Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Design of the MOSFET Process using MicroTec Tool

MicroTec을 이용한 MOSFET Process 설계

  • Han, Ji-Hyung (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Jung, Hak-Kee (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jae-Hyung (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Jeong, Dong-Soo (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jong-In (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Kwon, Oh-Shin (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University)
  • 한지형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이재형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정동수 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이종인 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 권오신 (군산대학교 전자정보공학부)
  • Published : 2008.05.30
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Abstract

본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 MOSFET Process 설계를 구현하였다. MOS(Metal Oxide Semiconductor)는 실리콘 기판 등의 반도체 표면에 산화막을 입히고 그 위에 금속을 부착시킨 구조이다. MOSFET의 응용은 VLSI 회로에만 제한되지 않고 전력-전자 회로에서 중요한 역할을 하며 점점 더 적용범위를 증가시켜 마이크로파 응용에 이르기까지 광범위하게 사용하고 있다. Process를 구연하는 방법은 Grid의 크기를 지정하고, 기판의 원소는 B로 지정하고 $1{\times}10^{15}/cm^3$ 만큼 도핑한다. 기판에 구멍을 내어 B와 As의 도핑농도와 에너지값을 설정한다. 마지막으로 어넬링 파라미터 값을 설정한다. 본 연구에서는 원소의 도핑값과 에너지값의 변화에 따른 MOSFET Process의 변화를 알 수 있었다.

Keywords