• 제목/요약/키워드: MicroTec

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MicroTec을 이용한 태양전지의 IV특성곡선 분석 (Analysis of the Solar cell IV characteristic curve Process using MicroTec Tool)

  • 한지형;정학기;정동수;이종인;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2009년도 춘계학술대회
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    • pp.667-670
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    • 2009
  • 본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 태양전지의 IV특성곡선을 분석하였다. 태양전지의 IV특성곡선은 태양전지의 효율을 나타낸다. 효율을 높이기 위하여 전극이 직접 접촉하는 부분에 고농도의 형태를 취하고 나머지 전극이 없는 부분에 저농도 도핑으로 전면을 처리한다. 이때 고농도 층을 과대하게 불순물을 주입할 경우 전극부분의 재결합률이 상승하여 에너지 변환 손실로 이어진다. 본 연구에서는 태양전지의 최대효율을 얻을 수 있는 도핑의 농도를 결정하여 이의 IV특성곡선을 비교 분석 하고자한다.

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MicroTec을 이용한 Trench D-MOS의 산화막크기에 따른 전류-전압 특성 (Trench D-MOS using MicroTec oxide according to the size of the current - voltage characteristics)

  • 임세훈;한지형;정학기;이종인;정동수;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
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    • pp.779-781
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    • 2010
  • Trench D-MOS(double-diffusion MOS)는 기존의 D-MOS를 대체한 것으로 전체 전류의 길이를 짧게 함으로써 온전압강하가 낮아지게 된다. 따라서 소자가 턴-온시에 전력소모가 작게 되며, 온저항과 트레이드 오프관계인 턴-오프 특성도 그다지 나빠지지 않아 트레이드 오프 특성도 개선되어지는 장점이 있다. 본 논문은 MicoroTec 시뮬레이션을 이용하여 Trench D-MOS의 산화벽을 다르게하여 전류-전압 특성을 연구하였다.

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MicroTec을 이용한 MOSFET Process 설계 (Design of the MOSFET Process using MicroTec Tool)

  • 한지형;정학기;이재형;정동수;이종인;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
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    • pp.740-743
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    • 2008
  • 본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 MOSFET Process 설계를 구현하였다. MOS(Metal Oxide Semiconductor)는 실리콘 기판 등의 반도체 표면에 산화막을 입히고 그 위에 금속을 부착시킨 구조이다. MOSFET의 응용은 VLSI 회로에만 제한되지 않고 전력-전자 회로에서 중요한 역할을 하며 점점 더 적용범위를 증가시켜 마이크로파 응용에 이르기까지 광범위하게 사용하고 있다. Process를 구연하는 방법은 Grid의 크기를 지정하고, 기판의 원소는 B로 지정하고 $1{\times}10^{15}/cm^3$ 만큼 도핑한다. 기판에 구멍을 내어 B와 As의 도핑농도와 에너지값을 설정한다. 마지막으로 어넬링 파라미터 값을 설정한다. 본 연구에서는 원소의 도핑값과 에너지값의 변화에 따른 MOSFET Process의 변화를 알 수 있었다.

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MicroTec을 이용한 Trench D-MOSFET의 항복전압 분석 (Analysis of Breakdown voltage for Trench D-MOSFET using MicroTec)

  • 정학기;한지형
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제14권6호
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    • pp.1460-1464
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    • 2010
  • 본 논문에서는 MicroTec을 이용하여 Trench D-MOSFET의 항복전압을 분석하였다. 소자의 고집적을 위한 특성 분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. Trench MOSFET은 고전압에서 가장 선호하는 전원장치이다. Trench MOSFET에서 산화막 두께와 도핑농도는 항복전압의 크기를 결정하며 고전압에 커다란 영향을 미치고 있다. 본 연구에서는 채널의 도핑 농도를 $10^{15}cm^{-3}$에서 $10^{17}cm^{-3}$까지 변화시켜 도핑 농도에 따른 항복전압 특성을 조사하였다. 또한 게이트 산화막 두께와 접합깊이를 변화시켜 항복전압 특성을 분석하였다.

나노구조 실리콘 소자의 임팩트이온화 모델 분석 (Analysis of Impact ionization Model for Nano structure Silicon device)

  • 고석웅;임규성;정학기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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    • pp.656-659
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    • 2001
  • 최근 반도체 기술의 발달로 소자의 크기가 줄어들면서 높은 에너지를 갖는 핫 캐리어 전송 해석이 매우 중요하게 되었다. Auger 과정과는 반대인 임팩트이온화현상은 핫 캐리어에 의한 산란에 의하여 전자-정공쌍을 생성하는 과정으로 소자의 전송특성 해석을 위한 시뮬레이션에 정확한 임팩트 이온화모델이 필수적이다. 본 연구에서는 Monte Carlo 시뮬레이터를 이용한 임팩트이온화 모델과 TCAD 그리고 Micro-Tec을 이용한 임팩트이온화 모델을 분석하여 보다 정확한 임팩트이온화 모델을 제시하고자 한다.

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Design of DGMOSFET for Optimum Subthreshold Characteristics using MicroTec

  • Jung, Hak-Kee;Han, Ji-Hyeong
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제8권4호
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    • pp.449-452
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    • 2010
  • We have analyzed channel doping and dimensions(channel length, width and thickness) for the optimum subthreshold characteristics of DG(Double Gate) MOSFET based on the model of MicroTec 4.0. Since the DGMOSFET is the candidate device to shrink short channel effects, the determination of design rule for DGMOSFET is very important to develop sub-100nm devices for high speed and low power consumption. As device size scaled down, the controllability of dimensions and oxide thickness is very low. We have analyzed the short channel effects for the variation of channel dimensions, and found the design conditions of DGMOSFET having the optimum subthreshold characteristics for digital applications.

채널 길이에 따른 20nm 이하 MOSFET의 전달컨덕턴스 특성 분석 (Analysis of sub-20nm MOSFET Transconductance characteristic by Channel Lenght)

  • 한지형;정학기;이재형;정동수;이종인;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2009년도 추계학술대회
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    • pp.935-937
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    • 2009
  • 본 논문에서는 MicroTec을 이용한 채널 길이에 따른 20nm이하 MOSFET의 전달컨덕턴스의 특성을 분석하였다. 전달컨덕턴스는 게이트 전압의 변화에 의한 드레인 전류의 변화이다. MicroTec의 이동도 모델중 Lombardi, Constant, Yamaguchi 모델을 선택하여 이동도 모델에 따른 gm(전달컨덕턴스)를 비교하였다. 인가전압은 소스 0V, 기판 0V, 드레인 0.1V, 게이트는 -2.5V에서 4.5V까지 증가시켰다. 채널의 길이가 줄어들수록 gm(전달컨덕턴스)의 최대값과 드레인 전류가 증가함을 알 수 있었다.

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DGMOSFET의 채널두께에 따른 문턱전압이하영역에서의 전송특성분석 (Analysis of subthreshold region transport characteristics according to channel thickness for DGMOSFET)

  • 한지형;정학기;이종인;정동수;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2010년도 추계학술대회
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    • pp.737-739
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    • 2010
  • 본 연구에서는 MicroTec4.0을 이용하여 더블게이트 MOSFET의 문턱전압이하특성을 채널두께의 변화에 따라 분석하였다. 소자의 고집적을 위한 특성분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. 더블게이트 MOSFET에서 산화막 두께와 채널 두께는 문턱전압의 크기를 결정하며 Ss(Subthreshold swing)에 커다란 영향을 미친다. 본 연구에서는 채널의 두께를 1nm에서 3nm까지 변화시켜 채널 두께에 따른 문턱전압과 Ss(Subthreshold swing)를 조사하였다.

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자동 광축 정렬시스템을 이용한 초소형 광통신용 마이크로 OADM 제작 및 Aging effect (Fabrication and Aging effect of Micro OADM using Automatic Alignment System)

  • S. K., Kim;Y. H., Seo;D. S., Choi;T. J., Jae;K. H., Whang
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2004년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.644-647
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    • 2004
  • Optical add/drop multiplexers (OADMs), one of the new network elements, will play a key role enabling greater connectivity and flexibility in the dense wavelength-division multiplexing (DWDM) networks. The importance of OADMs is that they allow the optical network to be local transmitting/extraction on a wavelength-by-wavelength basis to optimize traffic, efficient network utilization, network growth, and to enhance network flexibility. Also, the automatic assembly system of micro optical filters and fibers is a key technology in the development of optical modules with high functionality. Recently, one of remarkable tends in the development of optical communication industry is the miniaturization and integration of products. In this research, we have developed a system capable of automatic alignment of a film filter and a lensed fiber in order to improve the speed and losses in the optical fiber to filter alignment of optical modules. Using the developed automatic alignment system and silicon optical benches, we have fabricated the micro OADM and measured the insertion loss and aging effect.

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