NSMM system, a high-quality microstrip resonator coupled with a dielectric resonator was used. CuPc thin films were prepared on the pre-heated glass substrates using a thermal evaporation method. The reflection coefficients S$_{11}$ of CuPc thin films were changed by the dependence on the substrate pre-heating temperatures. By comparing reflection coefficient S$_{11}$ and crystal structures, we found the phase transition of CuPc thin films from $\alpha$-phase to $\beta$-phase at the substrate heating temperature 200 $^{\circ}C$./TEX>.

• 한국표면공학회지
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• 제46권1호
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• pp.29-35
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• 2013

The effect of DC bias on the growth of nanocrystalline diamond films on silicon substrate by microwave plasma chemical vapor deposition has been studied varying the substrate temperature (400, 500, 600, and $700^{\circ}C$), deposition time (0.5, 1, and 2h), and bias voltage (-50, -100, -150, and -200 V) at the microwave power of 1.2 kW, working pressure of 110 torr, and gas ratio of Ar/1%$CH_4$. In the case of low negative bias voltages (-50 and -100 V), the diamond particles were observed to grow to thin film slower than the case without bias. Applying the moderate DC bias is believed to induce the bombardment of energetic carbon and argon ions on the substrate to result in etching the surfaces of growing diamond particles or film. In the case of higher negative voltages (-150 and -200 V), the growth rate of diamond film increased with the increasing DC bias. Applying the higher DC bias increased the number of nucleation sites, and, subsequently, enhanced the film growth rate. Under the -150 V bias, the height (h) of diamond films exhibited an $h=k{\sqrt{t}}$ relationship with deposition time (t), where the growth rate constant (k) showed an Arrhenius relationship with the activation energy of 7.19 kcal/mol. The rate determining step is believed to be the surface diffusion of activated carbon species, but the more subtle theoretical treatment is required for the more precise interpretation.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권5호
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• pp.508-514
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• 2013

기판 집적 도파관(SIW: Substrate Integrated Waveguide)는 양면 도체 기판과 도체 비아를 사용하여 매우 얇은 구형 도파관을 형성하는 것으로 사용되는 도체 모두가 직류적으로 하나로 연결되어 있어서 직류 전원 공급이 불가능하다. 본 논문에서는 직류 전원 공급이 가능한 folded corrugated substrate integrated waveguide(FCSIW)를 제안한다. 제안된 FCSIW는 SIW에 사용되는 전도성 비아를 구부러진 형태의 개방형 스터브로 대체하여 직류 전원 공급이 가능하다. 이 FCSIW는 기존의 직류 전원 공급이 가능한 corrugated substrate integrated waveguide (CSIW)에서 나타나는 누설파 발생이 없어서 광대역 전송 특성이 우수하고, CSIW에 비하여 전송선의 단면 폭을 30 % 줄일 수 있다. 9~15 GHz 대역에서 측정된 154 mm 길이의 FCSIW의 평균 삽입 손실(1.49 dB)이 CSIW의 값(3.08 dB)에 비하여 매우 우수함을 확인하였으며, 상호 간섭 측정으로부터 누설파가 발생되지 않음을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권10호
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• pp.1044-1051
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• 2003

본 논문에서는 고유전율의 BMT 물질을 기판에 적용하여 기판 위에 소형화된 평면형 구조의 마이크로웨이브 듀플렉서를 설계, 제작하였다. Ba(Mg$_{1}$3/Ta$_{2}$3/)O$_3$(BMT)는 품질계수, 온도계수 측면에서 뛰어난 유전 특성을 보이며 유전상수가 23인 고유전 물질로서 회로의 크기를 줄이기 위한 기판에 적용하기가 적합하다. BMT 기판은 tape casting 공정에 의해 제작되었으며, 회로 패턴은 실크스크린을 이용하여 전극 패턴을 입혔다. Open-loop ring type의 듀플렉서를 BMT 기판 위에 설계, 제작하였으며 유전상수가 6.15인 상용 기판에 동일한 규격의 듀플렉서를 제작하여 비교한 결과, 특성의 저하 없이 약 80 % 정도 크기를 줄일 수 있었다. 따라서 제안된 BMT 기판은 예시된 듀플렉서 소형화를 구현하였으며, 마이크로웨이브 수동 소자의 소형화에 기여할 수 있을 것으로 기대된다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권7호
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• pp.49-59
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• 2014

개구면 결합 마이크로스트립 패치 안테나(aperture coupled microstrip patch antenna; ACMPA)의 급전 기판의 유전상수와 두께가 안테나 대역폭과 방사특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 급전 기판의 두께가 같은 여러 가지 유전상수의 급전기판을 가지는 ACMPA의 최적화된 반사손실 대역폭은 방사특성의 저하 없이 급전기판의 유전상수가 감소할수록 대역폭이 증가한다. MMIC(monolithic microwave integrated circuit)와 집적화가 가능한 높은 유전상수(${\epsilon}_r=10$)를 가지는 급전 기판을 사용한 ACMPA의 최적화된 반사손실 대역폭은 방사특성의 저하 없이 급전 기판의 두께가 감소할수록 대역폭이 증가한다. 따라서 ACMPA는 MMIC와 집적화하기에 좋은 구조를 가진 패치 안테나이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.1002-1008
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• 2001

본 논문은 전파흡수기능을 갖는 경량, 고강도 고분자 복합재료의 재료 설계 및 전각흡수특성에 관한 연구이다. 전송선로 이론을 도입하여 다층구조 전파흡수체의 반사감쇠량 계산에 필요한 이론식을 제시하고, 각 층의 재료정수 및 두께의 함수로 계산한 전파흡수능 결과에 근거하여 각 층의 재질에 적합한 복합재료를 제시하였다. 본 연구에서 가장 중요한 결과는 페라이트 충진재를 사용하지 않은 3층 구조 (표면층/중간층/배면층)의 전파흡수구조재를 설계하였다는 점이다. 표면층 재료로는 저유전율 특성의 유리섬유 복합재료를 사용하고, 중간층 및 배면층에는 유전상수 및 도전손실이 큰 탄소섬유 복합재료를 사용하여 4~12 GHz 주파수 범위에서 10 dB 이상의 전파흡수특성을 얻을 수 있었다. 이에 반하여 흡수층/반사층으로 구성되는 2층 구조의 전파흡수구조재에서는 흡수층에 페라이트 충진재의 사용이 필수적이었다. 반사층 재질로 탄소섬유 복합재료를 사용하고, 횹수층 유리섬유 복합재료에 페라이트 충진재를 약 40 wt% 첨가함으로써 4~12 GHz 주파수 범위에서 10 dB 이상의 전파흡수특성을 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.358-360
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• 2007

For large scaled solar cells and photosensors CdS thin films of $2{\mu}m$ thickness have deposited on ITO glass substrate by chemical bath deposition methode in $300^{\circ}C$ electric furnace. The surface roughness and resistance of cadmium sulphide(CdS) thin films with different microstructures and morphologies was investigated by using a x-ray diffraction (XRD), a scanning electron microscope (SEM), an atomic force microscope (AFM), and a near-field scanning microwave microscope (NFMM). As the different substrate heat temperatures, the microwave reflection coefficient $S_{11}$ and intensity of the (002) diffraction peak was changed, and the surface morphology also has shown differently.

• 전기학회논문지P
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• 제58권3호
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• pp.334-338
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• 2009

In this paper, We report the miniaturization of superconducting microwave power dividers based on lumped element equivalent circuits. To do this, we analyzed a conventional branch-type power divider by using an ABCD matrix under even and odd mode excitation. Then, we calculated each lumped element impedance throughout this analysis of a transmission line matrix. Also we simulated our equivalent circuits made of lumped elements by using a full wave analysis, em Sonnet. Our deign of microwave power divider based on simulated results was fabricated on high-$T_c$ superconducting thin films deposited on MgO substrate. Experimental results were reported in terms of bandwidth, center frequency, and phase difference between $S_{21}$ and $S_{31}$. We confirm that our design will be useful in the future microwave power systum.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권12호
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• pp.1129-1132
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• 2005

The purpose of this reserch is to establish the new design technology for microwave Coplanar structure. The components in microwave circuit are classified to transmission devices, EM devices, and quasi-TEM devices. After design of these devices, we analyzed these CPWs electromagnetically using FDTD method, and suggested optimum CPW structure. In oder to realize a CPW module up to 30 GHz-100 GHz band, we research on a technology of 3-dimensional microwave CPW, and GaAs substrate with Si layer for ohmic loss. As a result this research, we suppressed the leakage, resonance, coupling, and radiation of CPW EMI, and improved resonance quality of CPW.